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5 个结果
  • 简介:近日,霍金警告称,人工智能的快速发展可能将导致人类灭亡。腾讯科学讯据国外媒体报道,我们渴望研制机器人助手和自驾驶车辆,虽然人工智能初期阶段已证明非常有用,并给人们生活带来变化,但是伴随着科学技术的快速发展,未来出现媲美人类、甚至超越人类的机器人将后果不堪设想。目前,

  • 标签: 人工智能 人类 霍金 科学技术 机器人 腾讯
  • 简介:建立凝固过程的数学模型来揭示自由晶核的迁移行为。模拟结果表明:在脉冲电流作用下,大多数形成于熔体上表面的晶核将往下迁移并随机分布于Al熔体内部,提供更多的形核质点,进而细化凝固组织晶粒。同时,研究在施加脉冲电流(ECP)时晶核尺寸对晶核分布和细化的影响。小尺寸的晶核同周围熔体一同运动,迁移距离较短;而大尺寸的晶核在脉冲电流作用下以较快的速度相对于周围熔体运动,有利于熔体内部晶粒的细化。该研究有利于加深对脉冲电流细化凝固组织机理的认识。

  • 标签: 脉冲电流 凝固 细化机制 晶核迁移 数值模拟
  • 简介:采用体视学显微镜和扫描电镜(SEM)结合X射线能谱分析(EDS)研究不同厚度0.1mol/LNa2SO4薄液膜下浸银处理电路板(PCB-ImAg)和无电镀镍金处理电路版(PCB-ENIG)的电化学迁移行为与机理结合交流阻抗谱(EIS)和扫描Kelvin探针技术(SKP)对电偏压作用后PCB金属极板的腐蚀倾向和动力学规律进行分析。研究结果表明,经电偏压作用后,在不同湿度条件下,PCB-ImAg板上银的迁移腐蚀产物数量极为有限,而在高湿度条件下(85%)下,PCB-HASL两电极间同时发现了铜枝晶以及铜/锡的硫酸盐、金属氧化物等沉积物。SKP结果表明,阴极板表面电位明显低于阳极板表面电位,具有较高的腐蚀倾向。建立电偏压作用下PCB电化学迁移腐蚀反应机理模型,并对两种电路板电化学迁移行为差异进行比较。

  • 标签: 浸银电路板 无铅热风整平喷锡电路板 电化学迁移 电偏压 吸附薄液膜
  • 简介:通过采集153个样品分析长沙市土壤中As、Cd、Cr、Cu、Hg、Mn、Ni、Pb和Zn的含量,利用多元统计、地学统计、直接暴露以及不规则三角网模型(TIN模型)等方法分析土壤中重金属的来源、空间分布以及对儿童的健康风险。结果表明:长沙地区部分区域需经过污染治理后才适合人类生活;约9.0%的区域风险值超过了临界值1.0,1.9%的区域风险值大于2.0,其中高风险主要集中在南部和西部地区;元素As和口腔摄入途径是儿童的主要健康风险来源;土壤重金属的直接暴露对儿童所产生的健康风险应该受到研究者的重视。

  • 标签: 土壤 重金属 地统计学 健康风险 TIN模型 地理信息系统
  • 简介:基于微观相场模型,通过分析Ni75AlxV25-x合金在沉淀过程中D022(Ni3V)相沿[001]方向形成的有序畴界面的界面结构、界面迁移及界面成分,研究界面结构对界面迁移特征和溶质偏聚的影响。研究表明:D022相沿[100]方向形成4种有序畴界,界面的迁移性与界面结构有关,除具有L12相的局部特征的界面(001)//(002)之外,其余3种界面都可以迁移;在界面的迁移过程中,V原子跃迁至最近邻的Ni位置并置换Ni原子,反之亦然,即处在最近邻的Ni原子和V原子发生位置交换而导致界面迁移;在迁移过程中,原子的跃迁行为具有位置选择性,每种可迁移界面都按照特定的原子跃迁模式进行迁移;原子在跃迁过程中选择最优化的路径使得界面发生迁移,原子跃迁过程中的位置选择性使得界面在迁移前、后的结构保持不变;合金元素在界面处具有不同的贫化和偏聚倾向,在所有的界面处,Ni偏聚而V贫化,Al在界面(001)//(001)·1/2[100]处贫化在其他界面处偏聚;同种合金元素在不同界面处的偏聚和贫化程度不同。

  • 标签: 界面迁移特征 溶质偏聚 位置选择性 微观相场 有序畴界