简介:针对抗辐照SOIPMOS器件的直流特性与低频噪声特性展开试验与理论研究,分析离子注入工艺对PMOS器件电学性能的影响,并预测其稳定性的变化。首先,对离子注入前后PMOS器件的阈值电压、迁移率和亚阈摆幅进行提取。测量结果表明:埋氧化层离子注入后,器件背栅阈值电压由-43.39V变为-39.2V,空穴有效迁移率由127.37cm2/Vs降低为80.45cm2/Vs,亚阈摆幅由1.35V/dec增长为1.69V/dec;结合背栅阈值电压与亚阈摆幅的变化,提取得到埋氧化层内电子陷阱与背栅界面态数量的变化。随后,分析器件沟道电流噪声功率谱密度随频率、沟道电流的变化,提取γ因子与平带电压噪声功率谱密度,由此计算得到背栅界面附近的缺陷态密度。基于电荷隧穿机制,提取离子注入前后埋氧化层内陷阱态随空间分布的变化。最后,基于迁移率随机涨落机制,提取得到离子注入前后PMOS器件的平均霍格因子由6.19×10-5增长为2.07×10-2,这表明离子注入后器件背栅界面本征电性能与应力稳定性将变差。
简介:风廓线雷达大气湍流回波信号的识别常受到间歇性杂波的严重干扰。为了能够有效抑制并消除该类杂波,本文提出了基于线性时-频变换的间歇性杂波消除抑制算法。该算法采用具有线性时-频分布特性的短时傅里叶变换,获取雷达回波中杂波成分的调制频率参数,然后估计出相应分数阶傅里叶变换(FRFT)的最优阶数,最后再利用FRFT检测出杂波并对其抑制,通过信号重构回到时域,从而获取有效回波信号频谱。本文提出的方法与常规的FRFT最优阶数扫描法相比,将杂波检测二维搜索问题简化为一维峰值搜索问题,计算量大大降低。理论及计算机仿真表明,该方法效果明显,具有良好的工程应用前景。