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11 个结果
  • 简介:中国科太范洪义教授对狄拉克奠定的表述量子论的符号法推陈出新,系统地建立了。有序算符的积分理论”,把寓于狄拉克符号法中更深层次的物理内涵与应用潜力提示给世人,在看似已臻完美的量子力学理论体系中,开辟了一个全新的研究方向,突破性地发展了量子力学的表象与变换理论,从而为量子力学提供了新篇章。

  • 标签: 量子力学 有序算符 积分理论 动力学
  • 简介:阐述了光电平台框架减振的必要性,对一种六自由度框架减振系统进行了模型简化,并使用拉格朗日动力学理论对该系统进行控制方程的推导。系统的控制方程表明,当被隔振系统的质心与隔振器的几何中心重合时,系统是解耦的。扫频振动仿真分析表明该减振系统能够隔离20Hz以上的中高频振动,该减振系统设计合理。

  • 标签: 光电平台 内框架减振 控制方程 解耦 扫频
  • 简介:设计了一种大口径扫描三档变焦光学系统。系统工作波段为7.7~10.3μm,焦距为65mm、130mm、390mm,变倍比为6∶1,系统F数为1.67,最大口径为240mm。系统具有较好的成像质量,且对冷反射和扫描温差进行了优化控制,这种变焦光学系统具有大口径、长焦距,能够用于对远距离小目标跟踪的特点,在高性能红外热像仪中得到较好的应用。

  • 标签: 红外光学系统 光学设计 变焦系统 冷反射 内扫描
  • 简介:目前,在被动锁模掺铒光纤激光器中,进行腔色散补偿的方法主要包括:在激光谐振腔熔接一段具有正常色散的光子晶体光纤、插入具有正常色散的光栅对,以及利用具有正常色散的啁啾光纤光栅等。针对目前腔色散补偿方法存在的耦合效率低、环境稳定性差、色散量不易调节等不足,设计了一种由偏振合束器、色散补偿光纤和法拉第旋转镜构成的线形支路进行腔色散精确补偿,采用透射式可饱和吸收体实现自启动锁模,并结合混合光器件,实验获得了重复频率为82.84MHz、平均功率为10mW、脉冲宽度为381fs的飞秒脉冲保偏输出,作为种子源,可广泛应用于太赫兹产生、生物医学成像、超快光谱学等领域。

  • 标签: 色散补偿 保偏 飞秒光纤激光器 可饱和吸收体 被动锁模
  • 简介:Athree-dimensionalmodelofGaAs/A1GaAsquantumdoubleringsinthelateralstaticelectricfieldisinvestigatedtheoretically.Theeigenvalueproblemwiththeeffective-massapproximationissolvedbymeansofthefinite-elementmethod.Theenergylevelsandwavefunctionsofquantum-confinedelectronsandheavyholesareobtainedandshowanagreementwithourprevioustheoreticalandexperimentalstudies.ItisshownintheapproximationofneglectingtheCoulombattractionbetweentheelectronandheavyholethatarelativelylargeStarkshiftofexcitonemissionof4meVisattainablewithanappliedelectricfieldof0.7kV/cm.

  • 标签: 横向电场 量子结构 电子 有限元方法 特征值问题 量子波函数
  • 简介:WecreateaGaNphotocathodebasedongradedAlxGa1-xNbufferlayerstoovercometheinfluenceofbuffer-emissionlayerinterfaceonthephotoemissionoftransmission-modeGaNphotocathodes.Agateshapedspectralresponsewitha260-nmstartingwavelengthanda375-nmcut-offwavelengthisobtained.Averagequantumefficiencyis15%andshortwavelengthresponsesarealmostequivalenttolongwavelengthones.Thefittedinterfacerecombinationvelocityis5×104cm/s,withnegligiblemagnitude,provingthatthedesignofthegradedbufferlayersisefficientinobtaininggoodinterfacequalitybetweenthebufferandtheemissionlayer.

  • 标签: 光电阴极 缓冲层 GaN 传输模式 截止波长 光电发射
  • 简介:在腔倍频激光器中,非线性晶体的温度梯度造成的相位失配是影响谐波转化效率的关键。用半解析热分析方法得出了非线性晶体U如在不同基频光参量条件下的温度分布,分析了不同参量对晶体温度分布的影响。分析了温度梯度引起的相位失配对谐波转化总效率的影响,并在不同参量情况下对谐波相对转化效率进行了计算。对腔倍频激光系统的设计有指导作用。

  • 标签: 非线性晶体 半解析热分析方法 温度场 LBO非临界相位匹配(NCPM)
  • 简介:Asecondgenerationsolaradaptiveoptics(AO)systemisbuiltandinstalledatthe1-mNewVacuumSolarTelescope(NVST)oftheFuxianSolarObservatory(FSO)in2015.TheAOhigh-ordercorrectionsystemconsistsofa151-elementdeformablemirror(DM),acorrelatingShack–Hartmann(SH)wavefrontsensor(WFS)witha3500Hzframerate,andareal-timecontroller.ThesystemsawfirstlightonMar.16,2015.Thesimultaneoushigh-resolutionphotosphereandchromosphereimageswithAOareobtained.Theon-skyobservationalresultsshowthatthecontrastandresolutionoftheimagesareapparentlyimprovedafterthewavefrontcorrectionbyAO.

  • 标签: 自适应光学系统 太阳望远镜 天文台 抚仙湖 第二代 真空
  • 简介:超快透射电子显微镜(UltrafastTransmissionElectronMicroscopy,UTEM)是一种能够以纳米尺度空间分辨研究超快动力学过程的前沿技术。在哥廷根大学最新的研究进展里,建造了第一台具有高度相干性电子源的第三代UTEM。通过从纳米针尖发射局域的光电子,获得高度相干的电子脉冲,能够在样品处将电子斑聚焦到数个纳米,同时具有300fs的脉冲时间宽度。介绍了利用这种先进电子光源UTEM装置的几个应用:对坡莫合金薄膜的磁涡旋纳米图案进行实空间洛伦兹成像,打开应用UTEM进行超快磁性研究的大门;通过将电子脉冲聚焦到数个纳米,我们局域地探测单晶石墨薄膜上飞秒激光激发的声学声子在边缘的传播和演化;演示了自由传播电子束在激光驱动的近场中受光学相位调制产生的电子动量态相干叠加。

  • 标签: 超快透射电子显微镜 相干电子脉冲 纳米区域 超快过程
  • 简介:Anall-fiberopticallaserpulsemulti-passstretcherusingachirpedfiberBragggrating(CFBG)isdemonstrated.Pulsesfroma1053-nmmode-lockedfiberseedoscillatorarestretchedbymultiplepassingthroughachirpedfibergratingsetinafiberregenerativeamplifierstructure.Westretchthepulsefrom16psto1.855nsafterittransmitssevenloopsinthestretcher.Themainfactorsthataffectthestretchingresultsarediscussed.

  • 标签: 线性啁啾光纤光栅 激光脉冲 全光纤 担架 再生放大器 影响因素
  • 简介:SiO_2thinfilmscontainingSi_(1-x)Ge_xquantumdots(QDs)arepreparedbyionimplantationandannealingtreatment.Thephotoluminescence(PL)andmicrostructuralpropertiesofthinfilmsareinvestigated.ThesamplesexhibitstrongPLinthewavelengthrangeof400—470nmandrelativelyweakPLpeaksat730and780nmatroomtemperature.Blueshiftisfoundforthe400-nmPLpeak,andtheintensityincreasesinitiallyandthendecreaseswiththeincreaseofGe-dopingdose.Weproposethatthe400—470nmPLbandoriginatesfrommultipleluminescencecenters,andthe730-and780-nmPLpeaksareascribedtotheSi=OandGeOluminescencecenters.

  • 标签: SIO2薄膜 光致发光 量子点 硅锗 掺杂比 底片