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下一代
晶体
管露脸
作者：
学科：
自动化与计算机技术
>
检测技术与自动化装置
创建时间：2004-11-21
出处：
《测控自动化》
2004年第11期
简介：
ATDF公司和HPL公司最近展示了面向多栅场效应
晶体
管(MuGFET)的45nm技术节点上的工艺能力，MuGFET这种先进的半导体器件最终可能取代传统的CMOS
晶体
管。
标签：
CMOS晶体管
一代
场效应晶体管
半导体器件
工艺能力
技术节点
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