简介:多电平变换器作为一种应用于高压大功率变换场合的新型变换器,其电路拓扑和PWM控制方法是当前的一个研究热点。本文以中间直流电压源为同发点,发出了一种新的拓扑结构分类法,并对各种拓扑结构进行了分析和比较,同时给出了各种拓扑结构的优缺点。
简介:<正>英飞凌科技股份公司推出全新的650VCoolMOSTMC6/E6高性能功率MOSFET系列。该产品系列将现代超级结(SJ)器件的优势(如低导通电阻和低容性开关损耗)与轻松控制的开关行为及体二极管高牢固性融合在一起。基于同样的技术平台,C6器件针对易用性进行了优化,而E6器件则旨在提供最高效MOSFET系列。该产品系列将现代超级结(SJ)器件的优势(如低导通电阻和低容性开关损耗)与轻松控制的开关行为及体二极管高牢固性融合在一起。基于同样的技术平台,C6器件针对易用性进行了优化,而E6器件则旨在提供最高效率。CoolMOSTMC6/E6是来自英飞凌的第六代市场领先的高压超级结功率MOSFET。全新的650VCoolMOSTMC6/E6器件具备快速、可控的开关性能,适用于效率和功率密度是关键要求的应用。650VCoolMOSTMC6/E6器件易于应用,是各种高能效开关产品的理想之选,例如笔记本电脑适配器、太阳能逆变器和其他需要额外击穿电压裕量的开关电源(SMPS)产品。相对于CoolMOSTMC3650V系列,全新650VCoolMOSTMC6/E6器件输出电容(Eoss)的储电量降幅高达20%,而C6/E6器件经过改进的体二极管具备更高的硬换相耐受性,并可使反向恢复电荷降低约25%。得益于调谐栅极电阻的平衡设计,C6/E6器件的开关行为能够避免过高的电压和电流变化率。邹勉摘编
简介:国际功率半导体器件与功率集成电路会议(InternationalSymposiumonPowerSemiconductorDevicesandICs.,缩写为ISPSD)是美国电气与电子工程师协会主办的不带地区色彩的国际性学术会议。例如,2001年会议收到论文的地区分布比例为欧洲23%,北美25%,亚洲14%,日本38%。会议地点在北美、欧洲、日本三地轮流举行,每年依序更换,