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500 个结果
  • 作者: 邱忠
  • 学科: 文化科学 > 学前教育学
  • 创建时间:2008-12-22
  • 出处:《当代教育之窗》 2008年第12期
  • 机构:【摘要】本文主要阐述金属导体导电时的三个速率,即金属导体中自由电子定向移动的平均速率、热运动平均速率以及电流传播的速率。结论:自由电子的定向移动平均速率很小,热运动的平均速率很大,而电流传播的速率更大,三者无必然联系。
  • 简介:伴随着现在激光加工工艺不断深入与创新,在切割领域应用半导体激光具备加工速度快、精度高、参数设置简单等明显优势,成为大批量切割加工的选择。当前在半导体激光的切割应用中,激光切割的研究主要集中在CO2激光和光纤激光对金属板的切割。为了提升半导体激光切割的效率和效果,本文对一种大功率半导体激光切割金属薄板的切割实验进行分析,以供参考。

  • 标签: 半导体激光 金属薄板 切割工艺
  • 简介:摘要本文首先介绍了半导体芯片行业用金属溅射靶材的应用、溅射原理以及靶材分类,随后对各种溅射靶材的特性和应用进行了详细描述,然后对国内外主要的7家半导体芯片用溅射靶材生产企业的行业地位、发展现状、优势产品及其市场份额进行了全面分析总结。

  • 标签: 半导体靶材 供应格局市场分析
  • 简介:<正>中科大日前发布消息,该校熊宇杰教授课题组通过与江俊教授、张群副教授在材料设计与合成、理论模拟和先进表征中的"三位一体化"合作,在光催化复合材料设计方面取得系列新进展,成果发表在国际著名期刊《先进材料》上。每种特定的材料一般都具有某方面独特的性能及优势,材料的复合是突破单一材料性能瓶颈的有效途径。具体到光催化体系,复合材料中不同组成单元可以扮演产生及分离电荷、吸附活化分子等各种重要角色。然而,事实上复合

  • 标签: 复合材料设计 光催化体系 石墨烯 性能瓶颈 叠层结构 江俊
  • 简介:密歇根大学安娜堡分校报告说,他们的化学家发明了一种室温下从水中同时合成和沉积锗晶体半导体膜的方法,使用组装的设备仅需几美元。

  • 标签: 半导体膜 氧化锗 金属膜 结晶 制造 溶解
  • 简介:采用辊到辊方式利用金属有机沉积(MOD)技术在双轴织构的NiW合金基带上制备了烧绿石结构的La2Zr2O7(LZO)缓冲层长带样品,利用X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)对长带样品不同部位截取短样的织构和表面形貌进行了分析.结果表明,已经制得了具有良好c轴织构且表面光滑的LZO膜.然而长带样品的织构锐利度小于静态短样的织构度,可以认为,热处理过程中影响升温速率以及恒温热处理时间的走带速度是获得高质量长带缓冲层样品的关键因素.

  • 标签: LA2ZR2O7 金属有机沉积 织构 表面形貌 涂层导体 缓冲层
  • 简介:中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室许智、王文龙、白雪冬、王恩哥等人提出了一种新的方法,在生长单壁碳纳米管过程中,原位进行硼(B)、氮(N)共掺杂,实验和理论研究发现,硼、氮共掺杂使金属性碳纳米管转变为半导体。该工作得到了国家科技部、中科院和同家自然科学基金委的资助。本相关研究结果发表在近期的AdvancedMaterials20,3615(2008)上。AsiaMaterials对该成果以标题“Dopingcarbonnanotubes”作为研究亮点进行了报道。

  • 标签: 单壁碳纳米管 共掺杂 半导体 金属性 中国科学院物理研究所 国家实验室
  • 简介:摘要:本文采用密度泛函理论和含时密度泛函理论,分别计算研究了量子点团簇(CdSe)N (N = 6、13和19)和过渡金属掺杂量子点团簇CdN-1SeNV、CdN-2SeNV2(N = 6、13和19)的结构和光学性质,探讨了过渡金属掺杂比例和量子点尺寸效应对结构和紫外可见吸收光谱的影响。为制备稀磁半导体提供理论依据。

  • 标签:
  • 简介:摘要随着国民经济的发展跟城网供电电压等级升高,交联聚乙烯电缆凭借合理的结构、工艺、优良的电气性能等优点,在国内外被越来越广泛的使用。但随着电缆用量的不断增大,各种问题逐渐引起人们的关注,如导体电阻的测量,在生产成本方面,电线电缆的主要投入都在铜导体的使用上,电阻值的高低对于居民的生活影响,对于整个社会发展影响巨大,所以导体电阻的测量显得尤为重要。

  • 标签: 导体电阻 直流电阻 交流电阻 集肤效应
  • 简介:得可加强精益团队建设让客户期待更多(中国上海,2010年7月22日)得可日前宣布,委任精益六西格玛黑带师宗亮小姐为业务改善工程师。这位新成员将加入得可质量部,主要负责精益业务改善计划,以此提高全公司的效益,除此之外,她还将扩展中国和英国的质量管理系统,让这些地区的客户能"期待更多"。

  • 标签: 半导体新闻
  • 简介:2018年3月5日,《自然》(Nature)期刊连发两篇文章:将两层只有原子厚的石墨烯以特别的角度(1.1度,被称为“魔角冶)偏移时,材料就能在零电阻下导电.尽管该系统仍然需要被冷却至1.7K(1.7开尔文,约零下271摄氏度),但结果表明了它或许可以像已知的高温超导体那样导电.

  • 标签: 高温超导体 《自然》 开尔文 零电阻 摄氏度 导电
  • 简介:飞兆半导体推出全新1200VFIELDSTOPTRENCHIGBT系列器件;MIPS科技推出嵌入式市场的多线程、多处理器IP核;NEC电子新款数字电视用系统芯片亮相中国市场。

  • 标签: 半导体 IC 中国市场 STOP IGBT 系统芯片
  • 简介:摘 要  通过对扇形铜导体、圆型铜导体截面和直流电阻的检测比较,对使用扇形铜导体、圆型铜导体电缆的结构、材料成本、工艺的复杂性进行比较分析,基于在何种条件下采用哪种形式的导体,对电缆的成本更具优势。

  • 标签:   扇形铜导体  圆形铜导体结构  成本
  • 简介:安森美半导体和Catalyst半导体宣布,已签订安森美半导体收购Catalyst半导体的正式合并协议,交易将全部以股票支付,Catalyst股东每持有1股普通股将获得0.706股安森美半导体普通股。此项交易的股票价值约为1.15亿美元,企业价值约为0.85亿美元。

  • 标签: CATALYST 安森美半导体 股票交易 收购 企业价值
  • 简介:<正>目前,全球半导体需求以前所未有的趋势节节高涨,预计全球半导体厂商今年内将投资180亿美元用于建立新厂及扩厂。但据业界人士估计,半导体厂商若要充分供应日益紧张的需求,还须在未来五至六年内投资1500亿美元,成本过高,致使许多小厂商无力投资,因此,半导体供应吃紧的状况将持续到本世纪结束。而这场世纪科技大战的主要竞争者将只剩下摩托罗拉、英特尔及韩国、日本、台湾等国和地区的超级半导体厂商。半导体业的竞争局面从未像今天这样明朗:有钱投资,才能竞争优势。

  • 标签: 半导体市场 半导体业 韩国 日本 竞争者 英特尔公司
  • 简介:文章回顾了我国电缆导体的演变历程,以现行标准为依据,剖析铜和铝合金电缆损耗的差异源自电阻,虽然电阻值相差不大,但寿命期内的总损耗差不容小觑。

  • 标签: 导体 铝合金
  • 简介:经过6年时间,4个发行版,苹果终于完成了向64位的迁移,并随着SnowLeopard的发布推出了解决并行编程问题的GrandCentralDispatch(简称GCD)技术,释放了多核系统的潜力。

  • 标签: 半导体 CENTRAL GRAND 并行编程 核系统