简介:利用透射电镜(TEM)和高分辨透射电镜(HRTEM)研究高压扭转大塑性变形纳米结构Al-Mg合金的微观结构演变和位错组态。结果表明:对尺寸小于100nm的晶粒,晶内无位错,其晶界清晰平直;而尺寸大于200nm的大晶粒通常由几个亚晶或位错胞结构组成,其局部位错密度高达10^17m^-2。这些位错是1/2〈110〉型60°位错,且往往以位错偶和位错环的形式出现。在高压扭转Al-Mg合金的超细晶晶粒中,用HRTEM同时观察到分别由0°纯螺型位错和60°混合位错分解产生的Shockley部分位错而形成的微孪晶和层错。这些直接证据证实,通常存在于FCC纳米晶中由晶界发射部分位错而产生孪晶和层错的变形机制,同样可以存在于超细晶FCC金属中。基于实验结果,分析了高压扭转Al-Mg合金中的局部高密度位错、位错胞、非平衡晶界、层错和孪晶等对晶粒细化的作用,提出了相应的晶粒细化机制。
简介:本连载文,对从近几年公布的日本覆铜板企业以改善、提高覆铜板性能为主题的日本专利中查寻到的新测试技术的运用成果,分别一一的做以综述。在本篇,对相关专利所揭示的松下株式会社封装基板用基板半固化片抗张率测试的应用成果,以及住友电木株式会社覆铜板树脂组成物研究中对小角X射线散射的应用成果,作以介绍与评析。
简介:采用声化学法研究Zn掺杂对氧化镉纳米结构生长过程的影响.纳米颗粒的X射线衍射(XRD)谱表明,所制备的CdO样品为立方结构.场发射扫描电子显微镜(FESEM)图像显示,样品用Zn原子掺杂时,其形貌发生变化,粒度变小.利用室温光致发光(PL)和紫外?可见光谱(UV-Vis)分析技术研究样品的光学性质,结果表明,不同的发射带由不同的跃迁引起,CdO能带隙由于掺杂而增大.对纳米结构电学性质的研究表明,Zn掺杂导致光生载流子密度提高,从而使得纳米结构的导电性提高,光照射纳米结构所产生的光电流亦增大.根据本研究的结果,Zn掺杂可以改变CdO纳米结构的物理性质.
简介:本文的两个统计图,来自2006年10月27日于苏州召开的铜箔制造企业信息交流会上的报告。征得报告者的同意,特于发表。从两张图表的情况,可以看出世界铜箔近年发展呈下列特点:1、2006年世界铜箔总产量预计为27.71万吨;中国台湾和大陆产量预计分别为9.71万吨和6.07万吨,分别占全球总量的35.04%和29.91%;合计为15.78万吨,占全球总量的56.95%;中国已成为世界铜箔生产大国。2、从2003年以后中国台湾、大陆铜箔产能、产量大幅度增加,每年的增幅均在30%以上;3、日本铜箔生产的产量、产能分别从2000年、2001年开始大幅减少;4、美国铜箔产量从2000年开始,产能从2002年开始大幅减少。