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38 个结果
  • 简介:目前,北京同步辐射装置4W1A线的双晶单色器存在着调节困难、单色光出口不固定等问题,本文对其中原因进行了讨论,并提出一种新型结构的双晶单色器。此单色器具有调节简单、波长切换方便等优点,并实现了单色光固定出口。从而能够大大缩短调光时间,提高4W1A线专用光的用光效率。

  • 标签: 北京同步辐射装置 4W1A束线 双晶单色器 用光效率
  • 简介:本文向用户扼要介绍了光束线3W1A及其实验站的辐射安全联锁系统的设计目的、设计思想、系统的功能作用和操作规则。本系统于1996年9月投入试运行,于1998年年底通过院级鉴定和验收。

  • 标签: BSRF 实验站 辐射安全联锁系统 储存环 3W1A光束线
  • 简介:油砂是储层中显示油气的主要矿物之一。本文描述了柴达木盆地油砂中油气层组N12/N^21单个流体包裹体特征.给出了它们的SRXCRF微无损分析的结果。对同一层位的共同性及不同层位间的变化特点作出了讨论.

  • 标签: 柴达木盆地 油砂层 流体包裹体 SRXCRF 微束无损分析
  • 简介:阐述了LIGA技术的组成及特点。对LIGA工艺掩膜、X射线光刻、电铸及塑铸等进行了朱理分析。用一次成型法制作了以聚酰亚胺为衬基、以Au为吸收体的X射线光刻掩膜。简单介绍了这种掩膜的制作工艺过程,并用这种掩膜在北京电子对撞机国家实验室进行了同步辐射X射线光刻,得到了深度为500μm,深宽比达8.3的PMMA材料的微型电磁马达联轴器结构。给出掩膜和X射线光刻照片。同时,对Au、Ni等金属材料的厚膜电铸进行了工艺研究。

  • 标签: 微马达 LIGA技术 光刻 掩膜 电铸 同步辐射
  • 简介:在北京同步辐射实验室XAFS实验站上建立了利用全电子产额方法探测XAFS的实验方法。通过测量单色X-射线在样品表面激发出的电子产额随X-射线能量的变化,提取在吸收边附近的XAFS震荡。对不同厚度Cu薄膜的测量表明,在Cu的K吸收边附近可观察到信噪比很好的XAFS震荡。该探测器设计简单,可以直接在大气下工作。全电子产额XAFS方法的建立,有助于导电薄膜和材料的近表面结构研究。

  • 标签: 测量 XAFS谱 全电子产额技术 同步辐射 X-射线吸收精细结构 磁控溅射
  • 简介:利用北京同步辐射装置漫散射实验站的五圆衍射仪,建立了掠入射X射线衍射实验方法。对Si表面生长的Ge/Si量子点及其在Si表层产生的应变进行了成功测量,表明此方法可以有效地提取表面层的微弱信号。实验结果表明,Ge/Si量子点的形成除了在Si衬底表层形成了晶格具有横向膨胀应变的区域之外,还在Si衬底中形成了具有横向压缩应变的区域。

  • 标签: 同步辐射 X射线 实验技术 应用 掠入射衍射 表层结构
  • 简介:X射线干涉测量技术是以非常稳定的亚纳米量级的硅单晶的晶格作为基本长度单位,以建立纳米级长度基准,从而实现纳米级精度的测量、校验等功能。由于其在纳米测量范围内的特殊优越性,因而近年来该技术得到了迅速发展。该技术的前提是X射线干涉技术的实现。根据X射线干涉的特点,并考虑到X射线的吸收特性,用单晶硅制出了LLL型X射线干涉器件。在北京同步辐射实验室(BSRL)4W1A线上选择17.5Kev能量的同步辐射光进行了X射线干涉实验,在拍摄的底片上比较清楚地观察到了X射线干涉条纹。

  • 标签: 17.5Kev同步辐射光 干涉技术 X射线干涉测量技术
  • 简介:利用双晶单色器和精密二圆衍射仪,在北京同步辐射装置建立了同步辐射X射线驻波实验技术,并用这一实验技术结合X射线衍射方法,研究了Si晶体中外延生长的超薄Ge原子层的微结构。实验结果表明,由于Ge原子的偏析,在Si晶体样品中形成了共格生长的GexSi1-x合金层,浓度平均值为X=0.13;650℃退火会使Ge原子向表面扩散,Si晶体中的合金层消失,在晶体表面形成接近纯Ge的单原子层。

  • 标签: 同步辐射 X射线驻波实验技术 半导体超薄异质外延层 硅晶体 外延生长 超薄锗厚子层
  • 简介:X射线低角反射实验技术是测定固体材料表层中杂质原子深度分布的有效手段。利用同步辐射X射线反射技术和近年来发展的由反射实验数据逆向求解原子深度分布的分层逼近法,研究了不同温度下分子外延生长的δ掺杂(Sb)Si晶体样品,成功地测量了样品中几个纳米范围内的Sb原子深度分布,所得结果表明,300℃以下是用分子外延方法在Si晶体中生长Sb原子δ掺杂结构的合适温度。

  • 标签: Δ掺杂 表层深度分布 锑原子 X射线反射 同步辐射 分层副近法