简介:本文介绍了意法半导体公司(STMicroelectronics)首次提出的1200V/20A的SiCMOSFET,并与1200V常闭型SiCJFET(结型场效应晶体管)和1200VSiCBJT(双极结型晶体管)作了对比。我们全面比较了三种开关器件工作在T=25℃、电流变化范围1A~7A的动态特性,并在T=125℃、I_D=7A条件下做了快速评估。尽管SiCMOSFET的比通态电阻(Ron*A)很高,但与另外两种器件相比仍被认为是最有前景的开关器件:SiCMOSFET的总动态损耗远远低于SiCBJT和常闭型SiCJFET,且驱动方案非常简单,因此在高频、高效功率转换领域中SiCMOSFET是最好的选择。
简介:从碳化硅(SiC)功率半导体器件的等效电路入手,分别讨论了碳化硅肖特基二极管(SiCSBD)与碳化硅结型场效应功率晶体管(SiCJFET)的稳态与暂态特性。分析并解决了碳化硅器件开通电压与驱动电压不匹配的问题,设计了一种SiCJEFT功率开关器件的驱动电路。实验结果表明,SiC新器件具有良好的开关特性,驱动电路可以有效驱动SiCJFET器件。
简介:歧口凹陷位于大港油田黄骅坳陷的中北部,其埋深大干3000m的古近系低孔低渗储集层分布广泛,勘探程度低,潜在的油气资源丰富,是现今乃至今后几年油气勘探的重点领域。低孔低渗储集层成固及控制因素研究对歧口富油气区域的勘探意义重大。从大量基础岩石物理实验数据出发,通过对低孔低渗储集层与深度、层系、岩性及沉积相带等关系进行分析,认为歧口凹陷低孔低渗储集层成因机理是由储集层岩石矿物成分、沉积相带、压实作用、成岩作用等因素共同控制,在低孔低渗储集层评价中要特别重视沉积相带的变化,重视胶结物的性质和成岩作用,可以提高低孔低渗储集层有效性分析和油气层评价成功率。
简介:每一个PCB企业都有属于自己的”中国梦”,新一代企业尤其是大量的中小PCB企业不仅敢想敢干,更重要的是他们重视科技、重视创新。他们对“科学技术是第一生产力”的切实践行,对创新的极致追求,为中国梦注入了新的内涵。做制造业很艰辛,但这是我们的根基。面临全球经济新的挑战,无论是元老企业,还是后起之秀,都在寻找产业升级之路。与时俱进,积极通过革新技术、精益化管理,关注新兴细分市场,推进转型升级、做强做大,更多的PCB企业正在涅磐新生。在激烈的竞争中生存,在危机与变革中发展,国内PCB企业无论是从市场定位还是自身竞争力,都各自独具特色,他们或以技术领先、或以精益生产形成竞争力、还有清晰定位、管理出效益、深耕细分市场……已成为中国PCB产业的坚守者与生力军。为数众多的国内PCB企业,肩负使命、担当责任、创造财富、富民强国,他们正在朝着实现“中国梦”的方向前进。感谢这些国内PCB企业,让我们对产业的“中国梦”有了更多的期待。