简介：在中学化学实验教学中，Fe（OH）2的制备参照了人教版高中化学1（必修）第三章第二节《几种重要的金属化合物》教学内容中制备Fe（OH）3的方法。该方法制备出的Fe（OH）2极易被空气氧化，学生难以观察到白色絮状沉淀-Fe（OH）2。本文通过对氢氧化亚铁制备的原演示实验进行了一定的改进，可以让学生观察到比较明显的实验现象。

简介：中国铁塔股份有限公司(简称中国铁塔)与老挝政府、克里克老挝市场咨询有限公司联合出资设立的东南亚铁塔有限责任公司在老挝首都万象正式挂牌运营。老挝人民革命党中央委员会总书记、国家主席本扬同日在会见中国铁塔董事长、总经理佟吉禄时表示,通信是非常重要的行业,祝贺东南亚铁塔公司成立,大力支持东南亚铁塔公司在老挝发展。老挝计划投资部等多部门负责人出席揭牌仪式。

简介：化学镀铜技术是印制电路中的重要部分,采用正交实验法研究了以次亚磷酸钠为还原剂添加亚鉄氰化钾的化学镀铜溶液,得到了的最佳参数和条件。镀液中添加亚铁氰化钾可以显著降低沉积速度,使镀层变得均匀致密,形貌得到改善,电阻率明显降低,镀层中镍的含量也有所降低。

简介：　　1前言　　对于MOS晶体管的栅氧化膜来说,按照高集成化、高性能化的比例要求,在采用0.35μm工艺技术的64MDRAM中,要求薄膜减薄到10nm,而在0.25μm的256MDRAM中则要减薄到8nm.对于高性能CMOS逻辑电路来说,在薄膜化方面的要求比DRAM还要早一个时代,对于0.25μm工艺来说,则要求使用6nm这样极薄的氧化膜.　　……

简介：本文要解答的问题是:1,二氧化碳雪清洗剂是怎样形成的?它与其它二氧化碳清洗剂有何不同?2,二氧化碳雪的清洗机理是怎样的?3,二氧化碳雪清洗剂有那些实际应用?4,使用二氧化碳雪清洗剂时应该注意那些问题?

简介：铜材料引线框架具有良好的导电导热性能，同时具备良好的机械性能和较低成本，但是由于框架和塑封料之间较差的粘结力在回流焊时容易造成封装体开裂。文章研究了铜框架氧化膜的特性，以及氧化膜对半导体封装的可靠性影响。根据试验，氧化膜会随着时间温度而增加，当氧气含量低于1％时增加缓慢。当氧化膜的厚度超过20nm时，塑封料与氧化铜之间的结合力就会显著下降，同时交界面的分层也会加剧。最后针对氧化膜厚度受控的产品做回流焊测试，确认是否有开裂，结果表明与结合力测试相符。氧化膜的厚度需要低于42．5nm，可以提高在reflow时的抗开裂性能。

简介：

简介：<正>在2012年12月于美国举行的"IEDM2012"上,被采用的4篇论文中,有2篇是有关氧化物半导体的成果。可以看出Si(硅)行业对该材料备受关注。氧化物半导体具有可在低温下制备、性能高且透明的特点,正在以高精细显示器的驱动晶体管为中心实现实用化,夏普于2012年针对液晶面板开始量产

简介：本文论述了氧化锌压敏电阻器的性能、应用及发展，提出了氧化镜压敏电阻器选用原则，简述了表面安装型氧化锌压敏电阻器的优点和发展趋势。

简介：气敏传感器在现代工农业、信息技术、环境监测等领域都有重要应用。随着这几个领域的发展，人类对其综合性能要求越来越强，进而不断积极改良气敏传感器的性能。金属氧化物气敏元件是利用金属氧化物半导体的表面电阻遇到被测气体发生变化的原理制成的电子器件，其选择性和稳定性是研究气敏元件的两项重要指标。文章概述了金属氧化物元件气敏特性的研究进展，介绍了基体材料、掺杂材料、气敏材料的制备工艺、电极材料及结构等几个因素对元件气敏特性的主要影响，并对各种因素的作用机理进行了分析。最后展望了金属氧化物气敏元件的发展前景。

简介：文章着重介绍高压水喷砂在汽车工业中的应用,结合工业企业的实际需求,运用现代自动控制技术,将繁琐、复杂的车体表面处理过程变得简单可行,生产效率大大提高,实现金属表面批量处理的流水线生产.

简介：<正>日本产业技术综合研究所日前发布消息说,他们通过自行开发的"大容量高纯度臭氧发生装置"生产出浓度高于90%的臭氧,并成功使用这种超高浓度的气体在400摄氏度较低温环境下制造出高品质的硅氧化膜。

简介：文章分析印制板碱性蚀刻前工艺水洗残留氢氧化钠对蚀刻速度的影响及原理,实验和实践结果表明,减少或避免氢氧化钠带入碱性蚀刻液可以保持蚀刻速率的均匀性和蚀刻液的稳定。

简介：探讨了二氧化硅表面处理后在覆铜板中的优化应用、工艺条件选择以及二氧化硅对覆铜板性能的影响和改进,初步探讨了添加二氧化硅填料后的FR-4覆铜板的热膨胀系数和孔壁树脂凹缩的改善.

简介：概述了黑氧化处理的问题点，利用蚀刻的铜箔粗化和替代黑氧化处理工艺的技术动向。

简介：液体二氧化碳是一种新的环保型清洗剂，应用在织物干洗上达到了较佳的清洗效果。本文介绍了液体二氧化碳溶剂的性能、洗涤原理和在干洗织物上的应用。

简介：在亚微米的半导体生产制造技术中，二氧化硅工艺中的颗粒污染会造成漏电流形成击穿电压，已经成为产品良率的主要影响因素。文章主要针对目前市面上流行的TELAlpha-8SE的立式APCVD二氧化硅炉管制造工艺中所遇到的颗粒污染问题进行研究。通过大量的对比性实验，进行排查与分析，并利用各种先进的实验设备和器材，炉管、高倍度电子扫描设备、先进的光学仪器和缺陷分析设备等，找到产生颗粒污染的原因，并且找到解决问题的方案。在减少机台停机时间的同时，提高了机台的使用率，而且改善了颗粒污染的状况，最终获得良率的提升，优化了制造工艺。

简介：<正>氧化物半导体的应用领域不仅局限于显示器驱动晶体管,现在还提出了在玻璃基板和柔性基板上集成使用氧化物半导体的透明运算电路等独特应用。不过,氧化物半导体存在难以实现CMOS电路的缺点,因为很难形成p型晶体管,以前推出的In-Ga-Zn-O晶体管全是n型。

简介：文章重点探讨了氢氧化铝（ATH）对覆铜板各项性能的影响及作用机理。适量的氢氧化铝能够改善产品的阻燃性,降低Z-CTE、提高产品的刚性和耐湿性等,但同时会对产品的耐热性以及耐碱性产生负面影响。

简介：Al掺杂ZnO（AZO）已被用来作为电子传输和空穴阻挡层倒有机太阳能电池（ioscs）。在本文中，偶氮结构，光学和结构特性和ioscs性能的影响作为一个功能的前驱体溶液浓度为0.1mol/L1mol/L时，我们证明了该装置用0.1mol/L的AZO缓冲层的前驱物浓度提高短路电流和填充因子ioscs同时。由此产生的设备显示，功率转换效率提高了35.6%，相对于1摩尔/升的设备，由于改善的表面形貌和透过率（300-400纳米）的偶氮缓冲层。