简介：<正>据日本媒体NihonKeizaiShimbun报道,日本有色金属制造商DowaMin-ing有意批量生产蓝宝石基的GaN衬底材料。总部位于东京的Dowa公司将与名古屋工业大学合作开发上述产品,某些技术将由NGKInsulators公司提供。Dowa公司预计向这个新项目投资超过4600万美元,在2007年财年一开始就投入量产,并预期在2008财年期间产品的销售收人达到9000万美元左右。

简介：【摘要】随着科学技术的不断向前发展，相较于上个世纪，人类对核辐射及核能的认知得到了进一步的发展，当下，辐照探测技术在国防应用，核医学、核电站检测、环境检测等众多领域都有重要意义。目前，辐射探测器的种类主要分为气体探测器，闪烁体探测器和半导体探测器，近年来，以GaN为代表的宽禁带半导体材料以其宽禁带、临界击穿电场高、载流子饱和漂移速度快、抗辐照性能强等优良特性得到了广泛关注，在GaN材料生长和制备技术不断提升的背景下，以GaN材料为底材的半导体辐射探测器得到了进一步研究，本文主要以GaN材料为例，通过SRIM软件模拟α粒子在其中的沉积过程。

简介：在国家863项目和中国科学院创新工程的支持下，中科院半导体研究所曾一平研究员带领的课题，采用自行研制的HVPE氮化物生长系统，通过在m面蓝宝石上磁控溅射生长薄层的ZnO缓冲层，进而外延生长获得了非极性GaN厚膜材料，该材料具有较低的位错密度，适合开发用于LED、LD等氮化物发光器件的衬底材料，同时对比实验表明，薄层的ZnO对于形成非极性GaN起到了至关重要的作用，

简介：LiGaO2与GaN的晶格失配率只有0．2％，是一很有潜力的蓝光衬底材料。本文利用化学侵蚀、光学显微镜、透射电子显微镜对晶体中的缺陷进行了分析，研究了生长参数、原料化学配比对晶体质量的影响及其和晶体中缺陷形成的关系。TEM分析表明，由于原料近非化学计量比挥发致使组份偏离，容易产生γ－Ga2O3包裹物。包裹物和位错形成具有一定的相互促进作用。X射线貌相分析发现提拉法生长LiGaO2晶体中易于形成平行于（001）面的亚晶界，这可能和其沿[001]方向的极性有关。

简介：摘要：具有宽带隙、高电子饱和速度和高击穿电压等良好特性的氮化镓(GaN)材料作为第三代半导体材料——宽禁带半导体材料之一，推动微电子领域和光电子学领域向前迈出了极为重要和有重大意义的一步，而以GaN材料制造的功率半导体器件AlGaN/GaN HEMT器件对半导体器件领域的发展也有着极其重大的影响。本文概述了GaN材料的基本特性以及AlGaN/GaN HEMT 器件的工作原理。

简介：全球气候变暖正在挑战人类发展。面对日益严峻的挑战，我们应该意识到，节能减排，保护环境，是我们每一个人的责任。所以，我们应该从这一刻开始，关注生活细节，为保护我们的地球出一份力!

简介：今年10月份的LED杂志（LEDmagazine）刊登了三种MR16产品之间的性能比较，它们分别是：卤钨灯、SiC基板上生长的GaN（CREE制造）和在GaN上生长GaN的同质氮化镓（rhSORRA公司制造），见表1。

简介：

简介：【摘要】随着科学技术的不断发展，人类对辐射的认识不断深入，辐射探测和辐射利用的相关设备已经越来越多的走进日常生活，辐照探测和辐射利用技术在核医学、核电站检测、环境检测、空间、粒子物理学及相关的交叉前沿学科和工业应用等众多领域都有着极其重要的意义。当下，辐射探测器主要分为气体探测器，闪烁体探测器和半导体辐射探测器三类，其中，以GaN材料为代表的第三代半导体辐射探测器因其良好的物理性质，近年来得到了广泛的研究。

简介：GaN（氮化镓）功率器件的全球领军企业GaNSystemsInc．和功率半导体的领军企业ROHMCo．，Ltd．为促进电力电子市场的创新与发展，开始就GaN功率器件事业展开合作。

简介：<正>美国军方已经着手实施一系列价值数千万美元的计划来加快GaNIC的研发速度。在DARPA的资助下,在这个开发毫米波和微波集成电路的GaN项目中,最大的获益者是Raytheon(与Cree合作,2700万美元)、NorthropGrumman

简介：<正>TriQuint与LockheedMartin公司共同研制出一种高功率密度、PAE及RF寿命长的GaNHEMT。该器件连续波功率为12W/mm,频率在10GHz时PAE为50%。TriQuint运用其独有的"先进的栅工艺"使GaNHEMT的功率密度比传统的E电子束及

简介：大规模轧了nanowires被ammoniatingGa2O3电影成功地在在850点在Si(111)底层上扔的Nb层上综合。X光检查衍射(XRD)，扫描电子显微镜学(SEM)，field-emssion传播电子显微镜(FETEM)，Fourier转变了红外线的光谱(FTIR)被用来描绘结构、词法的性质同样综合轧了nanowires。结果表明nanowires是纯的六角形与在50nm和100nm之间的一段大约几微米和一条直径轧了wurtzite结构。最后，简短讨论了是镓氮化物nanowires的形成机制。

简介：在n类型的坚持的光导增益(PPC)现象轧了电影成年bymetalorganic化学药品蒸汽免职(MOCVD)被学习了。在使用一些测试和分析方法以后，例如双水晶X光检查衍射(DCXRD)，光致发光(PL)系列，等等，在n类型的PPC轧了影响的问题不相对脱臼和黄乐队(YB)，这被发现，并且被Si的做的水平很可能引起。

简介：

简介：<正>在2003年8月底举行的日本应用物理学会秋季会议上,日本的一些知名公司和大学报告了其最新GaN基器件研究概况。三菱电气公司描述了用5分钟600℃快速热退火来减小AlGaN/GaNHEMT器件的肖特基栅泄漏。最大漏电流为1A/mm,gm为140mS/mm的HEMT的关断电压由105V提高到178V。德岛大学的一个研究小组报告了他们

简介：

简介：ThepurecubicGaN(c-GaN)hasbeengrownon(001)GaAssubstratesbyECR-PAMOCVDtechniqueatlowtemperatureusingTMGaandhighpureN2asGaandNsources,respectively.TheeffectsofsubstratepretreatmentconditionsonqualityofcubicGaNepilayerareinvestigatedbythemeasurementsofTEMandXRD.Itisfoundthathydrogenplasmacleaning,nitridationandbufferlayergrowthareveryimportantforqualityofcubicGaNepilayer.

简介：Byusingspectroscopicphotoconductance,transmittanceandluminescencemethods,theopticalcharacterizationofGaNgrownbyplasmasourceMBEhavebeenevaluated.Theimperfectionoftheepitaxiallayerdeducedfromthemeasuredresultshavebeendiscussed.Thetransientresponsesofthephotoconductivedetectorshavebeenmeasured.Twotimeconstantsof0.17msand6.85msatroomtemperaturearededucedfromthemeasuredresults.Theoriginshavealsobeendiscussed.

简介：摘要：自古以来信息的加密与破译就生生不息，人们对加密方法安全的更高追求也会永恒不变，基于GAN的加密算法检测模型，为未来深度学习在密码通讯领域的运用进行一些尝试。