简介:针对抗辐照SOIPMOS器件的直流特性与低频噪声特性展开试验与理论研究,分析离子注入工艺对PMOS器件电学性能的影响,并预测其稳定性的变化。首先,对离子注入前后PMOS器件的阈值电压、迁移率和亚阈摆幅进行提取。测量结果表明:埋氧化层离子注入后,器件背栅阈值电压由-43.39V变为-39.2V,空穴有效迁移率由127.37cm2/Vs降低为80.45cm2/Vs,亚阈摆幅由1.35V/dec增长为1.69V/dec;结合背栅阈值电压与亚阈摆幅的变化,提取得到埋氧化层内电子陷阱与背栅界面态数量的变化。随后,分析器件沟道电流噪声功率谱密度随频率、沟道电流的变化,提取γ因子与平带电压噪声功率谱密度,由此计算得到背栅界面附近的缺陷态密度。基于电荷隧穿机制,提取离子注入前后埋氧化层内陷阱态随空间分布的变化。最后,基于迁移率随机涨落机制,提取得到离子注入前后PMOS器件的平均霍格因子由6.19×10-5增长为2.07×10-2,这表明离子注入后器件背栅界面本征电性能与应力稳定性将变差。
简介:<正>深交所总经理宋丽萍在近日举行的"首届中国科技金融促进高峰论坛"上表示,今年以来,为适应创新驱动发展战略的新要求,面对科技金融加快发展的新机遇,深交所开始考虑把"科技型中小企业成长路线图计划"升级到"2.0版本"。目前,"2.0版本"的详细方案还在沟通、论证中。一石激起千层浪,该消息传出,关于"科技型中小企业成长路线图计划"的话题又热络起来。科技金融的践行者什么是"科技型中小企业成长路线图计划",不妨一起回顾下。该计划产生于2004年,"路线图计划"由科技部科技型中小企业技术创新基金管理中心、深圳证券交易所、国家开发银行等部门共同发起并组织实施,