简介：采用高氢稀硅烷热丝化学气相沉积方法制备氢化微晶硅薄膜。其结构特征用Raman谱，红外透射谱，小角X射线散射等来表征。结果表明微晶硅的大小及在薄膜中的晶态比Xc随氢稀释度的提高而增加。而从红外谱计算得到氢含量则随氢稀释度的增加而减小。小角X射线散射结果表明薄膜致密度随氢稀释度的增加而增加。结合红外谱和小角X射线散射的结果讨论与比较了不同相结构下硅网络中H的增加而增加。结合红外谱和小角X射线散射的结果讨论与比较了不同相结构下硅网络中H的键合状态。认为随着晶化的发生和晶化程度的提高H逐渐移向晶粒表面，在硅薄膜中H的存在形式从以SiH为主向SiH2转变，即在微晶硅膜中主要以SiH2形式存在于晶粒的界面。

简介：用同步辐射原位高压能散X射线衍射技术，对碳纳米管进行了结构和物性的研究，压力达50．7GPa。在室温常压下，碳纳米管的结构和石墨的hcp结构相似，其（002)衍射线的面间距为d002=0.3404nm,(100)衍射线的面间距为d100=0.2116nm。从高压X射线衍射实验看到，当压力升到8GPa以上，（002）线变宽变弱，碳纳米管部分非晶化。而当压力从10GPa或20GPa卸压至零，（002）线部分恢复。但当压力升至最高压力50．7GPa时，碳纳米管完全非晶化，而且这个非晶化相变是不可逆的。我们用Birch-Murnaghan方程拟合实验数据，得到体弹模量为K0＝54．3±3．2GPa（当K’0＝4．0时）。

简介：本真空控制保护系统是为北京同步辐射装置（BSRF）上的3W1高功率（总功率为2.54W）扭摆磁铁（Wiggler)光束线（包括前端区、3W1A和3W1B）而设计和建造的。主要建造目的是，保护北京正负电子对撞机（BEPC）电子储存环的超高真空系统和其它光束线不要受到在某一条光束线上突然发生的灾难性真空事故的破坏，以及保护无水冷却和冷却水意外中断了的光束线部件不要被扭摆磁铁发射出来的高功率同步辐射所损坏。此外，在活动水冷挡光罩关闭之前，为了防止快速阀的阀板因过热而被损坏，在快速阀中使用了一种熔点温度为1680℃的钛合金阀板。为了给扭摆磁铁光束线提供一个可靠的真空控制保护系统，系统设计是以F1－60MR型可编程序控制器（PLC）为基础的，PLC负责管理系统的状态监测、真空联锁、控制、自动记录和故障报警等。本文叙述了系统的设计。

简介：测定贵州兴仁、兴义晚二叠世6个高砷无烟煤样品中As含量为33μg·g^-1－3．2％，Sb含量为8．10μg·g^-1－120μg·g^-1。对样品的矿物学研究表明，未发现任何含As或As的独立矿物，As是赋存在煤有机组分中。应用同步辐射X射线吸收精细结构仪测定样品中As的结构发现，赋存在高砷煤有机组分中的As与O配位，除在一个样品中As与3个O配位外，在其余样品中As均与4个O配位。因此，高砷煤中的As不是赋存在硫化物矿物中，而是赋存在砷酸盐或亚砷酸盐相中，且主要是砷酸盐相。

简介：测定贵州兴仁、兴义晚二叠世6个高砷无烟煤样品中As含量为94.1μg·g^-1－3.2%,Sb含量为8.1-120μg·g^-1,对样品的矿物学研究表明，未发现任何含As或As的独立矿物，As是赋存在煤有机组分中，应用同步辐射X射线吸收精细结构仪测定样品中As的结构发现，赋存在高砷煤有机组分中的As与O配位，除在1个样品中As与3个O配位外，在其余样品中As均与4个O配位，因此，高砷煤中的As不是赋存在硫化物矿物中，而是赋存在砷酸盐或亚砷酸盐相中，且主要是砷酸盐相。

简介：在同步辐射软X光能区（50－2000eV)进行了硅光电二极管的自标定实验，因为消除了二极管的“死区”并采用很薄层的SiO2作窗，使得可以用简单的模型来分析实验结果，由实验测得的光电流，计算出硅光电二极管的量子效率，并求得入射同步辐射的光通量。