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  • 简介:丹佛斯携全球领先的能效及基础设施领域产品、解决方案亮相由哥本哈根市政府及丹麦王国驻华大使馆共同举办的“走进丹麦生活”主题展览,与其他知名丹麦企业共同展示了丹麦绿色、可持续的城市规划、建筑、基础设施以及生活方式。

  • 标签: 生活方式 丹麦 基础设施 哥本哈根 城市规划 大使馆
  • 简介:本文介绍了采用Soft-Skip开关模式以降低电源待机功耗的原理。这种待机状态下的开关模式可以有效降低因开关频率过低产生的音频噪声,并且可以对进入Soft-Skip模式的电平进行调整以适应不同的负载需求。最后,试制了一台输出为12V/5A的反激电源对这种待机模式进行验证。

  • 标签: 待机噪声 Soft-skip模式 反激变换器
  • 简介:专用的视频编码芯片即D/A转换芯片一般都工作频率比较高,输出模式可选择,因此需要有专门的控制器来控制其工作。该控制器以RDSP(DigitalSignalProcessing)芯片DM642来实现,能实时将DSP图像融合处理后的视频信号以RGB三基色方式、S-VIDEO方式或VGA方式输出。整个系统电路简单、可靠性高、功能集成度高具编程方便。

  • 标签: DM642 高速D/A 视频 图像融合
  • 简介:CHINAPLAS2015国际橡塑展聚集3200家展商同台竞技,即使展会期间大雨来袭,仍吸引128,264名观众冒雨到场观摩.行业影响力可见一斑。今年展会,台达以"Smarter.Greener.Togethr.一共创智能绿生活"的品牌承诺盛装亮相,与本届展会"绿塑创新,构建永恒"的主题不谋而合,展位吸引了无数观众驻足研评。本期,中达电通股份有限公司(以下简称台达)机电事业部变频器产品开发处产品总监金大岭先生,将为我们详细解读台达智能绿生活的深层涵义,以及多年深耕橡塑行业的宝贵经验。

  • 标签: 智能制造 机电事业部 中达电通 金大 产品总监 深层涵义
  • 简介:本文介绍高压SPT、(软穿通)-IGBT器件的开关自箝位模式,并且引入一种现有短路过流保护能力以外的、器件关断过程中的过压保护特性。IGBT结构中的这种新的保护特性将为那些正在寻找可靠、经济的应用IGBT的高压解决方案的系统设计者提供一个全新的前景。

  • 标签: IGBT器件 过电压保护 高压 模式 箝位 开关
  • 简介:日本经济财政大臣与谢野馨在22日的内阁会议上提出了2011年度的经济财政报告(经济财政白皮书),并就此次东日本大地震对日本经济的影响做了分析。受地震影响,供应链(配件供应网)断裂和电力不足等情况使受灾地区以外的城市在经济上也遭到了比以往任何一次灾害都要严重的打击。要打造“强有力应对危机的经济模式”,

  • 标签: 经济模式 白皮书 财政 日本 地震影响 配件供应
  • 简介:本篇文章介绍了适合瞬态模式的PFC预调节新控制IC。在一个标准的TMPFC控制器的核心基础上,它提供了一个附加的功能,帮助实现无源器件所需要的补助功能,否则它将需要相当复杂的外部电路。这篇文章很详细得描述了这些功能,并提供了一系列的例子让大家更好得享受这个新IC带来的简化以及低廉的成本。

  • 标签: 瞬时模式 FC预调整器 性能 成本 IC
  • 简介:6月1日,“2009台达杯国际太阳能建筑设计竞赛颁奖典礼暨杨家镇台达阳光小学奠基仪式”在四川隆重举行,国务院参事、中国可再生能源学会理事长石定寰,中国建筑设计研究院副院长刘燕辉、台达电子集团董事长郑崇华、国家住宅与居住环境工程技术研究中心主任仲继寿、台达环境与教育基金会中国首席代表王其鑫等人出席了这一盛大典礼。

  • 标签: 中国建筑设计研究院 小学 阳光 四川 工程技术研究中心 灾区
  • 简介:PWMDC/DC转换器的设计中,为了防止出现次谐波振荡,需要引入斜坡补偿电路,而传统的斜坡补偿电路通常在加法器处会引入附加的内部反馈环路。这会极大地限制系统带宽。文中提出了一种简单的结构来实现峰值电流模式下的斜坡补偿。这样可以减小斜坡补偿中加法器对系统带宽的限制,从而可以提高系统稳定性,使转换器有更高的开关频率。仿真结果表明.这种方法能实现电压信号准确地相加。

  • 标签: 峰值电流模式 斜坡补偿 加法器
  • 简介:全自动焦度仪光学系统是产品设计的核心,为了提高自动焦度计的测量精度。提出一种新的测量图像。该图像在建立了16点数学模型并推导了镜片相关参数的计算方法。该算法将16个点分为四组进行计算,并取各组计算结果的平均值作为最终测量结果。根据16点数学模型的算法要求。设计了以FPGA和面阵CCD为核心的测量系统及16点图像二值化处理的算法。实验数据表明。该系统在测量精度及稳定性上都优于原有的基于4点测量图像的自动焦度计:该测量系统的技术指标已达到国家相关检验标准。

  • 标签: 自动焦度计 16点数学模型 FPGA 面阵CCD
  • 简介:本文研究了MOSFET反型层中载流子的迁移率以及迁移率如何影响温度系数(TC)。迁移率模型中考虑了在反型层中所有的散射机构。本研究对TC进行了新的考虑,并用一个实例验证了提出的模型。

  • 标签: 功率MOSFET 载流子迁移率 温度系数 温度梯度 TC 线性区