简介:利用传输矩阵法理论,研究介质光学厚度对一维光子晶体(AB)5(ACB)2(AB)5缺陷模的影响,结果表明:随着介质A、B或C的光学厚度按奇数倍、偶数倍增大时,光子晶体主禁带中的缺陷模均向禁带中心移动,出现缺陷模向禁带中心简并的趋势,且光学厚度按奇数倍增加时简并的趋势更明显,同时缺陷模移动速度以A介质光学厚度奇数倍增大时为最快;当介质A、B或C的光学厚度按奇或偶倍数增大到一定数值时,均出现对称分布于禁带中心两侧的新缺陷模,而且光学厚度按偶数倍增大时出现的新缺陷模要比偶数倍增大时的快。介质光学厚度对光子晶体缺陷模的影响规律,对光子晶体设计窄带多通道光学滤波器件、高灵敏度光学开关等具有积极的参考意义。
简介:为了明确团聚现象及表面性质对ZnS纳米材料发光性质的影响,采用SiO2对ZnS材料进行了表面修饰,并对ZnS及ZnS/SiO2复合材料的光学性质进行对比研究。采用吸收光谱分析了包覆前后光吸收性质的差异,发现SiO2包覆后ZnS纳米材料的带边由333nm红移至360nm。为了研究ZnS纳米材料与ZnS/SiO2纳米复合材料的光发射性质,分别对含纳米材料的水溶液样品及粉末样品的发光光谱进行了采集。对比研究的结果表明,SiO2包覆后ZnS纳米材料在蓝紫光区的发光得到了明显增强。以氙灯作为激发光源所获得荧光光谱显示ZnS/SiO2粉末样品发光的积分强度增大为原来的17.5倍,但相同条件下针对溶液样品的测试结果显示其发光强度只增大了1.1倍,这种增强可用SiO2的存在抑制了ZnS纳米粒子间的团聚来解释,且这一推断由325nm紫外激光激发下获得的光致发光数据进行了验证。
简介:利用Geant4工具包,采用强迫碰撞方法,模拟氘氚聚变中子与反冲质子法脉冲中子探测系统中的聚乙烯靶作用产生反冲质子的过程,计算了反冲质子在不同厚度Si-PIN半导体探测器灵敏区中的能量沉积谱,并将模拟计算结果与实验结果进行比较,分析给出了探测器灵敏区厚度。结果表明,计算得到的探测器灵敏区厚度与探测器灵敏区真实厚度在3%以内吻合,证明了模拟计算方法的可行性。同时,还计算了不同厚度的铝吸收片条件下,反冲质子在探测器灵敏区内的能量沉积,得到了沉积能量随铝吸收片厚度的变化曲线,可为反冲质子法脉冲中子探测器系统设计提供参考。
简介:建立了燃耗耦合计算方法,并用基准题对其进行了验证。利用传统核数据库和高能数据库计算了热功率为1000MW的ADS堆芯在不同燃耗下的有效增殖因数keff、有外源的有效增殖因数keff,s、质子束流强度Ip、MA核素的嬗变率及嬗变支持比。结果表明:传统核数据库和高能核数据库下计算的keff间的最大偏差及keff,s间的最大偏差均约为1%;传统核数据库下,Ip每300d平均增加7mA,MA核素的嬗变率为29.9%,嬗变支持比为36.7,能核数据库下对应的Ip为8mA,MA核素的嬗变率为30.5%,嬗变支持比为37.3。这说明高能核数据库对MA核素嬗变物理参数的影响与传统核数据库的影响基本相当。
简介:目的:软土流变和结构破坏的相互耦合导致结构性软土的参数难以准确得到。本文拟建立一个有效的参数确定方法,期望仅基于常规的室内试验得到可靠的、合理的本构参数。创新点:1.通过采用优化方法来实现结构性软土参数的确定;2.仅基于常规的室内试验得到本构参数;3.采用最近提出的考虑各向异性、流变和结构破坏的超应力本构模型。方法:1.建立数值模拟和试验数据之间的误差计算公式;2.通过流变本构模拟室内常规试验,并计算模拟误差;3.采用下山单纯形法(simplex)优化方法,寻找模拟误差的最小值;此最小值对应的这组模拟参数即为土体的最优参数;4.利用最优参数模拟其他类型的试验,验证参数的合理性和可靠性。结论:本文提出的优化程序可以有效的找到结构性土体的流变和结构破坏参数,并且找到的参数非常的合理。
简介:针对目前国际上中子评价核数据库中没有n+12C反应在20MeV以上的第一、第二激发态非弹散射角分布数据的情况,利用最小二乘法给出了数据库中缺失的Legendre系数,并且能很好地符合现有的实验数据,从而使评价数据库的数据更加齐全,给出的信息更加完整。