简介：1．ODS(OzonedepleTingsubstance)。ODS意为对大气臭氧层有破坏作用的物质(或消耗臭氧层物质)。目前认为ODS主要包括全氯氟烃(CFCs)1，1，1，-三氯乙烷(CH3CCI3)、四氯化碳(CCl4)、全溴烷烃以及哈龙类物质。

简介：文章介绍了印制线路板的焊接制造工艺过程;助焊剂的种类及其在焊接过程中的作用;焊接残留物的主要成分及其对电子线路板的危害;并着重介绍了各种印制电路板清洗技术及其选用时的注意事项

简介：闩锁是集成电路结构所固有的寄生效应，这种寄生的双极晶体管一旦被外界条件触发，会在电源与地之间形成大电流通路，导致整个器件失效。文章较为详细地阐述了一种Bipolar结构中常见的闩锁效应，并和常见CMOS结构中的闩锁效应做了对比。分析了该闩锁效应的产生机理，提取了用于分析闩锁效应的等效模型，给出了产生闩锁效应的必要条件与闩锁的触发方式。通过对这些条件的分析表明，只要让Bipolar结构工作在安全区，此类闩锁效应是可以避免的。这可以通过版图设计和工艺技术来实现。文章最后给出了防止闩锁效应的关键设计技术。

简介：随着近年来液晶面板的兴起以及越来越大的尺寸，高压LCD驱动日渐受到市场的关注。该产品生产中采用了埋层注入和外延工艺，作为N型搀杂的锑注入其工艺稳定性直接影响了外延层的位错／层错缺陷。原先的锑注入监测工艺周期时间长成本高，为了寻求一种更适用于量产的监测方法，文章对锑工艺区别于其他N型注入工艺监测的原因做了进一步分析，提出了一种改进的监测方法，通过低温快速热退火实现了短周期，剂量敏感且具有良好重复性，易于量产。

简介：2003年是无线技术发展历程中值得记住的一年。在这一年中，企业“旧电脑”(使用了4—5年以上)的升级、高性能计算(HPC)以及计算与通信的真正融合已经成为了业界的主流。

简介：

简介：本文详细介绍了钛换热器中磁性氧化铁垢化学清洗的原理、施工方案、化学监督、工程注意事项,以及一个成功的清洗案例.

简介：文中提出了一种片上FLASH替换设计方法,在不改变原FLASH控制逻辑的情况下,通过增加接口转换逻辑,在原FLASH控制接口与新FLASHIP接口之间进行功能与时序的转换,实现片上FLASH的替换。由于固化了已有的成功设计,从而大大降低了替换修改带来的风险。通过测试仿真,输出结果在接口功能和时序上都符合新的FLASHIP的工作要求,并在某SOC的FLASHIP替换中应用。

简介：2012年，根据山西省社会保障系统发展的需要和具体部署，晋城市政府把“城乡社会保障一卡通工程”列为2012年“方便晋城”十大工程之中的第一工程。2012年12月21日，晋城市人力资源和社会保障局正式导人了城乡计会保障“一卡通”系统，实现了“社保一卡通系统核心应用平台”、“社保一卡通系统核心业务支撑平台”、“社保一卡通系统运维保障平白”三大平台的有机结合。截至2013年初，

简介：

简介：摘要提升小学生的写作水平，可从四个方面入手一、“不为难、不放纵”的写作教学原则；二、“多阅读、多交流”的口头训练；三、用日记记录真善美；四、“常交流、多鼓励”的作文品读。

简介：海尔、联想、华为这三个当今中国的榜样企业，尽管还有许多必须面壁十年，二十年才可望解决的资质缺陷，似是我们根本无法进行“入学时间还短”的自我安慰，也来不及动员和训练，就得上阵，小学生同样要去同大学生拼刺刀，就如同当年志愿军扛着三八大盖、卧冰吃雪，也要去击落或缴获联合国军的飞机一样。

简介：2004年7月16日，Adobe在港澳中心如期举办TPhotoshop亚洲巡展．北京站的活动，原本预定可容500-800人的大宴会厅在会议尚未开始时已经爆满，还好Adobe有之前的两天在香港．台地两地活动的经验。临时在会议厅的楼上安排了分会场，通过大屏幕投影将演讲者的声音图像和演示屏幕传送到会场。记者粗略算了一下两个会场的到会观众，与会者达到创纪录的1200人，充分体现了Adobe创意产品在数字艺术和设计领域的影响，声望和地位。

简介：

简介：“城市一卡通”能够通过一卡多用、信息共享来提高整个城市的生活水平。

简介：

简介：采用PECVD技术在1.55μnInGaAsP-InPMQW激光器结构的材料上沉积SiO2薄膜和含磷组分的SiO(P)电介质薄膜,经过快速热退火(RTA)后,样品的PL谱测试表明:覆盖有普通SiO2薄膜的样品蓝移量在5～74nm,而覆盖SiO(P)薄膜的样品呈现出341nm的大蓝移量.对SiO(P)薄膜的样品经红外光谱及XPS谱分析后证明,该膜的结构为SiOP,存在Si-O和P-O键,Si和P为正价键,其结合能分别为103.6eV和134.6eV.在退火过程中SiOP膜存在P原子的外扩散,它强烈地影响量子阱混合的效果,该SiOP膜明显区别于SiO2电介质薄膜.

简介：面对当代电子产品不断朝着小型化芯片器件和IC封装不断朝着微间距方向发展的趋势，如果要避免墓碑现象、芯片中间成球和桥接现象，意味着每个焊盘上面所要求的焊膏量会减少。然而，在绝大多数针对此类情况的电子组装过程中，也有大量的元器件要求采用较多的焊料量，以形成可以满足产品使用要求电性能和机械性能的焊点。因此在一块印制电路板上各种器件对所实施的焊料量会有各自不同的要求，如何能够兼顾各种需求？最近国际电子生产商联盟（iNEMl）（亚洲）焊膏涂布研究小组（SolderPasteDepositionGroup）对此开展了一项研究，本文试图就这项研究的一些情况作些介绍，供相关人员参考。

简介：本文介绍了台湾微电子技术及产业发展状况,以此作为我们同行的借鉴.

简介：分解大型阵列为关于阵列中心对称的两个子阵,对内子阵进行阵元位置微扰形成指定零陷。借助对微扰后方向图的泰勒展开进行线性化,以微扰后方向图形变最小化为目标,将指定方向控零的约束条件分实部、虚部分别约束微扰值,运用方向导数法快速求解出微扰值,实现了在指定方位快速控零,并提出引入小值控制零陷深度。方法不改变阵列孔径,在指定方向控零后能维持原主波束形状、副瓣水平不变,仿真表明本方法的有效性和优越性。