简介:NMOS管I-V曲线在ESD(electrostaticdischarges)脉冲电流作用下呈现出反转特性。其维持电压VH、维持电流IH、触发电压VB、触发电流IB以及二次击穿电流等参数将会影响NMOS管器件的抗ESD能力。文章通过采用SILVACO软件,对1.0μm工艺不同沟长和工艺条件的NMOS管静电放电时的峰值电场、晶格温度以及VH进行了模拟和分析。模拟发现,在ESD触发时,增加ESD注入工艺将使结峰值场强增强,VH减小、VB减小,晶格温度降低;器件沟长和触发电压VB具有明显正相关特性,但对VH基本无影响。最后分析认为NMOS管ESD失效主要表现为高电流引起的热失效,而电场击穿引起的介质失效是次要的。
简介:针对透射光栅的减反射技术、ICF系统使用的多用途光栅的性质以及部分相干光在光栅中传输的特性等方面进行了详细的分析和模拟计算,较为系统的研究了用于ICF的光栅特性。针对透射光栅的表面反射不利因素,将光栅的工作角度设置到布儒斯特角附近,利用光束成布儒斯特角入射具有的特殊性质可以达到减反射的目的。计算结果显示,对长周期的透射光栅,将其设置到布儒斯特角附近工作能降低光栅的反射率,特别是总反射率可以明显降低。ICF系统中的色分离光栅可以考虑试用这种方案减反射;对周期在波长附近的短周期光栅也能实现减反射,并能保证更高的一级衍射效率,但布儒斯特角的设置使得TM入射波的一级衍射效率的极值出现在光栅刻槽深度为102的地方,相对TE波,其深度周期被大大推迟,在实际应用中应综合考虑。