简介：采用XAFS研究不同制备条件下超细Ni-P非晶态合金中Ni原子配位环境周围的局域结构。结果表明在pH小于11的条件下，样品的非晶化程度随pH的减小而增大；当pH为14时，样品中Ni的区域环境结构与金属Ni的相近。不同退火温度样品的XAFS结果表明，在300℃的温度下退火，超细Ni-P非晶态合金基本晶化生成晶态物相。

简介：

简介：将四新戊氧基酞菁锌的甲苯溶液旋涂成膜，经光学显微镜观察，薄膜表面光滑连续，小角度X射线衍射谱图中有规律的Keissig干涉峰说明膜厚均匀，红外反向光谱显示，未加热的薄膜中的分子排列无序，于150℃退火后，分子发生了共面聚集以接近垂直的角度直立在基片表面上，X射线衍射实验进一步证实了薄膜结构的有序性，并测定出了1．74A的晶面间距。

简介：利用同步辐射硬X射线高能量，穿透能力强和高分辨率的特性，根据X射线形貌成像原理分别对工程结构陶瓷烧结后，材料内部微结构和微缺陷尺寸大小、分布和界面形貌进行无损观测。直观地获取微结构图像，为宏观分析结构陶瓷韧性和强度等力学性能，为建立扩散和本构模型提供有效的实验数据和图像。

简介：

简介：用XPS和PES研究了钙肽矿型氧化物BaTiO3薄膜和La1-xSnxMnO3薄膜的电子结构。特别地，我们采用角分辨X－射线光电子谱技术（ARXPS），研究了薄膜表面最顶层原子种类和排列状况。结果表明，BaTiO3薄膜表面最顶层TiO2原子平面，La1-xSnxMnO3薄膜的表面最顶层为MnO2原子平面。在此基础上，我们进一步在原子水平上探讨了薄膜的层状外延生长机理。

简介：采用XAPS和XRD研究Ni-Ce-B超细非晶态合金在退火过程中的结构变化。实验结果表明，在573K的返火温度下，样品仍然保持非晶态结构，仅有少量晶态Ni3B生成；在673K退火温度下、Ni-Ce-B样品晶化生成晶态Ni3B和纳米晶Ni；在773K和更高的温度退火处理后，还有一部分Ni3B并未分解，少量的Ce掺杂使得样品晶化生成的Ni晶格有较大畸变。说明0．3％的Ce对提高Ni-Ce-B样品的稳定性有显著作用。

简介：原位XAFS方法研究NiB纳米非晶态合金在78K至573K温度范围的结构特点。结果表明：在78K时，NiB样品的第一配位峰的位置和强度分别为2．06A、396．4，其强度只有Ni箔第一配位峰强度的25％左右；300K时，第一配位峰的位置和强度分别2．08A、255．9；573K时，第一配位峰的位置和强度分别为1．87A、155．4。温度从78K升至300K，第一配位峰的位置变化不大，但峰强度降低35％左右：温度继续升至573K时，峰的位置较78K的向小的方向移动0．20A，并且强度降低了60％。这表明随着测量温度的升高，NiB纳米非晶态合金中Ni原子周围的热无序度显著增加。

简介：原位XAFS方法研究NiB纳米非晶态合金在78K至573K温度范围的结构特点。结果表明：在78K时，NiB样品的第一配位峰的位置和强度分别为2．06A、396.4，其强度只有Ni箔第一配位峰强度的25％左右；300K时，第一配位峰的位置和强度分别2．08A、255．9；573K时，第一配位峰的位置和强度分别为1．87A、155．4。温度从78K升至300K，第一配位峰的位置变化不大，但峰强度降低35％左右；温度继续升至573K时，冷的位置较78K的向小的方向移动0．20A，并且强度降低了60％。这表明随着测量温度的升高，NiB纳米非晶态合金中Ni原子周围的热无序度显著增加。

简介：

简介：本文用EXAFS方法研究了Fe85Zr9B6和Fe84Zr9B6Cul合金退火过程中Fe和Zr原子近邻配位结构的变化。表明在823K以下整个退火过程中Zr原子始终存在于非晶相中，没有进入晶化相。晶化相为bccα－Fe。Cu的加入降低了晶化温度。

简介：测量了C60单晶[111]方向的同步辐射角分辨光电子谱。观察到HOMO能带和HOMO－1能带明显且有规律的色散。色散曲线与LDA理论结果符合得较好。

简介：EXAFS研究FeCl3溶液中Fe^3+的区域环境结构随溶液浓度的变化，Fe^3+的径向结构函数表明，随着FeCl3溶液的浓度降低，第一配位峰的距离逐渐缩短。当溶液浓度从3.0mol/L降到0.2mol/L时，配位距离减小0.014nm，但振幅峰强度以0.8mol/L浓度为最小，其强度比浓的或稀的FeCl3浓度的低约30％。结构参数拟合结果表明，0.2mol/LFeCl3稀溶液中Fe^3+的近邻配位为6个H2O的O原子形成八面体配位；3.0mol/LFeCl3溶液中Fe^3+的近邻配位为2个Cl^-和4个H2O中的O原子。0.8mol/LFeCl3溶液中Fe^3+的近邻配位有1个Cl^-和5个O原子。其结构无序相对较大，是Cl^-与O组成的扭曲八面体配位。

简介：低温下用MBE方法生长了Ge／Si超晶格。X射线近边吸收限精细结构研究表明，Ge与Si再Ge／Si界面处存在化学混合。X射线反射及横向散射研究表明，Ge亚层上下表面的粗糙度呈反对称，下表面大的粗糙度来源于Ge向Si亚层中扩散形成SiGe混合组分结构：这种组分结构可以用一平均成份的SiGe合金层加以拟合，从而使得各亚层均有一个合理的粗糙度。旋转样品进行的X射线散射研究表明，这种SiGe的混合是各向同性的，这与透射电子显微镜的研究结构相一致。

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简介：本文描述了GdB5O9、NaGdF4的合成与结构以及NaGdF4在高温下的相转变。粉末衍射数据表明GdB5O9属于四方晶系，其空间群为：I4l／acd，晶胞参数为：α=8．23813。c=33．6377。六方和立方NaGdF4分别与NaEuF4和CaF2同构。本文还考察了GdB5O9：Eu、六方NaGdF4：Eu、立方NaGdF4：Eu样品的真空紫外(VUV)荧光性质．上述三种样品中Gd3+的4f-5d跃迁及基质的吸收位于真空紫外波段。

简介：用磁控溅射方法制备了一系列[C(t)/Cu(2.04nm))In(n＝20,30)周期多层膜，利用四端点法、振动样品磁强计研究了多层膜的电磁性质，样品的磁电阻随钴亚层厚度的增大有一最佳值t＝1.2nm。利用同步辐射掠入射X射线散射(衍射)技术在不同的X射线能量下研究了耦合多层腹的界面结构，探索了耦合多层膜中磁电阻增强的可能原因。