简介:摘要:本文采用密度泛函理论和含时密度泛函理论,分别计算研究了量子点团簇(CdSe)N (N = 6、13和19)和过渡金属掺杂量子点团簇CdN-1SeNV、CdN-2SeNV2(N = 6、13和19)的结构和光学性质,探讨了过渡金属掺杂比例和量子点尺寸效应对结构和紫外可见吸收光谱的影响。为制备稀磁半导体提供理论依据。
简介:得可加强精益团队建设让客户期待更多(中国上海,2010年7月22日)得可日前宣布,委任精益六西格玛黑带师宗亮小姐为业务改善工程师。这位新成员将加入得可质量部,主要负责精益业务改善计划,以此提高全公司的效益,除此之外,她还将扩展中国和英国的质量管理系统,让这些地区的客户能"期待更多"。
简介:摘 要 通过对扇形铜导体、圆型铜导体截面和直流电阻的检测比较,对使用扇形铜导体、圆型铜导体电缆的结构、材料成本、工艺的复杂性进行比较分析,基于在何种条件下采用哪种形式的导体,对电缆的成本更具优势。
简介:摘要本文回顾了HfO2及其MOS结构的辐照损伤效应研究进展,介绍了HfO2/Si系统的本征特性及其在辐照作用下的陷阱电荷特性及物理化学特性研究的主要成果。