简介：采用HSiCl3—NH3—N2（稀释气体）体系在石英陶瓷基板上通过低压化学气相沉积（LPCVD）法沉积出了Si3N4涂层，研究了工艺条件对涂层沉积速率的影响。结果表明，在没有稀释气体的情况下，随着沉积温度升高，Si3N4涂层的沉积速率逐渐增加，在850℃附近达到最大值，随着反应温度的进一步升高，涂层沉积速率下降。当存在稀释气体时，在所选温度范围内随着沉积温度的升高，Si3N4涂层的沉积速率一直增大，反应的表观活化能约为222kJ／mol。随着原料中NH3／HSiCl3流量比值的增大，Si3N4涂层的沉积速率逐渐增加，随后稳定，但稍有下降趋势。在所选稀释气体流量范围内，Si3N4涂层的沉积速率随着稀释气体流量的增加而增大。
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