简介:采用金属有机化学气相沉积法在Si(111)衬底上生长了AlN外延层。高分辨透射电子显微镜显示在AlN/Si界面处存在非晶层,俄歇电子能谱测试表明Si有很强的扩散,拉曼光谱测试表明存在Si-N键,另外光电子能谱分析表明非晶层中存在Si3N4。研究认为MOCVD高温生长造成Si的大量扩散是非晶层存在的主要原因,同时非晶Si3N4层也将促使AlN层呈岛状生长。
简介:在普通酚醛树脂中直接掺杂氧化镍粉末,研究氧化镍掺量和炭化处理温度对树脂热解炭的结构与氧化过程的影响,用X射线衍射仪、拉曼光谱分析仪、扫描电镜和综合差热分析仪等对掺杂改性树脂热解炭的石墨化度、显微结构及氧化过程分析表征,结果表明,在埋炭条件下掺杂改性树脂在450-750℃的炭化处理中三氧化二镍被逐级还原为一氧化镍和单质镍后,碳原子在镍颗粒上沉积生长,形成晶须、片状或块状结构的热解炭,热解炭石墨化程度取决于炭化温度和氧化镍掺杂量,在高于1050℃炭化处理的热解炭中出现明显的石墨化炭峰,随着掺杂量增加,热解炭石墨化程度大大增加,氧化温度比普通树脂明显提高,且以3~5%的掺杂量为佳。
简介:以水合氯化钌和乙醇钠为原料,首先制备了乙醇钌的乙醇溶液。通过对乙醇钌的乙醇溶液进行雾化,以2:1的氮氧比为载气,在400℃常压条件下沉积了RuO2薄膜。采用XRD和AFM分别表征了薄膜的结构及表面形貌,证实了Ru02薄膜的晶体结构,晶粒尺寸为21.4nm。通过电化学测试,RuO2薄膜的容量可达0.818F/cm2(549F/g),充放电性能良好。经1000次循环测试,剩余容量仍然可达到初始容量的92.1%,同时发现RuO2薄膜具有较低的阻抗,有利于薄膜电容器以大电流快速充放电。
简介:环氧树脂可作为复合材料的基体树脂或作为粘合剂而广泛地应用于诸如航空和汽车等许多行业。这类聚合物最令人关心的一点就是它们的长期表现。对这类材料的湿气老化研究已有许多相关报道,能在高温下使用的新型改性环氧树脂也是研究热点之一。一般来说,除了在非常苛刻的使用条件下,在100℃以上,环境水对材料的影响可大大忽略,但是材料的气体环境影响,尤其是氧气,通常总是存在,并可能导致其他形式的强度损失。目前已有数篇文章试图解释材料的热降解机理和失重过程,以及强度下降现象。而最为普遍报道的环氧树脂化学降解方式为分子内的失水。vanKrevelen报道称交联点可能是聚合物网络中最脆弱的部分,因此可能导致在热降解过程发生链的解聚而变回到(部分)不交联的原料。为了能更深入的了解此类热降解现象,最近我们着力研究了一种经改性的环氧粘合剂在高温下的行为。
简介:基于局域密度近似(LSDA,Localspin-densityapproximation)和有效库仑相关能(Uapproach),采用第一性原理计算软件VASP,计算了钙钛矿型钆铝酸盐(GdAlO3,GAP)电子结构,并研究了铽离子(Tb3+)掺杂后(GdAlO3∶Tb,GAP∶Tb)对能带带隙(Eg,Energyofgap)的影响。计算结果表明:GAP为直接带隙半导体,带隙宽度主要由价带(VB,Valenceband)顶部的O-2p和导带(CB,conductionband)底部Al-3(s+p)、Gd-(s+d)(p)决定,Eg值为4.8eV;随着Tb3+的掺入,当掺入量为1/4原子比时(GAP∶Tb0.25)出现杂质能级,为3eV、2.3eV,分别对应Tb3+的5D3-7FJ(J=3,4,5,6)电子跃迁和5D4-7FJ(J=3,4,5,6)电子跃迁。当掺入量为1/16时(GAP∶Tb0.0625),仅杂质能级2.3eV较为明显,这一计算结果与GAP∶Tb0.7荧光粉在紫外激发下绿色荧光发射明显这一实验现象相符合(荧光发射主峰对应5D4→7F5(544nm))。