简介：本文根据2004年国际功率半导体器件与功率集成电路会议(ISPSD’04)的论文内容对功率集成电路制造技术的近期发展进行了简单的概述。

简介：摘要在我国经济与社会快速发展的今天，我国电力电子技术在近些年也得到了较为长足的进步，而智能功率集成电路与功率半导体器件的完美组合，正是这一进步的最直观体现。本文就智能功率集成电路中功率半导体器件进行了深入研究，希望这一研究能够进一步推动我国电力电子技术的相关发展，早日实现智能功率集成系统大规模的推广应用。

简介：摘要：随着经济社会蓬勃发展，我国电力电子领域也获得了极大的发展机遇，智能功率集成电路及综合控制技术的进步，提高了电力技术在各行各业的应用效率，加之功率半导体器件的结合使用，增强了智能功率集成电路的性能，降低其运行条件，进一步起到节约生产成本、实现规模发展的作用。基于此，本文从功率半导体器件与智能功率集成电路概述，阐述了智能功率集成电路中功率半导体器件的实际应用，以期为我国后续电力技术的创新升级打下坚实基础。

简介：国际功率半导体器件与功率集成电路会议(InternationalSymposiumonPowerSemiconductorDevicesandICs．，缩写为ISPSD)是美国电气与电子工程师协会主办的不带地区色彩的国际性学术会议。例如，2001年会议收到论文的地区分布比例为欧洲23％，北美25％，亚洲14％，日本38％。会议地点在北美、欧洲、日本三地轮流举行，每年依序更换，

简介：摘要：功率集成电路是集成电路一个重要的支系，作为系统控制要素弱电与执行要素强电的纽带，在电子技术、智能控制、电器通信、车用电子等方面起着极其重要的作用。功率集成电路中的高压器件因为高压电流的性能需求始终是研究开发功率集成电路中的核心与难点，并直接关系到功率集成电路的发展。基于此，本文首先对功率集成电路高压器件进行了简单的介绍，并就功率集成电路中高压器件的设计展开了论述，最后对功率集成电路的未来发展趋势进行了分析。

简介：摘要：本文深入探讨了集成电路功率管理技术的研究与发展。首先影响集成电路功率消耗的因素。接着详细论述了当前主要的集成电路功率管理技术，包括动态电压频率调整、电源门控、多电压域设计等。同时指出了当前功率管理技术存在的问题。针对这些问题提出了相应的解决策略，最后对集成电路功率管理技术的未来发展趋势进行了展望。

简介：<正>00565ABalanced2WattCompactPHEMTPowerAmplifierMMICforKa-BandApplications/S.Chen,E.ReeseandK.S.Kong（TriQuintSemiconductor,USA）//2003IEEEMTT—sDigest.—847用TriQuint半导体厂的3次金属互连（3MI）0.25μm栅长PHEMT工艺设计和开发出一种Ka波段平衡小型功率放大器MMIC。这种100μmGaAs衬底平衡三级功率放大器的芯片尺寸为6.16mm2（2.8×2.2mm）,32GHz下1dB压缩点(P1dB)输出功率达

简介：摘要：当前，为解决由于标准缺失而导致的维预测性维护流程不清晰、预测模型构建不规范、关键参数选取标准不统一、导致预测结果不准确等问题，本文在分析集成电路封装关键设备远程预测性维护标准需求和国内外标准现状的基础上，开展集成电路封装关键设备远程运维预测性维护标准研究，包括基本流程要求、数据采集与处理要求、状态监测要求、故障模式识别要求、维修决策优化要求，并介绍了项目研究过程中突破的一些关键技术。

简介：摘要当前，电子信息技术领域在世界范围内得到了迅速的发展，其中，智能功率集成电路的综合控制能力在这一过程中起到了积极的促进作用。而功率半导体器件以其多样化的功能和稳定的物理性质与智能功率集成电路相结合，在电力电子技术领域发挥了重要的价值。笔者在概况介绍功率半导体器件与智能功率集成电路的基础上，就功率半导体器件在智能功率集成电路中的应用进行了具体的剖析，以求对进一步发挥功率半导体器件在电力电子技术发展中的作用，推动智能技术与绿色经济的发展。

简介：摘要：本文旨在探讨集成电路制造工艺的最新进展与未来趋势。随着科技的发展，集成电路技术已成为推动现代信息技术发展的核心力量。从纳米级制程到新材料应用，集成电路制造工艺不断突破极限，提高了芯片的性能和集成度。本文将详细介绍集成电路制造工艺中的光刻、蚀刻、离子注入等关键技术，以及极紫外光刻、堆叠晶体管等新兴技术，为相关领域的研究和产业发展提供参考。

简介：摘要：本文旨在探讨集成电路制造工艺的最新进展与未来趋势。随着科技的发展，集成电路技术已成为推动现代信息技术发展的核心力量。从纳米级制程到新材料应用，集成电路制造工艺不断突破极限，提高了芯片的性能和集成度。本文将详细介绍集成电路制造工艺中的光刻、蚀刻、离子注入等关键技术，以及极紫外光刻、堆叠晶体管等新兴技术，为相关领域的研究和产业发展提供参考。

简介：摘要：集成电路在我们日常生活中扮演着越来越重要的角色，而电子设备的工作环境是一个非常复杂的系统，在这个系统中，静电和电磁干扰是非常常见的问题。当电子设备被这些问题困扰时，静电放电（ESD）会导致电子设备发生故障甚至损坏。在许多情况下，静电放电对集成电路产生干扰，如信号完整性问题和逻辑电路错误。为了防止这些问题对电路造成严重损害，有必要了解ESD的基本原理并掌握，同时做好防护措施。本文将从静电放电的基本原理和基本防护措施两个方面入手，详细介绍集成电路ESD防护措施。

简介：摘要当今社会已进入信息技术时代，集成电路已经被广泛应用于各个领域，典型的集成电路制造过程可表示如下

简介：

简介：CMOS制程是现今集成电路产品所采用的主流制程。闩锁效应（Latch—up）是指CMOS器件中寄生硅控整流器（SCR）被触发导通后，所引发的正反馈过电流现象。过电流的持续增加将使集成电路产品烧毁.闩锁效应已成为cMOS集成电路在实际应用中主要失效的原因之一。在国际上，EI～JEDEC协会在1997年也制订出了半静态的闩锁效应测量标准，但只作为草案，并没有正式作为标准公布，我们国家在这方面还没有一个统一的测量标准，大家都是在JEDEC标；住的指导下进行测量。文章针对目前国际上通行的闩锁效应测试方法作一个简要的介绍和研究。

简介：摘要：看现代信息技术社会，发展的核心还是现代微电子科技，0.5硅导电材料仍以现代微电子科技为主。大直径单晶硅面板的生产是进一步集成集成电路的基石，如何有效控制其差异点，二级缺口仍有待克服重大技术挑战。大型集成电路的科技生产是发展中的技术，只有掌握最先进的技术才能在国际竞争中占据国际市场。但是，由于缺少一些材料，新元件设计技术的原理和0.5导体的先进新技术的开发仍在探索之中，集成电路制造技术的水平也将继续提高到新的水平。笔者结合自身多年工作经验，本次主要针对集成电路制造工艺探析，展开深入论述，所得文献与同行业人员共享，望对行业的前进起到一定的促进作用。

简介：摘要：看现代信息技术社会，发展的核心还是现代微电子科技，0.5硅导电材料仍以现代微电子科技为主。大直径单晶硅面板的生产是进一步集成集成电路的基石，如何有效控制其差异点，二级缺口仍有待克服重大技术挑战。大型集成电路的科技生产是发展中的技术，只有掌握最先进的技术才能在国际竞争中占据国际市场。但是，由于缺少一些材料，新元件设计技术的原理和0.5导体的先进新技术的开发仍在探索之中，集成电路制造技术的水平也将继续提高到新的水平。笔者结合自身多年工作经验，本次主要针对集成电路制造工艺探析，展开深入论述，所得文献与同行业人员共享，望对行业的前进起到一定的促进作用。

简介：摘要：在现代电子设备的发展中，集成电路扮演着至关重要的角色。从微处理器到移动设备，从通信系统到嵌入式系统，都需要高度复杂且性能卓越的VLSI电路来实现各种功能。因此，VLSI电路设计与集成电路优化成为了确保电子产品性能和功能的关键。VLSI电路设计的核心任务包括将高级逻辑功能描述转化为门级电路，并在考虑时序、功耗和面积等因素的情况下进行优化。这需要采用各种工具和技术，如逻辑综合、布局设计和布线设计。同时，电路的时序特性需要特别关注，以确保电路在指定的时钟频率下正常工作。电路的功耗也是一个重要的考虑因素。随着移动设备的普及，低功耗设计成为了迫切需求。通过电源管理、电压频率调整和逻辑优化等技术，工程师可以降低电路的功耗，延长电池寿命。此外，电路的面积也需要最小化，以降低制造成本。面积优化方法包括逻辑重用、共享逻辑资源和多核设计，以确保芯片的物理布局紧凑而高效。最后，电路设计还需要考虑制造工艺的可行性和电路的可靠性。制造工艺的不完美性和变化会影响电路的性能，因此需要进行适当的工艺控制和优化。同时，电路设计也应考虑到故障容忍性，以确保电路在面对不可避免的故障情况时仍能正常运行。

简介：本文从分析晶体管的热过程入手,得出了晶体管的热阻Rt与最大允许集电极耗散功率Pcm的关系式.再通过对晶体管散热途径的分析及前面所得的关系式,得出了大功率晶体管及集成电路为什么要安装散热器.这种分析方法逻辑合理,过程清楚,理论充分,这种分析方法以前是没有的.

简介：摘要：随着社会的发展，数字经济时代的底层支撑，集成电路在国际大国竞争的背景下越来越具有战略性质。在中美战略博弈、新冠疫情和地缘政治环境变化等多重因素叠加作用下，实现集成电路产业的供应链安全和弹性成为各方竞争的焦点。针对国际和国内新形势深刻演变，推进我国集成电路产业高质量发展，成为新时期的鲜明主题。