简介:摘要:碳化硅(SiC)作为第三代宽禁带半导体材料,具有良好的热导性、宽带隙、大击穿电场等优良特性,被广泛应用于高温、高频、大功率等电子器件上。但是由于碳化硅具有很高的硬度和化学稳定性,Si-C键合能较大导致湿法刻蚀无法达到要求,因此针对深孔或高台阶刻蚀多采用感应耦合等离子体(ICP)对SiC进行刻蚀,目前研究人员系统研究了ICP刻蚀条件、气体组成等各种工艺条件对SiC刻蚀的影响;其中镍作为刻蚀掩膜层被广泛应用在刻蚀SiC中,因此镍的耐刻蚀性很重要,在一定程度上决定了刻蚀过程中的SiC/Ni的选择比(SiC刻蚀量与Ni刻蚀量的比值),在同等刻蚀条件下,镍消耗少,SiC/Ni的选择比就高,则所需镍层就薄,从而减少了工艺时间,提高了工艺效率。
简介:摘要:现阶段的工业生产加工技术不断完善,电子电镀技术的应用,得到了很多企业的认可,但是在技术操作的过程中电镀纯锡层的把控难度比较高,容易出现质量问题,这对于工业发展和产品优化,反而造成了一定的阻碍。电镀纯锡层的质量问题并不是偶然出现的,是因为多种原因造成的,其中包括材料原因、技术操作原因、环境原因等等,针对电镀纯锡层的问题解决,要结合不同的原因影响,逐步完善电子电镀技术方案,对电镀纯锡层的外观质量、内部参数进行系统化的调整,结合产品的生产加工诉求进行不断的革新,这样才能在未来的工作中得到较大的突破。电镀纯锡层的质量问题解决时,还要加强材料的优化,坚持在加工制作的过程中优化材料搭配方案,创新技术操作标准,由此将电镀纯锡层的优良效果充分的发挥出来。