简介：阐述了碳化硅的结构,粉体和制品的制作方法,探讨了碳化硅作为一种新型材料的应用现状和发展前景.

简介：

简介：为了满足炼钢碳化硅类脱氧剂中碳化硅的分析，在参照国家标准方法的基础上，通过烧失率、助熔剂选择、线性化考核及精密度和准确度等条件试验，建立了红外吸收法测定炼钢碳化硅类脱氧剂中的碳化硅的分析方法。方法的回收率大于98％，相对标准偏差为0．5％～0．7％，准确度高，误差小，实用性强。

简介：碳化硅泡沫陶瓷具有气孔率高、热稳定性好等优良性能，被广泛用作金属溶液过滤器、高温气体和离子交换过滤器、催化剂载体等。重点介绍了碳化硅泡沫陶瓷的种类，阐述了碳化硅泡沫陶瓷的制备方法和影响碳化硅泡沫陶瓷产品性能的因素，展望了碳化硅泡沫陶瓷的发展前景。

简介：摘要：本文从四个方面阐述了高压碳化硅芯片封装技术。

简介：通过对整流设备的测试和分析,制定改造方案。采用新技术,用较小的投资,不但解决了生产中出现的问题,还取得较大的经济效益和节能效果。

简介：摘要首先阐述了碳化硅材料的基本特性，介绍了碳化硅功率器件的种类及特点、典型应用。

简介：

简介：本文介绍了意法半导体公司（STMicroelectronics）首次提出的1200V/20A的SiCMOSFET,并与1200V常闭型SiCJFET（结型场效应晶体管）和1200VSiCBJT（双极结型晶体管）作了对比。我们全面比较了三种开关器件工作在T=25℃、电流变化范围1A～7A的动态特性,并在T=125℃、I_D=7A条件下做了快速评估。尽管SiCMOSFET的比通态电阻（Ron＊A）很高,但与另外两种器件相比仍被认为是最有前景的开关器件：SiCMOSFET的总动态损耗远远低于SiCBJT和常闭型SiCJFET,且驱动方案非常简单,因此在高频、高效功率转换领域中SiCMOSFET是最好的选择。

简介： 摘要：为了准确表征纳米碳化硅粉末的粒径和结构，分别采用激光粒度仪、比表面分析仪、扫描电镜和透射电镜对同一批次纳米碳化硅粉末进行测试。结果表明，纳米碳化硅粉末的粒径基本集中在（50~112）nm，使用激光粒度仪测量的团聚颗粒，并不能完全表征单颗粒的粒径。利用表面积和粒径大小的几何相关性，可以表征纳米碳化硅粉末的粒径。使用扫描电镜和透射电镜微束分析技术不仅能够表针粉末形貌及结构，也能够客观表征纳米颗粒的粒径。

简介：摘 要：为改善化学机械抛光加工碳化硅试件过程中存在的表面质量差等问题，将超声振动辅助化学机械抛光加工碳化硅与化学机械抛光进行对比，研究超声振动辅助抛光的效果。

简介：摘要：碳化硅外延技术作为一种关键的半导体材料制备技术，被广泛应用于电子、光电和能源等领域。然而，在该技术的生产过程中，设备漏气问题成为限制设备稳定性和生产效率的重要因素。设备漏气不仅会导致反应气体的变化，还会引入不良杂质，影响产品的质量和性能。本文以氦质谱仪检测操作为例，详细分析碳化硅外延设备检漏技术。

简介：浇注料是炼钢浇注工艺中使用的一种成分较复杂的耐高温材料，除了含有铁、钙、镁、碳的化合物外，还含有二氧化硅、单质硅及碳化硅等化学成分，碳化硅在浇注料中具有重要的作用。对浇注料中碳化硅的测定，本文采用先将试样中共存的二氧化硅及单质硅用氢氟

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简介：本文考察了烧成温度、成形压力、烧成时间、成孔剂的加入量和玻璃相加入量对SiC微孔陶瓷过滤板孔隙率及微观结构的影响。研究表明：烧成温度为1300℃、成形压力为40kN、烧成时间为4h、成孔剂加入量为16．5％时，制备出的SiC微孔陶瓷过滤板有着更为优良的性能。

简介：摘要碳化硅冶炼过程中会产生大量的CO气体，碳化硅冶炼过程中的尾气处理，不仅牵涉到环保，并且直接关系到操作人员的职业健康。本文介绍了碳化硅冶炼过程中尾气处理技术的背景，分析比较了国内外碳化硅冶炼炉尾气处理的主流方案，并在此基础上推荐了适合国内碳化硅企业采用的方案，并提出了在应用时需要注意的技术关键点。

简介：摘要院为了提高化学复合镀层的性能，采用纳米碳化硅颗粒为增强体制备了镍-磷-碳化硅化学复合镀层，研究了温度、pH、搅拌速率对镍-磷-碳化硅镀层沉积速率的影响，确定了最佳施镀工艺温度为84益、pH值为4.6、搅拌速度为200r·min-1。

简介：通过分析浆料分散性和粘度等因素，研究分散剂和粘结剂等对碳化硅晶须浆料流变行为的影响，确定合适的浆料制备工艺参数。结果表明：选择合适剂量的分散剂（2wt%）能够有效减弱晶须之间的吸引力，减少晶须团簇，提高晶须分散性。同时选择3wt%的粘结剂能够得到粘度适宜的浆料。优化工艺参数，最终获得分散性及稳定性较好且适于流延的晶须浆料。

简介：介绍了日本精细陶瓷用碳化硅微粉末的化学分析方法和分析系统图,可为碳化硅微粉末的分析提供参考和借鉴.