简介:采用高温熔融-退火法在钠硼铝硅酸盐(SiO2-B2O3-Na2O-Al2O3-ZnO-AIF3-Na2O)玻璃中生长了PbSe量子点,通过X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、光致荧光(PL)谱等研究了玻璃配料中不同ZnO含量对PbSe量子点尺寸和浓度的影响,结果表明,ZnO含量占总玻璃配料质量比约9.4%时,生成的量子点尺寸比较均匀,直径约为6.5nm,且浓度较高,PL谱强度最强,辐射峰位于1790nm,FWHM为296nm。玻璃配料中加入适量的ZnO有助于PbSe量子点的形成,减少Se元素的挥发,使玻璃中的量子点尺寸分布趋于均-化。
简介:采用热注入法成功制备出三元AgInS2和四元Ag—Zn—In—S量子点,物性测试得到AgInS2量子点的发射峰为701nm,Ag—Zn—In—S量子点的发射峰593nm,即Ag-Zn-In—S量子点的发射峰相对于AgInS2量子点发生了蓝移,AgInS2和Ag—Zn—In—S量子点都表现出了较长的荧光寿命,分别为169ns和162ns,结合生物组织光学窗口范围限制,相对Ag—Z—In—S,AgInS2量子点更适用于生物标记。
简介:德国Ⅵ系统公司宣布研制出第一个通过多模光纤数据传输速率达40吉比特/s(40Gbit/s)的单VCSEL(垂直腔面发射激光器)。2009年1月份在美国加州SanJose召开的光子学会议上,该公司刚介绍了其20吉比特/s的器件,目前又使它的量子点激光器的调制速率提高了1倍。该公司利用其VCSEL和PIN光探测组件实现了通过多模光纤的40吉比特/s连续传输,这是850hm(波长)光发射的刨记录器件,是用与20吉比特/sVCSEL相同的光刻掩模研制的,但对外延结构作了改进。这种器件设计利用GaAs量子阱中的InAs量子点,并嵌入到AlGaAs基体中。
简介:应用COMSOLMultiphysics4.3a模拟软件,结合Maxwell电磁场理论,首先理论推导高斯光束的产生原理,得出基于Kretschmann棱镜耦合系统下的Cu2S量子点溶液,模拟进行852nm稳态激光器的高斯光束照射时产生表面等离激元(SPR),改变量子点的基本属性以及改变入射光角度,模拟出在不同条件下Cu2S量子点产生SPR信号的情况,为Cu2S量子点在SPR传感方面的应用提供了理论依据和参考。