简介:制备出高质量纳米晶是金属氧化物纳米晶的基础研究和技术运用的首要问题.在有机溶剂中,利用一步法能够合成出较高结晶度的立方相Ga2O3纳米晶,对该样品的微观形貌和光学性能进行了表征.研究表明,利用一步法获得的纳米晶具有单分散性,晶格条纹明显,平均直径为6nm.在光学性能方面,立方相Ga2O3纳米晶在紫外区域有较宽的吸收.此外,通过提高合成温度能够从紫外到蓝光范围内调节荧光光谱.
简介:报告对美国QuantumDesign公司全新推出的集磁、电和热等测量功能于一体的新型VSM-VersaLab进行介绍,并对该仪器进行现场演示。仪器内置3T超导磁体、温区为50~400K,全程运行无需液氦或液氮。设备能进行高达10~(-9)A·m~2灵敏度的磁测量,以及全自动的电学、热学测量。和所有其他的QuantumDesign公司产品相同,VersaLab也是全自动操作系统,具有用户友好的界面。VersaLab是特别设计用来进行低于3T和宽温区无液氦的物性表征的专用仪器,该系统运用了QuantumDesign的PPMS~(?)中的非常成熟的技术而特别制作出一类经济型的PPMS,可以给使用者带来全新的感受:3T超导磁体,全自动测量大大节约测量时间;体积小,便携型产品,可减少实验室空间的占用(86kg);无需冷却水,低能耗;整个实验过程中无需液氦或液氮;集电学、磁学、热学测量于一体。
简介:基于局域密度近似(LSDA,Localspin-densityapproximation)和有效库仑相关能(Uapproach),采用第一性原理计算软件VASP,计算了钙钛矿型钆铝酸盐(GdAlO3,GAP)电子结构,并研究了铽离子(Tb3+)掺杂后(GdAlO3∶Tb,GAP∶Tb)对能带带隙(Eg,Energyofgap)的影响。计算结果表明:GAP为直接带隙半导体,带隙宽度主要由价带(VB,Valenceband)顶部的O-2p和导带(CB,conductionband)底部Al-3(s+p)、Gd-(s+d)(p)决定,Eg值为4.8eV;随着Tb3+的掺入,当掺入量为1/4原子比时(GAP∶Tb0.25)出现杂质能级,为3eV、2.3eV,分别对应Tb3+的5D3-7FJ(J=3,4,5,6)电子跃迁和5D4-7FJ(J=3,4,5,6)电子跃迁。当掺入量为1/16时(GAP∶Tb0.0625),仅杂质能级2.3eV较为明显,这一计算结果与GAP∶Tb0.7荧光粉在紫外激发下绿色荧光发射明显这一实验现象相符合(荧光发射主峰对应5D4→7F5(544nm))。