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  • 简介:摘要:近些年,矿选技术不断提高,各类矿选机械设备创新应用,比如新型的高效分选机械设备,使得金属矿选矿工艺得到极大提升。另外,浮选药剂分选技术等的应用也加快了选矿工艺革新。鉴于我国地质条件复杂,金属矿矿床的种类也相对较多,因此,选矿面临着贮存要求高和矿物品种繁杂的难点问题。不仅如此,大多数金属矿包含有大量的硫、二氧化硅等成分,导致金属矿选矿工作更加困难,同时采矿的效益也大大降低。选矿过程是一个至关重要的环节,本文深入分析研究了矿产选矿技术和工艺方法。

  • 标签: 矿产 选矿技术 工艺方法
  • 简介:以离子交换玻璃波导为例详细分析了渐变折射分布波导中的自镜像效应,并完成了1×8渐变折射分布MMI光功分器的设计和特性分析.在理论分析和设计的基础上完成了器件的制作,包括在国产K9光学玻璃上利用K+-Na+离子交换技术和以苯甲酸为交换源在铌酸锂基片上利用质子交换工艺分别完成1×8MMI光功分器的制作.测试表明器件基本实现了光均分功能.

  • 标签: 集成光学 多模干涉 光功分器 折射率分布 MMI型 离子交换技术
  • 简介:三氯氢硅(SiHCl3)作为硅外延片的关键原材料,其纯度直接影响着硅外延层的性能。一般三氯氢硅纯度的测试方法有两种,除采用化学分析方法测试外,通常用生长不掺杂外延层(本征外延层)的方法来确定。即采取测量三氯氢硅生长后的硅外延本征电阻的方法来衡量其纯度。而影响硅外延本征电阻的主要因素为系统的自掺杂,增加硅外延的生长时间可以有效抑制系统自掺杂,但无限制的增加生长时间必然导致生产成本的增加。文中通过实验数据,确定了一个合理的硅外延本征生长工艺过程,从而达到了评价三氯氢硅纯度的目的。

  • 标签: 三氯氢硅 纯度 本征电阻率
  • 简介:提出了一种脉组间多普勒频率变化的高精度测量算法,该算法利用脉组相邻脉冲对间的互相关函数估计脉组模糊频率,在连续脉组间选择任一相同模糊频率进行解模糊得到各脉组相对频率,因为这些相对频率包含相同的模糊,所以可以利用差分或滤波算法得到脉组间多普勒频率变化;计算机仿真和试验均证明了该测量算法的有效性。

  • 标签: 脉组 互相关 解模糊 多普勒频率变化率
  • 简介:摘要JZ-7型空气制动机是我国自行设计制造的一种自动空气制动机,它具有操作灵活,性能稳定可靠,维修方便等特点,保障机车安全运行发挥了良好的作用,在内然机车上得到广泛应用。本文针对JZ-7自动制动阀卡滞现状,从结构方面分析了卡滞产生的原因,提出了相应的措施,取得了良好的效果。

  • 标签: JZ-7自动制动阀 卡滞 原因 措施
  • 简介:本文对羊毛的沾污物质-羊毛脂、羊毛汗和尘土等作了较全面的介绍,同时介绍了洗毛的各种方法,并对水洗毛和溶剂洗毛进行了对比分析.

  • 标签: 羊毛 沾污物 羊毛脂 羊毛汗 尘土 水洗毛
  • 简介:本文对电镀工艺加工过程中的不同类型的清洗工艺技术进行了综述,介绍了化学除油、电解除油工艺的基本原理、水洗工艺方法及目前电镀生产中清洗技术的最新进展.

  • 标签: 电镀 化学除油 电解除油 水洗 漂洗
  • 简介:首先介绍了多晶电阻在线监控和工艺控制模块(PCM)监控的两种方法:四探针法和范德堡法,并解决了四探针法在线监控方法多晶电阻波动大的问题;针对生产过程中遇到的多晶电阻偏小问题,通过扫描电镜分析发现多晶晶粒明显偏大,通过对多晶淀积速率的分析确定多晶速率越小,多晶淀积晶粒越大,根据多晶导电理论可知多晶晶粒大,晶粒间界变小,晶粒间界杂质俘获变少,多晶掺杂浓度转化为载流子的比例变高,因此多晶电阻变小。最后根据工程实践列举了影响多晶淀积速率的两大主要因素为多晶淀积温度和多晶炉管维护次数,为保证多晶淀积速率稳定,多晶炉管维护次数尽量少于6次,同时需要对多晶淀积温度进行控制。

  • 标签: 多晶电阻 晶粒 淀积速率 四探针法测试电阻
  • 简介:文章对0.5μm/40V高压工艺中形成的N阱电阻的SPICE模型进行研究。因为高压电路的实际应用,N阱电阻的寄生效应不可忽略,所以精确反应其电学特性的SPICE模型也显得尤为重要。从N阱电阻的测量结果反映其IV曲线的非线性特性和结型栅场效应管JFET输出特性曲线具有相似性,并通过对高压阱电阻与JFET的结构分析认为可以采用JFET的电压电流关系来建立合理的数学模型反映高压阱电阻的这种非线性特性。因此在文中借用JFET的SPICE模型作为基础,用宏模型的方法为高压N阱电阻建立了一套精确的SPICE模型、此模型适用于各类仿真器,具有一定的通用性.

  • 标签: 高压N阱电阻 SPICE模型 结型栅场效应管JFET
  • 简介:本文对羊毛的沾污物质-羊毛脂、羊毛汗和尘土等做了较全面的介绍,同时介绍了洗毛的各种方法,并对水洗毛和溶剂洗毛进行了对比分析.

  • 标签: 羊毛 沾污物 羊毛脂 羊毛汗 尘土 洗毛工艺
  • 简介:本文章主要叙述目前替代ODS清洗剂的几种方法.其中乳化工艺清洗技术替代ODS清洗PCB组件是一种比较好的方法.本文着重对本公司在实施过程中的调研方案确定,清洗剂选择,以及"三防"试验工作,进行了探讨.

  • 标签: 清洗 ODS 去离子水 溶剂 三防
  • 简介:在柔性LCP基板上制备RFMEMS开关,加工难度较大,影响开关质量的因素较多。主要研究影响LCP基RFMEMS开关加工质量的主要因素,寻找工艺过程控制解决方案。通过对关键工序的试验,对加工过程中的基板清洗、LCP基板覆铜面镀涂及整平、LCP基板无铜面溅射金属膜层、LCP基板平整度保持、二氧化硅膜层生长及图形化、牺牲层加工、薄膜微桥加工、牺牲层释放等工序进行了参数优化。研制的LCP基RFMEMS开关样件频率≤20GHz、插入损耗≤0.5dB,回波损耗≤-20dB,隔离度≥20dB,驱动电压30~50V。该加工方法对柔性基板上可动结构的制造具有一定的借鉴价值。

  • 标签: LCP基材 柔性 桥式RF MEMS开关 薄膜微桥
  • 简介:最近几年,许多美国工厂开始摒弃传统的溶剂清洗,转用水基清洗,以求尽可能减少可挥发性物质和有害物质向自然环境的排放量.尽管这一生产工艺的转变确实减少了有害物质的排放量,收到了巨大的环境效益;但是随之而来的能耗上升也不容忽视,并且能耗上升也是一个独特的污染问题.

  • 标签: 清洗工艺 节能控制系统 能量分析模型 过程控制
  • 简介:RFMEMS开关是用MEMS技术形成的新型电路元件,与传统的半导体开关器件相比具有插入损耗低、隔离度大等优点,将对现有雷达和通信中RF结构产生重大影响。文章介绍了RFMEMS开关的基本工艺流程设计,工艺制作技术的研究。实验解决了种子层技术、聚酰亚胺牺牲层技术、微电镀技术的工艺难题,制作出了RFMEMS开关样品,基本掌握了RFMEMS器件的制作工艺技术。RFMEMS开关样品测试的技术指标为:膜桥高度2um~3um、驱动电压〈30V、频率范围0~40GHz、插入损耗≤1dB、隔离度≥20dB,样品参数性能达到了设计要求。

  • 标签: 种子层 聚酰亚胺 牺牲层 微电镀
  • 简介:单站无源定位技术逐渐成为定位跟踪领域的研究重点。首先,引入时差变化作为一个观测量,并用其取代角度,利用观测到的角度变化、相位差变化、多普勒频率变化和时差变化建立固定单站对运动辐射源的定位模型;然后,用粒子滤波算法实现了定位。计算机仿真表明,该方法可以提高定位精度。

  • 标签: 单站无源定位 时差变化率 粒子滤波 定位精度
  • 简介:<正>2013年台湾IC制造业成长上看5.7%。值此全球半导体产业面临景气落底之际,台湾IC制造业则可望因晶圆代工市场产值不断攀升而逆势成长;尤其是未来台积电若顺利接下苹果(Apple)A7处理器订单后,更将有机会大幅带动整体IC制造产业成长向上攻顶。

  • 标签: 成长率 IC制造 晶圆代工 制造产业 半导体市场 Apple
  • 简介:对采用光纤延迟线(FDL)解决竞争问题的光突发交换网络节点,本文提出了一种新的数学分析模型计算OBS节点的突发包丢失.模型基于Markovian链及光纤延迟线,推导了状态方程,并通过数值求解各状态的概率来得出交换节点总的突发包丢失.与此同时用C++语言对节点的交换过程进行了仿真模拟.分析模型与仿真结果的比较表明,两者的一致性相当好.

  • 标签: 光突发交换 光纤延迟线FD L Markovian 分析模型 包丢失率