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  • 简介:摘要:空气负离子在医学界被称为“空气维生素”或“长寿素”,杀菌、除尘、负离子浓度对多种细菌的生长繁殖起到抑制作用,对人体健康有着重要作用,与大气污染密切的负相关关系也越来越受到学者的关注,学者对负离子的研究主要是环境内空气负离子水平和分布,空气负离子浓度本文基于大气负离子优势分析展开论述。

  • 标签: 大气 负氧离子 优势分析
  • 简介:本文报导的高锰酸根半导体传感器(简称MnO4-—ISFET)是以乙基紫—MnO4-缔合物为电活性物质的化学半导体传感器。它是我们在研制钾离子敏感半导体传感器的基础上发展起来的又一化学半导体传感器,是传统的离子选择性电极和场效应晶体管相结合的产物。不仅工艺简单,并且具有半导体传感器的固有特点,如微型化、

  • 标签: 半导体传感器 PVC 高锰酸根 离子缔合 离子选择性电极 电活性物质
  • 简介:致密离子导体陶瓷透膜,在特定温度条件下对具有渗透选择性,可以从空气或其他含氧气氛中连续分离超高纯度氧气(理论上纯度为100%,实际测量纯度不低于99.99%)。将氧气分离与需工业(如低碳烃类的选择氧化和制氢反应)耦合在膜反应器内,可大幅简化运行单元,降低天然气制油(GTL)投资成本,具有显著开发优势。

  • 标签: 透氧膜 混合导体 陶瓷 连续分离 氧离子导体 渗透选择性
  • 简介:介绍了钝化离子注入半导体探测器的工作原理和制备工艺,两种探测器制备的灵敏面积分别为10mm^2和25mm^2,辐射性能测试实验结果表明该探测器具有响应线性度好、噪声低、偏压低等优点,反向偏压为3V时,剂量率监测范围为:1×10^-3~1×10^3cGy/h.

  • 标签: 钝化离子注入半导体探测器 工作原理 制备工艺 辐射场监测
  • 简介:摘要本文简要论述了负离子监测技术与方法,并着重探讨了主要景区负离子监测结果,后针对阿尔山市负离子开发应用提出可行性建议,仅供参考。

  • 标签: 阿尔山市 负氧离子 监测
  • 简介:养生健身延年益寿洞林山水生态环境+高负离子养生环境+野生红豆杉氛围环境红果树景区最近经贵州科学院组织专家在此实地检测,这里是高负离子环境区,负离子环境值平均达6—10万/立方,瞬间值达40万/立方。这种高负离子环境,堪称当前国内最理想的养生胜地。

  • 标签: 养生胜地 树高 红果树
  • 简介:利用对角和法则,导出了类离子非相对论基态能量解析表达式。在考虑了电子间交换相互作用以及内外壳层电子的不同屏蔽效应的基础上,利用变分原理确定了类离子基态各电子的波函数.并进一步计算了类离子基态的不同光谱项的能量值,计算结果与实验数据,误差均小于0.5%。

  • 标签: 氧原子 基态能量 变分法
  • 简介:摘要当前,我国微电子封装材料行业,绝大邠的封装材料都是环塑封,因为这种材料特有的成本低,工艺简单,适合量化等优点的存在,所以在各种半导体器件和集成电路中都有极其广泛的使用,这也就意味着环塑封材料出现在了汽车,军事,建筑等等各个领域,目前,环塑封材料正在迎来其空前的发展机遇,但是,由于其当前的技术水平还不能够完全满足封装的要求,所以也是在面对着极大的挑战,如何抓住机遇,迎接挑战是环塑封需要解决的一大问题。

  • 标签: 环氧塑封 半导体 分装
  • 简介:摘要:环模塑料是用于半导体封装的热固性化学材料的一种,不同材料的使用能够决定半导体封装性能。环模塑料具有生产效率高以及成本较低的优势,是现阶段半导体塑料封装形式中使用较多的材料。基于此,本文对环模塑料以及该材料在半导体封装中的应用进行探讨。

  • 标签: 环氧模塑料 半导体 封装技术 应用
  • 简介:摘要:环模塑料是用于半导体封装的热固性化学材料的一种,不同材料的使用能够决定半导体封装性能。环模塑料具有生产效率高以及成本较低的优势,是现阶段半导体塑料封装形式中使用较多的材料。基于此,本文对环模塑料以及该材料在半导体封装中的应用进行探讨。

  • 标签: 环氧模塑料 半导体 封装技术 应用
  • 简介:在研发一套基于0.18μm工艺的全新半导体芯片时,由于芯片工艺的要求我们将标准0.18μm工艺流程中的接触孔蚀刻阻挡层由原来的UVSIN+SION改为SIN,但却引进了PID(等离子体损伤)的问题。当芯片的关键尺寸减小到0.18μm时,栅氧化层变得更薄,对等离子体的损伤也变得更加敏感。所以如何改善PID也成为这款芯片能否成功量产的重要攻坚对象。这一失效来源于接触孔阻挡层的改变,于是将改善PID的重点放在接触孔蚀刻阻挡层之后即后段工艺上。后段的通孔蚀刻及钝化层的高密度等离子体淀积会产生较严重的等离子体损伤,因此如何改善这两步工艺以减少等离子体损伤便成为重中之重。文中通过实验验证了关闭通孔过蚀刻中的磁场以及减小钝化层的高密度等离子体淀积中的溅射刻蚀功率可以有效改善芯片的等离子体损伤。通过这两处的工艺优化,使得PID处于可控范围内,保证了量产的芯片质量。

  • 标签: 半导体技术 等离子体损伤 通孔蚀刻 高密度等离子体淀积
  • 简介:摘要:本文综述了单离子导体聚合物固态电解质的性能特点和研发进展,主要内容包括聚合物固态电解质的特点、单离子导体聚合物电解质的优劣势与材料性能要求,以及不同单离子导体聚合物电解质材料的性质、对应的固态电池应用与研发进展,并分析了单离子导体聚合物固态电解质的未来研发趋势,并阐述其在新能源领域未来规模化应用的发展愿景。

  • 标签: 单离子导体 聚合物固态电解质 锂电池
  • 简介:摘要:利用会昌县两套负离子监测站2021年6月~2022年5月的大气负离子浓度资料和同站点同期的地面气象观测资料对会昌县大气负离子浓度变化特征及负离子浓度与气象要素的关系进行分析,结果表明:汉仙岩风景区大气负离子浓度的四季变化不大,呈春季>夏季>冬季>秋季分布;会昌县城郊大气负离子浓度四季变化较大,呈冬季>春季>秋季>夏季分布,汉仙岩景区的大气负离子浓度在夏季和春季相对城郊更高;汉仙岩风景区大气负离子浓度逐月波动起伏比城郊小;两个地点的负离子浓度在一天的不同时次均表现为两峰两谷的形势,城郊早晨的负离子浓度最高,汉仙岩风景区傍晚前后的负离子浓度最高,冬季的日变化波动最小;在长时间序列下大气负离子浓度与气象要素的相关性表现不太明显,但是降水强度对大气负离子浓度有明显的影响,出现短时强降水时负离子浓度能够快速增加,随着降水的停止也会快速降低。

  • 标签: 负氧离子 汉仙岩风景区 气象因素 短时强降水
  • 简介:建立了考虑外部有限速率传热过程和热源间热漏的不可逆半导体固态热离子制冷器模型,基于非平衡热力学和有限时间热力学理论导出了热离子制冷器的制冷率和制冷系数的表达式;对比分析了不可逆热离子制冷器与可逆热离子制冷器的发射电流密度特性、电极温度特性以及制冷系数特性;研究了不可逆系统的制冷率与制冷系数最优性能,得到了制冷率和制冷系数的最优运行区间;通过数值计算,详细讨论了外部传热以及内部导热、热源间热漏损失、热源温度、外加电压、半导体材料势垒等设计参数对热离子装置性能的影响。在总传热面积一定的条件下,进一步优化了高、低温侧换热器的面积分配以获得最佳的制冷率和制冷系数特性。结果表明,由于存在内部和外部的不可逆性,热离子装置的发射电流密度及制冷系数都会明显降低;不可逆半导体固态热离子制冷器的制冷率与制冷系数特性呈扭叶型;合理地选外加电压、势垒等参数,可以使制冷器设计于最大制冷率或最大制冷系数的状态。

  • 标签: 不可逆热离子制冷器 制冷率 制冷系数 有限时间热力学 性能优化
  • 简介:摘要:开展主要景区负离子资源普查,为挖掘高质量的生态旅游气候资源提供数据支撑,这是贯彻国家生态文明建设和乡村振兴战略一项创新举措。本文作者在两年时间里,利用便携式负离子监测仪对马鞍山市主要景区的负离子进行现场监测,并进行一定的数据分析,为马鞍山市气候资源开发利用、生态旅游以及天然吧等提供科学数据支撑。

  • 标签: 负氧离子 监测 普查 分析
  • 简介:介绍了一种测定大米、黄豆、面粉等食品中氟含量的快速方法.首先利用弹燃烧技术对样品进行预处理,将氟转化为氟化氢,用碱液吸收燃烧产物,吸收液加入TISAB消除Al3+、Fe3+等离子干扰,调节溶液pH值在5~8后进行定容,然后用氟离子选择性电极用标准加入法测定溶液的电势,从而测得有机物中氟的含量,线性范围在1~10-6mol·L-1时,回收率96.4%~102.5%.

  • 标签: 氧弹 定容 燃烧产物 碱液 吸收液 氟化氢
  • 简介:摘要空气负离子浓度多少,是空气清新与否的重要标志。通过对河北省唐山市区(平原,平均海拔23.2m)和四川省阿坝州若尔盖县城(高原,平均海拔3441.4m)负离子浓度定点及代表性区域检测得知,唐山市负离子浓度平均为1500n/cm3左右,属空气较清新宜居城市,且环城水系建设使整个唐山市区负离子浓度明显上升。若尔盖县城附近负离子浓度平均为1200n/cm3左右,低海拔农区负离子浓度平均为2500n/cm3左右,表现出人体清新度相同而实际负离子含量相差较大现象,负离子偏少因高原季节性影响突出,若尔盖大草原环境优化和丛林植被延伸是增加本县城负离子数量的最有效途径。

  • 标签: 地域 负氧离子 浓度 检测 空气质量
  • 简介:利用2008—2009年大连市逐日负离子实况资料,分析了负离子季、月和日变化特征及其与相关气象要素的关系。结果表明:大连市负离子浓度具有明显的季节变化,冬季最大,夏季最小;而气温和PM10等是影响大连市负离子浓度的关键因素。运用逐步回归方法,求得各季节负离子的预报方程,实现了预报的定量化。经检验,预报方程效果显著,在预报业务中具有参考价值。

  • 标签: 负氧离子浓度 气象因子 预测模型 预报检验
  • 简介:采用脉冲放电的方式,获得低输入能条件下半导体桥等离子体的光电信号,实验研究了放电电压为18V、充电电容为47μF和放电电压为57V、充电电容为4.7μF的两种输入能相同的发火条件下半导体桥等离子体放电特性。结果表明,低输入能量条件下,小电容大电压容易完成桥膜物理形态的转变,等离子体后期放电开始的时间早,且持续时间长,但是由于消耗在桥上的能量比较多,得到的等离子体温度并不高。

  • 标签: 半导体桥 等离子体 放电脉冲