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28 个结果
  • 简介:据报道,澳大利亚股票交易所的上市公司VventureMineralsLimited日前宣布在塔斯马尼亚西北部MountLindsay的锡铁矿中发现了未经开采的锡和钨资源。据推断此矿含锡

  • 标签: 公司宣布 发现未经 宣布发现
  • 简介:晶态金属由于缺乏长程排序和相关晶界,具有许多非凡的特性,如超高强度、改进的抗蚀性能以及引人注目的磁性能。金属玻璃,即晶态金属,其实是凝固的液体,具有晶态的原子结构,在凝固过程中跨越了结晶这一过程。这些独特有趣的金属可以看作是另类崭新的材料。具有晶态原子结构和成分的这类合金强度高,且处理恰当的话,可以像塑料一样进行加工。良好的性能和易加工性,为高强合金的加工和利用展示了一个新的空间。本文概述了液态金属合金的晶金属技术,探讨了它的开发潜力。

  • 标签: 非晶态金属 金属合金 塑料 形似 易加工性 超高强度
  • 简介:研究的目的是讨论采用均相碱脱乙酰法制备壳聚糖时,反应时间及反应温度对壳聚糖脱乙酰度(DD)及分子质量(MW)的影响,并建立合适的反应条件,制备具有适当脱乙酰度及分子量的壳聚糖产品。甲壳素是从红虾的残渣中提取的。DD和MW分别由红外光谱及静态光散射仪测定。甲壳素的DD值及MW的测量结果分别为31.9%、5637kDa。实验结果表明壳聚糖的DD值随反应时间、反应温度的增加而增加。反应温度为140℃时制备的壳聚糖的DD值比反应温度为99℃时制备的壳聚糖DD值高。反应温度为99、140℃制备的壳聚糖的加最大值分别92.2%、95.1%。壳聚糖的DD值在反应初期增长较快,随着时间的延长,增长变慢。脱乙酰反应的反应速率及速率常数随反应物DD值的增加而减少。壳聚糖的分子量随脱乙酰反应时间的延长而减小。反应温度为140℃时制备的壳聚糖的分子量比反应温度为99℃时制备的壳聚糖的分子量小。反应初期壳聚糖的分解速率为43.6%/h,随着时间的延长其值减小到20%/h,在反应后期,分解反应速率常数增加。

  • 标签: 脱乙酰度 壳聚糖 非均相 制备 反应速率常数 反应温度
  • 简介:在国家863项目和中国科学院创新工程的支持下,中科院半导体研究所曾一平研究员带领的课题,采用自行研制的HVPE氮化物生长系统,通过在m面蓝宝石上磁控溅射生长薄层的ZnO缓冲层,进而外延生长获得了极性GaN厚膜材料,该材料具有较低的位错密度,适合开发用于LED、LD等氮化物发光器件的衬底材料,同时对比实验表明,薄层的ZnO对于形成极性GaN起到了至关重要的作用,

  • 标签: GAN材料 非极性 ZnO缓冲层 生长系统 中国科学院 863项目
  • 简介:概述了现有晶合金的种类,并从合金的热力学、动力学和结构3个方面阐述了合金的晶形成机理,同时全面总结和探讨了表征合金晶形成能力的各种参数,主要包括Inoue经验规律、△H(熔化焓)、△S(熔化熵)、过冷液体温度区间△Tx(△Tx=Tx-Tg)、约化玻璃转变温度Trg(Trg=Tg/Tm)、粘度(η)、αβ1/3、临界冷却速度(Rc)、晶晶化开始温度(Tx)与合金开始熔化温度(Tm)之比(Tx/Tm)、合金开始熔化温度(Tm)与玻璃转变温度(Tg)或晶晶化开始温度(Tx)之差△Tm(△Tm=Tm-Tg或△Tm=Tm—Tx)、电子浓度e/a、原子尺寸、重力等。

  • 标签: 非晶合金 非晶形成能力 块体非晶合金 快速凝固
  • 简介:采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法在玻璃衬底上制备出晶硅薄膜,利用正交试验法对射频功率、气体总压、硅烷比例、沉积时间、退火温度、退火时间因素进行了研究,对透过率和电阻率进行了分析,结果表明,采用PECVD法成功制备出晶硅薄膜。正交实验表的分析得知,气体总压对透过率影响最大;硅烷比例对电阻率影响最大。制备晶硅薄膜的优化条件为:射频功率30W、气体总压100Pa,硅烷5%、沉积时间5min、退火温度300℃、退火时间45min。晶硅薄膜的光透过率93.18%,电阻率为13.238kΩ·cm。

  • 标签: PECVD法 非晶硅薄膜 光电性能
  • 简介:把沸腾的铁水以每秒钟100万摄氏度的速度快速冷却,会发生什么奇迹?在北京市重大科技项目“晶、纳米晶制品研究及产业化”验收会上这种神奇的东西:一片薄得像玻璃纸一样的“铁片”和一根不到头发丝直径十分之一的“铁丝”通过了验收,它们就是熔融铁水以每秒钟100万摄氏度的速度快速冷却后的结果,专家称其为“晶、纳米晶材料”。

  • 标签: 纳米晶材料 非晶 世界 快速冷却 科技项目 北京市
  • 简介:用滤质阴极真空电弧(FCVA)离子镀技术在高速钢(W6M05Cr4V2)和不锈钢(0Cr18Ni9Ti)基体上沉积120~150nm晶金刚石膜。用划痕法测定其结合力,平均临界载荷分别为19.15N(高速钢)和6.44N(不锈钢,CB工艺)。用栓盘摩擦试验测定镀膜的摩擦系数μ和耐磨寿命。摩擦系数μ为0.092~0.105,镀膜耐磨性比高速钢高106~319倍,比不锈钢高480~3600倍,而且镀膜质量稳定,重复性好。

  • 标签: 非晶金刚石膜 膜/基结合力 摩擦系数 耐磨性
  • 简介:采用γ射线还原法可以在水体系中同步合成出复相的纳米无机粉体,对此种方法做了详细介绍.并且对于获得的复相无机纳米晶粉体进行了XRD的表征分析,证实了在还原体系中采用此法得到的粉体粒径尺度在纳米量级。

  • 标签: 纳米晶 Γ射线辐照 非水体系
  • 简介:以柠檬酸三钠为络合剂,采用络合反应快速冷冻共沉淀法制备出铜掺杂氢氧化镍超细粉体样品材料,采用XRD、SEM、TEM、TG—DSC、Raman和红外对其进行表征,同时将其作为正极活性材料组装成MH—Ni电池,测试了其电化学性能。充放电结果表明,样品电极具有较好的循环特性.当Cu的掺杂量为5%时,合活性物质80%的样品电极在恒流80mA/g下充电6h,40mA/g放电,终止电压为1.0V时.放电电压稳定于1.260V的时间较长,开路电位为1.462V,放电比容量可达362.976mAh/g,表现出其较高的电化学活性。

  • 标签: 络合反应冷冻共沉淀法 铜掺杂 纳米氢氧化镍 非晶相 电化学活性
  • 简介:据有关媒体报道,总投资2.7亿美元的联相(山东)晶硅薄膜太阳能电池项目日前在济宁开工建设。该项目正式投产后,年产晶硅薄膜电池可达70兆瓦。

  • 标签: 薄膜电池 非晶硅 济宁 薄膜太阳能电池 总投资
  • 简介:通过磁控溅射技术和1100℃的高温后退火处理,在富硅碳化硅薄膜中形成高密度小尺寸的硅量子点,硅量子点的结构由X射线光电子能谱和高分辨透射电镜进行表征,结果表明,在高温退火过程中,碳化硅薄膜发生了相分离,硅和碳的化学结合态在热力学的驱动下形成稳定的Si-Si键和Si-C键,同时,氮原子钝化了分解过程中形成的Si悬挂键,在硅量子点的表面形成SixN/SiyC晶壳层。这种晶壳层包覆量子点的结构配置非常有利于形成稳定的超小硅量子点(1-3nm),此结构的量子效应所产生的光吸收了从绿光到紫外光的光谱范围,大幅度提高光伏太阳能电池的光电转换效率。

  • 标签: 硅量子点 碳化硅薄膜 X射线光电子能谱
  • 简介:论述了热分析动力学的基本研究方法,着重从常用的热分析动力学方程、激活能的求解、反应机理函数的获取方法等方面作了阐述。并以Zr55Cu30Al10Ni5大块晶合金为例,探讨了热分析动力学的具体应用,包括晶化激活能的求解和动力学机理函数的确定。

  • 标签: 热分析动力学 差示扫描量热法 大块非晶合金
  • 简介:美国普渡大学和哈佛大学的科学家使用III-V族化合物砷化镓铟代替硅,研制出全球首款全门三维晶体管,可用于开发出运行速度更快、更高效的集成电路和更轻便、耗电更少的手提电脑。

  • 标签: 晶体管 三维 硅基 哈佛大学 砷化镓铟 运行速度
  • 简介:为了满足美国空军对高效、超轻的晶硅太阳能电池的要求,空军研究实验室努力对现有的产品进行改进,创造能满足空间应用的产品。一种新产品是沉积在0.005in(0.13mm)厚度的不锈钢底板上的a-硅太阳能电池,是由美国联合太阳能奥佛公司在自己拥有的太阳能技术的基础上研发的。

  • 标签: 非晶硅太阳能电池 不锈钢 金属片 制造 美国空军 太阳能技术
  • 简介:日本产业技术综合研究所发布新闻公告宣称,该所的太阳光发电研究中心研制出一种新型太阳能电池,重量轻,体积小,可弯曲,最重要的是可以高效率地将太阳光转化为电能,将使用铜铟镓硒(CIGS)薄膜的可弯曲太阳能电池的光电转换效率,由17.5%提高到17.7%。这项研究成果因此被业界称为一项技术飞跃。

  • 标签: 太阳能电池 光电转换率 日本产业技术综合研究所 硅系 光电转换效率 太阳光发电
  • 简介:麻省理工学院衍生公司LiquiGlide的粘接涂层获得挪威消费产品生产商Orkla公司许可,将在欧洲销售的沙拉酱产品中得到应用。该技术在2009年开发成功。这种液体浸渍涂层可作为表面和粘性液体之间的下滑障碍,例如将涂层用于调料瓶壁上,可以使调料能完全流出。

  • 标签: 浸渍涂层 沙拉酱 产品 应用 销售 欧洲
  • 简介:介绍了相干光时延四波混频(TDHVM-1L)理论的发展,分析了多能级理论与二能级理论的差异。在7.5K和300K时,利用TDFWM-1L实验观测到了Er2O3和CeO2掺杂TeO2-Nb2O5-ZnO玻璃的的光子回波信号,利用TDFWM-1L多能级理论在均匀加宽情形下的公式拟合了带有相干拍频调制结构的实验结果,并用多能级理论对实验结果做出分析,为TDFWM-1L理论的发展提供了参考。

  • 标签: 相干拍频调制 光子回波 非相干光 超快弛豫 四波混频