简介：凝聚着两代人希望的国家十五重点攻关项目和北京市重大科技攻关项目“非晶、纳米晶制品研究及产业化”3月24日通过验收，标志着我国非晶、纳米晶材料在系统集成上实现了自主创新，在材料体系、工艺装备、产业化能力各方面都实现了跨越式发展，跃居世界前三强，可与日本、德国两强平起平坐。

简介：中美晶日前宣布，完成总额约90亿元的银行联贷案，主要用做收购日商Covalent半导体晶圆事业资金。中美晶表示，这次银行联贷案，由中国信托等银行共同筹组，中美晶分两项承贷。第一项由中美晶代表借款62亿元，第二项为中美晶日本子公司GWafersInc．代表借贷77．5亿日圆，合计共约90亿元资金。这次联贷将用来收购日商Covalent半导体晶圆事业。

简介：达拉斯半导体公司(DallasSemiconduetor)近日推出四款串行实时时钟DS1337C／DS1338C／19S1339C／DS1374C，该系列器件内置32．768kHz品振，采用16引脚SO封装。该系列器件内部集成了晶振，有助于节省系统资源、简化电路布局，省略了选择、设计实时时钟匹配晶振

简介：

简介：赛晶电力电子集团有限公司（Sun.KingPowerElectronicsGroupLimited）2010年10月,在香港联交所主板成功上市,股票代码：00580。集团成立于2002年。目前是中国铁道运输装备重要的生产配套厂商之一,也是中国电网输配电领域中,节能增效电力电子部件及系统的领先制造商之一,是集科、工、贸于一体的高新技术企业集团。公司的主导产品及核心技术在同行业中处于领先水平。赛晶集团将继续致力于提高电力的使用效率和传输效率的新技术、新装备的研发工作,以保持本集团的竞争力和行业领先地位。

简介：主要叙述纳米技术、纳米材料、量子器件及其应用。

简介：2011年,北京晶川电子技术发展有限责任公司迎来了十五周年华诞,十五个春夏秋冬历经风雨坎坷,几千个日日夜夜的不懈努力,作为国内最早引进电力电子器件和技术的企业之一,晶川电子在为促进我国变频行业、传动行业的技术开发和产业化做出重要贡献的同时,也谱写了企业的精彩华章。

简介：

简介：日前由日本内存厂商Elpida发起组建的合资公司TeraProbe开始建设目前世界上规模最大的晶圆工厂，工厂的头一个客户将会是Elpida．，接着参与该合资公司的其他日本企业也会成为该工厂的客户。预计该工厂将会于10月投产，雇员300人。

简介：飞兆半导体公司日前推出四款30V、N沟道PowerTrenchBMOSFET，在小尺寸封装中提供高效率和耐用性、能满足今日最具挑战性和讲究空间应用的汽车应用要求。

简介：全球半导体巨头意法半导体在无锡与海力士合资兴建的存储器圆晶制造厂将于今年年底竣工，这一总投资额2亿美元的项目将成为中国最大的圆品制造基地。新近上任的意法半导体大中国区总裁BobKrysiak透露，意法半导体还将斥资5亿美元在深圳龙岗兴建第二个中国后端封装测试厂。

简介：

简介：那年我们出访瑞士,安排顺访位于楞次堡(Lenzburg)的电力半导体器件生产线。初联系时还是BBC,3个月后成行时就已经是ABB了(瑞典ASEA公司和瑞士BBC公司合并为ABB公司)。ABB的朋友带我参观了3-4英寸晶闸管芯片生产线之后,我问到这种全压接式结构——硅片同热补偿片(钼片、钨片)之间没有任何合金过程——相关的强度问题。这位朋友递给我1片报废了的3英寸硅片,问我能不能用手把它掰碎。在国内,大家都知道硅片很脆,3英寸大片一掰很容易碎。可是,此时此地的3英寸硅片却难以破掰碎。我马上联想到,国内用的是(111)面的硅片,这里可能用的是(100)面的硅片。(111)面是硅的解理面,机械强度很差。(100)面机械强度高多了,所以难以一下子掰碎它。在(100)面上,找到<111>方向,顺与之垂直的位置使劲,费了一番周折,该硅片才碎成几块,其破口全是斜坡,坡面即(111)面解理面。

简介：

简介：英飞凌（Infineon）公司的CoolMOSCS服务器系列高压功率MOSFET克服了硅的性能局限，其TO220封装的导通阻抗为99mW，TO247封装的导通阻抗为45mW，可承受600V电压。它们的开关速度为150V／ns，允许工程师设计体积更小、效率更高、发热更少的高端电源。

简介：近日，FarEast公司为其流体动力学测试车间配备了两台由西门子自动化驱动公司生产的1FE型同步三轴电动机，用于舰艇螺旋桨性能测试。这份订单是通过英国测试设备设计制造商CussonsTechnology公司赢得的。CussonsTechnology有着长达120年的悠久历史，主要从事教学设备、仪器的制造，7年前他们收购了一家专门生产舰艇潜艇模型流体测试设备的德国公司，由此发现契机，继而瞄准这一市场。现在该公司已在这一领域成功打造出自己的品牌，每年营业额以人约300万英镑的速度持续增长。

简介：介绍了纳米硅开关二极管的电特性及其应用。

简介：阐述铝电解电容器漏电流产生的原因，分析了漏电流回升的问题，采用合理选择阳极箔、化成引线、严格工艺要求、适当老练及开发高品质的电解液等途径。研制成５０Ｖ低漏电流品，并通过了例行试验，取得良好的效果。

简介：碳化硅[SiC]优越的材料性质为电力电子器件提供了比传统的硅基器件更优越的性能。最近开发了一种1200V、50A的SiCDMOSIrET已用于开关电路。在此基础上，又研制了一种1200V，550A完全用SiC的对偶模块。本文阐述其中每个开关用11个SiCDMOSFET和11个SiCJBS＊组成的先进对偶模块的实验特性。

简介：纳米技术发展至今，遇到的一个重大难题就是直接观察单个分子和原子团簇的几何结构和电子结构，并对其进行理论阐述。日前由国家自然科学基金委委连续资助的研究项目“单分子结构与电子态的理论和实验研究”已经突破该难题，能够对单个分子和原子团簇的结构进行理论上的建模分析与表述。