简介:本文介绍了微波半导体技术主要特点、功率器件和单片集成电路的特性及其应用.
简介:针对抗辐照SOIPMOS器件的直流特性与低频噪声特性展开试验与理论研究,分析离子注入工艺对PMOS器件电学性能的影响,并预测其稳定性的变化。首先,对离子注入前后PMOS器件的阈值电压、迁移率和亚阈摆幅进行提取。测量结果表明:埋氧化层离子注入后,器件背栅阈值电压由-43.39V变为-39.2V,空穴有效迁移率由127.37cm2/Vs降低为80.45cm2/Vs,亚阈摆幅由1.35V/dec增长为1.69V/dec;结合背栅阈值电压与亚阈摆幅的变化,提取得到埋氧化层内电子陷阱与背栅界面态数量的变化。随后,分析器件沟道电流噪声功率谱密度随频率、沟道电流的变化,提取γ因子与平带电压噪声功率谱密度,由此计算得到背栅界面附近的缺陷态密度。基于电荷隧穿机制,提取离子注入前后埋氧化层内陷阱态随空间分布的变化。最后,基于迁移率随机涨落机制,提取得到离子注入前后PMOS器件的平均霍格因子由6.19×10-5增长为2.07×10-2,这表明离子注入后器件背栅界面本征电性能与应力稳定性将变差。
简介:<正>《中华人民共和国节约能源法》(简称《节能法》经过十几年的酝酿、商讨和多次修改,终于出台了,把节约能源以法律的形式确立了下来。但是,《节能法》如何落实,却成了摆在每个节能工作者面前的一个既现实而又无
简介:首先,使用新型压缩感知框架对图像进行基于小波的轮廓波变换(WBCT);然后,采用部分傅里叶矩阵随机观测子空间系数;最后,结合软阈值贪婪方向追踪(SGDP)算法完成图像重构。试验结果表明,与传统的稀疏梯度投影(GPSR)算法相比,基于软阈值贪婪方向追踪的图像重构法在恢复图像低频信息的同时保留了高频信息,尤其对于含噪图像重构,可使重构图像峰值信噪比(PSNR)值提高约2dB。