简介:强激光在冕区等离子体中传播到临界面附近生成相对论电子和相对论电子束流在随后较长一段稠密等离子体区的能量传输是快点火中的关键问题。对快点火条件下的激光等离子体参数,临界面附近产生的前向快电子电流往往超过阿尔芬极限电流,必须在稠密等离子体中产生中和回流,快电子流才能在稠密等离子体中向前输运。横向电磁不稳定性(类Weibel不稳定性,WI)和纵向静电双流不稳定性(TSI)很容易在这种电子双流体系中激发,前向电子束会被调制或成丝状结构,同时激发电磁场,粒子部分动能会转化为电磁场能量。不稳定性在非线性饱和后,发生电流丝的合并、磁场重联等过程,部分电磁场能量会再转化为粒子能量,表现为对离子体的横向加热。Weibel不稳定性的作用可能形成围绕传播电子束的磁通道,对快电子的定向和准直传播是重要的。TSI激发的纵向静电场对磁场通道会有明显的调制甚至破坏作用,直接影响高能电子流从激光吸收区到燃料压缩区的准直传播。
简介:利用FLUKA程序模拟计算了高能质子束打靶产生仿真大气中子束流时,靶材料、靶结构及入射质子能量对中子能谱的影响。结果表明,选择重金属铅或钨作为散裂靶材,不仅中子产额较大,而且当质子能量大于3GeV且在引出方向与质子入射方向夹角为30°时,中子能谱更接近标准大气中子能谱。对中国散裂中子源(ChinaSpallationNeutronSource,CSNS)第1靶站产生的白光中子束流能谱计算表明,该能谱适于开展仿真大气中子在半导体存储器件中引起的软错误试验研究;同时,就能谱形状而言,未来CSNS第2靶站在引出方向与质子入射方向夹角为30°和15°的两条白光中子束线,更适合开展与大气中子束流相关的存储芯片和高集成电路的单粒子效应研究。
简介:针对O型高功率微波产生器件采用的无箔二极管结构,在引导磁场为0.6T的条件下,研究了二极管电压、电流、阴阳极间距、漂移管管头倾角和阳极半径等参数对电子束包络的影响。结果显示:阴极附近和漂移管内部的电子束包络随二极管参数的变化规律有明显差异,阴极附近电子束包络幅值较小并不能确保漂移管内部电子束包络幅值较小;适当增大二极管阻抗有助于减小漂移管内电子束包络幅值;受电子束径向运动的空间周期性影响,漂移管内部的电子束包络幅值随阴阳极间距增大会出现振荡变化;漂移管管头倾角超过90°后,管头倾角对电子束包络幅值影响很小;当阳极半径明显大于阴阳极间距时,阳极半径对漂移管内电子束包络幅值的影响也较小。通过合理优化二极管参数,可以有效减小电子束包络幅值,这是低磁场O型高功率微波器件稳定工作的重要基础。