简介：市场研究单位YoleDeveloppement（Yole）指出，碳化硅（SIC）电力电子产业发展具高度潜力，包括ROHM,Bombardier,Cree,SDK,STMicroelectronics,In-fineonTechnologies,Littelfuse,Ascatron等厂商都大力投入。Yole预测到2023年SiC功率半导体市场规模预计将达14亿美元，2016年至2023年间的复合成长率（CAGR）为28％，2020～2022年CAGR将进一步提升至40％。

简介：信息通信技术日新月异，对电信业传统语音业务的冲击愈发明显。有媒体援引报道称，谷歌将推出全新手机，并首次推出手机综合性服务，用户可以畅打免费电话，藉此对移动通信市场发起全面进攻。从全球范围来来看，手机互联网正在加快发展，手机的语音通话资费不断降低甚至免费。

简介：备受世界瞩目的2009年哥本哈根会议虽然未能达成任何具有法律约束力的协议,却已然在全球掀起一股热烈的"哥本哈根"环保风,"低碳经济"已成为当下社会各界最为关注的热门词汇。国务院总理温家宝在

简介：本文介绍了意法半导体公司（STMicroelectronics）首次提出的1200V/20A的SiCMOSFET,并与1200V常闭型SiCJFET（结型场效应晶体管）和1200VSiCBJT（双极结型晶体管）作了对比。我们全面比较了三种开关器件工作在T=25℃、电流变化范围1A～7A的动态特性,并在T=125℃、I_D=7A条件下做了快速评估。尽管SiCMOSFET的比通态电阻（Ron＊A）很高,但与另外两种器件相比仍被认为是最有前景的开关器件：SiCMOSFET的总动态损耗远远低于SiCBJT和常闭型SiCJFET,且驱动方案非常简单,因此在高频、高效功率转换领域中SiCMOSFET是最好的选择。

简介：近日,日本研究者着眼于绝缘栅双极型晶体管(IGBTs)在轻掺杂碳化硅材料中实现了少数载流子寿命的延长。这些新型产品有望实现超过10kV的高压条件下电力的传输和分配。器件一般需要较低电阻值和相对较厚的漂移层才能实现高压条件下的运行。而对于碳化硅材料,尤其p型碳化硅材料,漂移层电阻会受到少数载流子寿

简介：碳化硅[SiC]优越的材料性质为电力电子器件提供了比传统的硅基器件更优越的性能。最近开发了一种1200V、50A的SiCDMOSIrET已用于开关电路。在此基础上，又研制了一种1200V，550A完全用SiC的对偶模块。本文阐述其中每个开关用11个SiCDMOSFET和11个SiCJBS＊组成的先进对偶模块的实验特性。

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简介：76信息时代有一信息空间。这里闪耀着信息产业大大小小的子产业之星。茫茫星空J财富闪耀。如何在这蕴藏着3万亿财富的繁杂的星空面前拥有一双明亮一的眼睛寻找到最亮最有价值的财富新星并最终踏上探索财富新星的‘’勇气号敬请进入信息空间打开产业星系之图,它会为你展示一幅清晰的产业链条的财富星图。行业一产业星系产业星系>星系一:电子信息产品制造业计算机设备制造业黔二、卸璋衅(2004.3)一-~一,—--一一~一目.口口.日目价格不断下降将伴随着PC市场的增长。在未来的尸c市场中企业竞争的最重要的方面包括:1、持续能力;2、盈利能力;3、运营效率以及对客户的直接掌控能力。数据:占整个中国lT市场的30%以上的计算机系统市场在未来五年的增长率将达到14.斗%,到2008年其规模将超过2000亿元人民币。包括台式PC、笔记本电脑以及pC服务器在内的PC市场销量和销售收入的增长分别是行.5%和!49%。到2008年整个尸C市场的规模会达到1800亿。其中最大的亮点仍然是笔记本电脑,它到2。。8年将占整个PC市场销售收入的30%。尽管台式PC增长缓慢但市场规模巨大预计到2007年将有超过2000万台的市场规模。而包括尸C服务...

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简介：<正>碳化硅(SiC)功率器件领域的市场领先者科锐公司日前宣布推出第二代碳化硅MOSFET器件。相对于同等成本的基于硅器件的系统,科锐新型碳化硅MOSFET器件可实现更高的系统效率及更小的系统尺寸。全新科锐1200VMOSFET器件可提供业界领先的功率密度及转换效率,而每安培成本仅为上一

简介：综合评述诸如肖特基势垒二极管、pn结二极管、功率MOS、功率JFET、BJT、GTO、GCT以及功率模块等各种碳化硅电力电子器件研究开发的最新进展及其发展前景，指出碳化硅的优势不仅仅限于能提高功率开关器件的电压承受能力、高温承受能力和兼顾频率与功率的能力，还在于能大幅度降低器件的功率消耗，使电力电子技术的节能优势得以更加充分的发挥；文章还对碳化硅器件在电力电子领域特别是电力变换器方面的初步应用及开发情况也做了简略介绍。

简介：摘要碳素工具钢原料来源易取得，切削加工性良好，热处理后可以得到高硬度和高耐磨性。本文以T10钢为例研究碳素工具钢的性能。T10钢淬透性低，且耐热性差（250℃），在淬火加热时不易过热，仍保持细晶粒,韧性尚可，强度及耐磨性均较T7-T9高些，但热硬性低，淬透性仍然不高，淬火变形大。本文主要围绕T10的四组淬火处理实验及一组对比实验进行金相与硬度的对比。

简介：<正>美国研究者研制出一种基于碳化硅的雪崩光电二极管,对250-370nm的紫外波段敏感。可用此管进行室温单光子计数。此装置基于4H-SiC芯片设计,面积为160μm×160μm,以此装置与一紫外发光二极管同时用,测得的光子计数率为4.5MHz,量子效率在270nm处为最高。由鲁特格大学、哥达德航天中心与联合碳化硅公司联合研制。

简介：分析了利用灰度共生矩阵描述共晶碳化物图像的纹理特征，提出五个描述图片信息的纹理特征量，作为判断其级别的判据。并构造适合描述共晶碳化物的灰度共生矩阵。通过1-8级共晶碳化物的标准评级图片纹理特征参数的提取，随机选取已知级别的图片进行实验，预测结果与期望评定结果一致，可看出纹理分析方法对共晶碳化物的评级由人工目测转为机器定量分析具有一定的意义。

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简介：<正>日前,碳化硅（SiC）功率器件领域的市场领先者科锐公司宣布推出业界首款符合全面认证的可应用于电力电子模组的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSFET功率器件。科锐碳化硅ZFETTMMOSFET器件和二极管适用于高阶电力电子电路,与传统硅器件相比,可实现更高的能源效率。

简介：<正>经过近一年的推进工作,美国罗格斯大学赵建辉教授的第三代半导体碳化硅(SiC)外延及器件产业化项目,目前已确定落户中关村海淀园。该项目中试及初期生产场地最终确定在海淀东升科技园,目前已签订租赁协议。该项目致力于开拓第三代半导体碳化硅的全球市场,建设碳化硅半导体

简介：气密封装对采用裸芯片组装而成的多芯片组件至关重要,它可以让组件内部长期保持惰性气氛,降低元器件因湿气造成的环境失效。可伐材料是一种常用的封装材料,在微组装领域应用广泛。为弥补这种材料材料密度大、导热性能差的缺点,结构上选择铝碳化硅材料增强散热效果,同时达到减重的目的。采用低温钎焊工艺进行材料间连接,针对前期研制过程中出现的半密封检漏不合格问题进行分析,开展焊料选择、焊接参数优化工作,使半密封检漏漏率小于5×10-2Pa·cm3/s。

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