简介:基于Skyrme能量密度泛函结合扩展的Thomas-Fermi近似,研究了原子核的基态性质以及熔合体系的入射道势。另外对于熔合反应,由得到的入射道势构建了一个经验的势垒分布来描述其他自由度对两核相对运动自由度的耦合效应。基于该势垒分布以及势垒穿透思想,许多熔合反应的熔合激发函数能被很好地再现。
简介:采用Skyrme能量密度泛函研究重离子极端垒下熔合反应。基于Skyrme能量密度泛函以及扩展的Thomas-Fermi近似得到的入射道熔合势垒,结合我们提出来的经验的势垒分布函数,计算了一系列熔合体系的近垒熔合截面,与实验数据能很好地符合。进一步考虑熔合势垒曲率的能量依赖,研究了一些体系的极端垒下熔合,发现极端垒下熔合截面深度压低现象能被满意地再现。
简介:采用微波等离子体技术研究了一氧化碳氢化制乙炔反应的产物选择性。对影响乙炔选择性的几个因素,如微波输入功率、反应物的比例和体系压力进行了研究。乙炔的选择性随着微波输入功率的增加,反应物比例和体系压力的降低而增大。在最佳条件下,乙炔的选择性可达到95.87%,甲烷选择性的变化规律和乙炔相反,乙烯和乙烷的选择性很低。等离子体中的电子温度(或能量)和密度采用了静电悬浮双探针诊断,电子密度和能量受微波输入功率和体系压力的影响。在反应中,电子能量决定化学反应是否进行,电子密度决定产物的组成。根据自由基反应理论解释了乙炔选择性在H2+CO等离子体化学反应中随影响因素的变化规律。更多还原
简介:利用4.5MeV的氪离子(Kr^17+)辐照(100)晶向本征未掺杂和高掺锌(P型)、(100)和(110)混合晶向的高掺硅(N型)砷化镓(GaAs)半导体材料,辐照注量为1×10^12~3×10^14cm^-2,测试辐照后材料的拉曼光谱。随着辐照注量增大,材料的纵向光学(longitudinaloptical,LO)声子峰向低频方向移动,出现了明显的非对称展宽,并且N型样品辐照后,晶体结构损伤要大于P型与本征未掺杂样品。3种类型样品的LO峰频移随辐照损伤的变化趋势一致,研究表明,掺杂元素不影响材料本身的晶体结构,可能是因为混合晶向的生长方式导致辐照后N型GaAs结构稳定性变差。