简介：在使用表面贴装元件的印刷电路板（PCB）装配中，要得到优质的焊点，良好的锡膏印刷是最重要的因素之一。锡膏印刷是SMT整个工艺中的第一个工程，也可能是最难控制的一个工艺程序。本文就SMT的焊接工艺作出说明，其中的内容有回流炉的分类，各种回流焊接技术，回流炉的特性参数，主要谈论回流温度曲线的设定。

简介：本文介绍有关水基清洗剂的水洗设备,水基清洗剂的漂洗设备、漂洗工艺,水基清洗的分析和监测系统,以及药品浓度控制系统的改进措施.

简介：POP芯片堆叠技术，是现代电子信息产品为提高逻辑运算功能和存储空间而发展起来的一种新的高密度组装形式。本文主要从设备技术的角度分析总结POP绷装工艺实现过程中的问题与对策。重点讨论了POP组装过程中主要工序工艺参数优化方法和范围，探讨了工艺过程控制中应关注的问题，这些都是确保POP芯片堆叠成功率的关键。

简介：机载、星载、舰载相控阵雷达由于其特定的使用环境,需要体积小、重量轻、高性能、高可靠、低成本的微波组件。带腔体LTCC基板具有高密度布线、电阻、电容、电感的内埋以及芯片的埋置等特性,是制作机载、星载、舰载相控阵雷达微波组件理想的高密度基板。针对带腔体LTCC集成基板的制造技术,简单介绍其工艺流程,并对腔体成型这项关键工艺进行了分析,提出了相应的解决方法。

简介：BGA（ballgridarray）球栅阵列封装技术是20世纪90年代以后发展起来的一种先进的高性能封装技术，是一种用于多引脚器件与电路的封装技术。BGA最大的特点就是采用焊球作为引脚，这不仅提高了封装密度，也提高了封装性能。而植球工艺作为BGA封装中的关键工艺将会直接影响器件与电路的性能及可靠性。影响BGA植球工艺的主要因素有：植球材料、植球工艺及回流焊工艺。文章通过对BGA植球的基板、焊膏／助焊剂、焊球等材料的详细介绍，详实阐述了植球工艺过程，并对BGA后处理的回流焊工艺进行了详细描述，提供了BGA植球工艺的检测方法，对植球工艺的可靠性进行了探讨。

简介：摘要本实验是参照国内某钢厂热处理中心而设计的大型综合热处理车间，其典型产品材料为W18Cr4V高合金工具钢。该设计主要以W18Cr4V高合金工具钢制作拉刀为例，介绍了其热处理工艺流程和工艺参数，并说明了热处理过程中材料组织、结构及性能的变化。对企业现行高速钢退火工艺进行试验研究，制定了高速钢最佳退火工艺，并在实际生产中进行实施。实际生产验证新退火工艺是可行的，它解决了退火后锻件硬度高于工艺规定的质量问题，提高了产品质量，节约了能源。

简介：清洗技术受到全球和地区相关行业上下游技术的影响,并随其不断发展.清洗技术因地而异,不同国家和地区之间的清洗工艺存在一定差别,而这些差别主要是由地方市场因素和法律因素决定的.

简介：本文介绍了应用于金属互联工艺的ARC(抗反射层或防反射层)技术.通过对抗反射层基本原理的说明,结合工艺实验,深刻地理解ARC技术.最后给出了可以用于0.5μm工艺生产的ARC结构及用于衡量ARC性能的参数.

简介：<正>据德国媒体报道,英飞凌2007年前在中国投资将达12亿美元,在中国员工数也将由现在的1200人增加至3000人。英飞凌发言人目前证实了该消息,公司计划在5年内拿下中国12%的半导体市占率,即

简介：为定量验证岸基对海警戒雷达检测录取性能，提出了低分辨率非相参雷达的海杂波仿真方法。该方法通过分析海杂波与目标的统计特性，基于零记忆非线性变换法给出了符合瑞利分布、相关性可控且具有强杂波调制的海杂波生成法，并给出了信噪比可调、符合斯威林起伏与形态调制和可按规划路径机动的目标生成法。试验结果表明，该方法能较好仿真此类雷达海杂波，可用于检测雷达录取性能与模拟器设计。

简介：无铅技术带来的改变和影响，在材料上，尤其是焊料上的变化最大。而在工艺方面，影响最大的是焊接工艺。这主要来自焊料合金的特性以及相应助焊剂的不同所造成的。

简介：摘要材料组织的细化处理是同时提高材料强度和韧性最为有效途径。细晶钢能改善并提高钢材低温脆断能力。细化晶粒已成为非常重要的强韧化手段，通过细化奥氏体晶粒从而细化马氏体束尺寸，从而提高钢的强度和韧性，还可以改善钢的耐延迟断裂性能和抗疲劳性能；随着超细晶粒或超细组织的形成，屈服强度大幅度提高，细晶技术已是提高材料强韧性的首选途径。

简介：文章通过对多晶薄膜的性质和多晶电阻形成工艺的稳定性研究，剖析在生产过程中三种形成多晶电阻主要工艺的波动情况，并对形成工艺波动的原因和控制方法进行了讨论。同时对于采取控制方法以后的多晶电阻的工艺情况进行分析，证明提高多晶电阻制造工艺稳定性必须提高多晶淀积和离子注入工艺能力，以及如何提高多晶淀积和离子注入的受控。最后对采取控制措施后的多晶电阻的改善效果进行回顾，说明离子注入工艺采取除气和多晶淀积隔片放置方式有效地提高了多晶电阻工艺的稳定性。

简介：SiC（碳化趟材料作为第三代半导体材料，具有高结温、高临界击穿电压、高热导率等特点，因此，SiC材料有利于实现功率模块的小型化并提高功率模块的高温性能。基于此，同时为了实现模块的自主可控化，将Si模块中的Si二极管用自主SiC二极管进行替代，制作SiC混合功率模块。主要介绍混合功率模块封装工艺的关键工序：回流、铝线键合、点胶、灌胶。

简介：TSMC于美西时间13日在美国加州圣荷西市举行技术研讨会，会中宣布将跳过22nm工艺，直接发展20nm工艺。此系基于“为客户创造价值”而作的决定，提供客户一个更可行的先进工艺选择。

简介：<正>《电子产品世界》2004年8月报道:世界主要半导体厂商的生产领域已可应用90nm工艺技术,为确保技术优势,已把竞争推向65～70nm级工艺,计划2005年推向量产阶段。Intel去年已采用65nm工艺试制或SRAM产品,计划2005年后投入批量生产。东芝和索尼联手开发出65nmLSI,年初已生产出试制品,2008年上半年跨入大批量生产。三星已开发70nm工艺,计划年末在30nm生产线上量产4GbNAND内存。台积电决定2005年前采用65nm技术开发出SoC平台。采用65nm工艺生产芯片,可使芯片上集成的晶体管数翻一番,性能提高,成本下降。因此,后起半导体企业年底前也须进入90nm以下的超微细加工领域,也是今后存活半导体市场的一大关键。

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简介：通过渐次优化改进叠片台、空腔填充塞、衬垫聚酯膜、烧结垫片等工装及相应工艺方法,重点研究突破了双面空腔LTCC的叠片、生瓷坯层压和生瓷块共烧等难点工艺,有效掌握了双面空腔LTCC基板制造工艺技术,达到了腔底平整度不大于0.08mm、空腔尺寸准确度优于±0.15mm的关键技术指标,成功研制出满足应用要求的双面空腔LTCC基板。

简介：SiGe（硅锗合金）BiCMOS工艺集成技术,是在制造电路结构中的双极晶体管时,在硅基区材料中加入一定含量的锗,形成应变硅异质结构晶体管,以改善双极晶体管特性的一种硅基工艺集成技术。对硅锗合金BiCMOS工艺的核心器件——锗硅异质结双极晶体管SiGeHBT的关键工艺模块,包括收集区、基区、发射区和深槽隔离的器件结构与制作工艺进行了研究与探讨。对常用的3种SiGeBiCMOS工艺集成技术BBGate工艺、BAGate工艺和BDGate工艺,进行了工艺集成技术难点与关键工艺方面的研究,并比较了各种工艺流程的优缺点及其适用范围。