简介:本文主要就采用PC机代替传统的与非门计数控制器作定长切断控制和传感器的接口连接以及外部设备的组成。
简介:本篇主要从胶的种类及应用出发,对制造电机过程中使用的胶进行总结,为今后实际生产中胶的进行归口分类,方便实际生产的应用。
简介:随着现代电力科学技术的不断发展,SF6断路器逐步地取代油断路器,只是因为某些原因,35kV多油断路器依然在部分高电压等级的变电站中居于主导地位,现对我局在35kV变电站中出现的几例关于DW8-35型多油断路器单支套管冒胶的问题作以下分析。
简介:一种新型的定子铁芯装压胎邢建宾,穆大玉一、前言中型防爆电动机定子铁芯采用外装压工艺是我厂引进技术国产化的成果之一,采用气动涨胎进行定子铁芯外装压工艺在我厂已被广泛应用于YB400—630电机的生产实践。采用此项新工艺,提高了工作效率及铁芯装配质量,在...
简介:针对我司3kV电机,分析确定其定子线圈主绝缘结构方案,对电磁线、云母带、浸渍树脂等材料进行检测其性能,制作试验试样,对试样进行常规性能测试(介质损耗、击穿场强),随机抽取一定数量的试样进行电老化寿命试验,通过试验所得数据进行分析,并确定3kVF级少胶整浸电机主绝缘的合理厚度,并指导生产制造。
简介:结合国家标准GB3836.2—2010、GB25286.3—2010中对隔爆面防锈蚀的要求,分析了隔爆锈蚀产生的原因及其对隔爆性能的危害,对常用的几种隔爆面防锈蚀方法优缺点进行了阐述,结合实际提出了相应的意见和建议。
简介:基于在现有的点胶工艺下,白光发光二极管(LED)器件的出光均匀性差,有黄圈的现象,通过控制在点胶后荧光粉沉淀,研究了荧光粉沉淀对器件的光通量和出光均匀性的影响,结合实际生产情况,认为荧光胶沉淀3~5h较好,对器件进行老化1000h,结果表明荧光粉沉淀不会对器件性能有任何负面影响。
简介:
简介:近日,索尼第二代弧面屏液晶电视S9000B正式开售,为消费者带来音画合一的临场视听表现。独特4K弧面屏幕带来舒适的视觉体验,全面的图像处理技术搭配专业的多角度扬声器。誓将不同以往的绝佳弧面4K视听体验带进中国家庭的客厅。
简介:文章分析了煤矿井下容易发生漏电故障的原因,通过进行检查,查明了漏电部位及原因,进而采取了密封处理措施,经过验证,效果良好。
简介:提出了一种基于动力中心和高压组合变频器的大采高大采长综采工作面供电设计方案,给出了该系统的硬件结构和设计计算。实际应用表明,该系统能够满足大采高大采长综采工作面的重型机械设备供电需求,解决了重载启动问题,提高了综采设备的运行可靠性。
简介:在电力供求形势逐步好转的基础上,应积极推进电力行业改革,解决电力发展过程中面临的一些深层矛盾,建立起符合市场经济特点和电力行业发展规律的长效机制。应当从三方面完善电力行业健康发展的长效机制:(1)建立符合市场经济特点和电力行业发展规律的投资体制,保证电力投资增长与电力需求增长相适应,保证各类电力投资者得到公平对待;
简介:将单面聚酯薄膜补强少胶粉云母带与单面玻璃布补强少胶粉云母带交替绕包的绝缘结构用于6kV高压电机主绝缘中,并通过模型线圈的常温介质损耗、介质损耗增量、155℃介质损耗、击穿电压等常规性能测试。样机的测试,研究分析了不同的绕包工艺对绝缘性能的影响。结果表明:采用合理的结构和绕包工艺,绝缘的电气强度有明显提高,综合电气性能获得改善。
简介:主要探讨了忽略反射面与观察点距离的不同,而简单将反射面亮度投影到平面上,进而导出一些照明评价参数的作法可能存在的一些问题,并对平面和空间曲面亮度效果差异特例进行了计算,供参考.
简介:分析了平面隔爆面传爆的一些原因并提出了相应的预防措施,通过这些措施。满足了隔爆要求,达到了防爆的目的。
简介:为了提高沿面型介质阻挡放电装置的放电特性,优化其结构设计,以螺环型沿面放电作为研究对象,利用有限元仿真软件对沿面介质阻挡放电装置进行静电场的仿真分析,研究高压电极线径、高压电极间距(螺距)等对沿面介质阻挡放电装置静电场的影响。仿真结果表明:在气隙的同一位置,场强随线径的减小而非线性减小。选取电极线径较小、介质厚度薄、较大相对介电常数的介质,均可以降低放电起始电压,为结构优化设计提供参考依据。
PC在轮胎胎面一次定长同步切断中的应用
胶的归口研究
多油断路器套管冒胶问题
一种新型的定子铁芯装压胎
3kVF级少胶整浸电机绝缘减薄研究
隔爆面锈蚀原因分析与防治
功率型白光发光二极管点胶制程控制研究
上海斯巴克公司专业生产电子、电感、电气产品用灌封材料——黑胶
索尼推出二代 弧面屏液晶电视
井下工作面电机漏电原因分析及解决措施
大采高大采长综采工作面供电设计研究
电力发展长效机制应从三方面完善
单面聚酯薄膜补强少胶粉云母带在高压电机主绝缘中的应用研究
忽略反射面与观察点的距离对导出参数的潜在影响
隔爆型电气设备平面隔爆面传爆原因与预防
基于有限元仿真的沿面介质阻挡放电装置静电场影响因素研究