简介：给出气体分子的平均相对速率与平均速率关系式的一种简单推导过程。

简介：溶胶界西层厚应通常是用Porod法对高角区负偏离的队Porod曲线进行拟合求算，但本文研究表明还可通过分别测定Porod负偏离校正前后体系粒子的平均阗径之差而获得平均界面厚度。应用上述方法测定了在不同制备条件下制备的二氧化硅溶胶的平均界面厚度。

简介：根据统计规律,用刚性弹性球模型,讨论单原子分子气体分子碰撞的动量、动能交换问题,结果表明平均交换率均为三分之一。

简介：对将运行于日-地L1点的太阳观测器进行了热设计，重点论述了日-地L1点的轨道外热流计算和Lymanα日冕仪（LACI）反射镜M2光阱、Lymanα日冕成像仪（LADI）滤光片组件、CCD组件、电箱、观测器主体等部分的热设计方案。通过在探测器对日面设置集热板，将观测器的主动加热功耗降低了73％；选用预埋热管的设计方案解决了对日定向观测导致的框架温差问题。仿真分析结果表明，在对日高温工作、对日低温工作、低温存储、轨道转移等4个极端工况下，观测器各组件温度均满足指标要求。该热设计方案以较低的加热功耗，解决了太阳观测器在轨工作阶段的散热、轨道转移阶段的保温等问题，满足CCD焦面工作温度＜-50℃的要求。

简介：根据光的衍射理论,研究了靶面激光参数与传输距离的关系,得出了激光远距离上行传输情况下,靶面平均功率密度的外推计算方法,给出了具体的计算步骤,并对该方法进行了不确定度分析.结合具体的实验条件和实验测量结果,利用该方法计算了激光远距离传输情况下靶面平均功率密度.最后,根据特定的大气湍流结构模型,分析了大气传输修正系数与传输距离及发射仰角的关系.结果表明,大气传输修正系数与激光传输距离无关,与激光的发射仰角有关.但当测量路径上的大气相干长度大于8cm,且外推路径的发射仰角大于35°时,大气传输修正系数接近于1,此时,远距离传输情况下的激光参数可以采用几何外推方法计算.

简介：

简介：研究了多种分子群的平均自由程,并通过导出输运过程宏观规律的两种方法的一致性,圆满地解释了碰壁数16nv和14nv精度问题

简介：通过建立一个典型的金／硅界面结构模型，对X射线入射界面时的剂量增强效应进行了研究。采用MonteCarlo方法计算了不同能量X射线入射金／硅界面的输运过程。其中，对X射线产生的次级电子在介质中的输运，采用了单次碰撞直接模拟方法；对电子的弹性散射截面和非弹性散射截面，分别采用Mott微分截面和Born近似下的广义振子强度模型计算得到。研究计算了不同能量X射线入射下，金／硅界面的剂量增强系数及特定X射线能量下剂量增强系数随金厚度的变化规律。结果表明：X射线能量为几十至几百keV时，剂量增强效应最明显，最大剂量增强系数对应的X射线能量随距金／硅界面的距离增加而增加；金的厚度影响界面附近剂量增强效果，当X射线能量不变时，剂量增强系数随金的厚度增加而增加，并趋于饱和值。

简介：对市售和加固CMOS电路在四川原子核应用技术研究所的5．92×10^15Bq^60Coγ源上作了总剂量辐射特性的对比试验，其中市售的样品包括了北京半导体器件三厂的硅栅和铝栅CMOS电路及美国RCA公司的CMOS产品硅栅CD74HC20E，加固CMOS电路为中科院北京半导体研究所的CMOS／SOS(以蓝宝石为衬底)硅栅CC4012和CMOS／体硅金属栅CC4012。实验的γ剂量率在0．02-0．80Gy(Si)／s之间，它符合国家军用标准GJB762．2《半导体器件辐射加固试验方法总γ剂量辐照试验》所规定的实验剂量率范围。当辐照到预定的总剂量时，电路所有表征参数在20min内测量结束。

简介：设计了一种基于微控制器的RadFET辐射剂量测试系统,介绍了系统的测试原理和方法,通过测量阈值电压的偏移值可得到吸收剂量。利用60Coγ辐照测试系统进行了试验验证。试验结果表明：该测试系统能够实现宽范围辐射剂量测量,同时该系统也可用于其他MOSFET器件阈值电压的测量,尤其适用于辐射剂量的长期测量或者实时测量。

简介：对InPDHBT进行了钴源辐射试验,研究了InPDHBT在不同偏置条件下的电离总剂量效应.使用KeysightB1500半导体参数分析仪,测试了InPDHBT的Gummel和输出I-V参数,分析了辐射敏感参数在辐射过程中的变化规律,研究了器件功能失效和参数退化的原因.研究表明：将InPDHBT置于不同的偏置条件下,产生数量不同的氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷,导致器件的功能失效阈值也不同.

简介：采用多陷阱的理论方法,模拟了不同剂量率辐照下MOS电容的总剂量效应,分析了氧化层空间电荷场效应与辐照剂量率的关系.研究了氧化层中浅能级陷阱、深能级陷阱对界面俘获电荷和半带电压的影响.研究结果表明,相对于高剂量率辐照,低剂量率在Si/SiO2界面附近俘获更多的空穴,导致产生更大的半带电压漂移;空间电荷场效应是由高、低剂量率辐射损伤差异造成的;浅能级陷阱俘获的空穴主要支配着氧化层电荷的传输特征,被深能级陷阱俘获的空穴是永久性的,是引起器件半带电压漂移的主要原因.

简介：由中国物理学学会及中山大学主办的第三居中、日、美物理教育研讨会于1993年7月25-30日在广东肇庆举行，肇庆市市长及中山大学、西江大学校长及各级领导大力支持，会议十分圆满。美国及日本朋友一再表示这是几年来开得最好的一次：会议的论文集将由赵凯华、罗蔚茵教授主编，约于94年发行。会议主要以分组讨论为主，分为六个小组，下面几个组在总结会上的发言。

简介：利用50Co实验研究了国产LiF(Mg,Ti)-M热释光剂量片(TLD)的线性响应上限及重复性.结果表明,国产LiF(Mg,Ti)-M的线性响应上限在150～200Gy之间,超过线性上限后灵敏度下降.在剂量片线性响应范围内重复使用,灵敏度基本不变;超过线性上限后重复使用,灵敏度会增加.实验结果还表明,通过筛选可以使一组剂量片的响应一致性满足使用要求,而且不论后续使用中的辐照剂量是否在线性范围,它们的响应一致性均不会因多次使用而变差,因此可以采用成批使用的方法测量非线性区吸收剂量,以提高大剂量测量的准确度.

简介：在分析SRAM型FPGA单元电路及芯片辐照效应实验数据的基础上,借助计算机仿真模拟,研究了大规模集成电路抗辐射性能的敏感性预测技术。采用分层仿真和评价的方法,先由上而下,根据器件参数要求分配性能指标,再依据实验数据,借助数值模拟,由下而上检验性能阈值、裕量及其不确定度,最终给出整个FPGA的可信度值,确定了敏感单元电路,并且通过X射线微束总剂量实验对结果进行验证。建立的电路级数值模拟方法为累积电离总剂量效应敏感性预测研究,提供了技术支撑。

简介：采用拉格朗日方法模拟计算了湍流边界层中气相粒子和颗粒物的运动。其中,气相粒子在流场中按平均风速输送,用一系列随机位移,模拟湍流对扩散的影响,分析了颗粒物在流场中的受力情况,建立了求解颗粒物扩散轨迹的牛顿运动方程。用该方法模拟平板边界层内颗粒物的扩散行为,给出了颗粒物受力及在边界层内的运动轨迹,并将计算的质量通量与文献中的实测值进行了比较。结果表明：计算值与实测值基本吻合,初步验证了本文方法在模拟颗粒物扩散时的可靠性。

简介：为了加强中日美等国家物理教育界同行间的交流，并对当前各种物理教学的热点问题进行深入的交流、研讨，由中国物理学会教学委员会、日本物理教学学会主办，由浙江大学和东南大学承办的“国际物理教育研讨会”（暨第四届中日美大学物理教育与实验研讨会），于2005年8月25日至8月28日在中国杭州美丽的西子湖畔举行。

简介：近代科学进入中国之回顾与前瞻──诺贝尔奖获得者杨振宁博士１９９４年８月１８日在南宁的演讲有机会同大家讨论近代科学进入中国之回顾与前瞻，我很高兴。今天我要谈的是，近代科学如何发源于西方，随后又怎样进入中国的经过。了解这个过程以后，我们就能够对今天中华民...