简介:最近,中科院物理研究所白雪冬研究组的王文龙副研究员和博士生杨晓霞等人在单壁B—C—N纳米管研究方面又取得了新进展。三元B-C—N纳米管的合成有两个基本途径:直接生长法与碳纳米管取代反应法。直接生长法是指把B、C、N三种元素的前驱物同时引入生长环境,在纳米管生长的同时实现对其B、N掺杂,CVD方法便是直接生长法的一种。而所谓取代反应法则是以预先合成好的碳纳米管作为母体,在高温下使之与合适的含B和N的化合物之间发生化学取代反应,当碳纳米管晶格中的部分C原子被B、N原子所取代掺杂后,便得到三元B—c—N纳米管。纳米管取代反应法在原理上是一种能大量制备三元B—C—N纳米管的方法,曾经在B—C—N多壁纳米管的合成方面取得较好的结果,但是对单壁纳米管却一直难以奏效。
简介:摘要分别采用混酸(浓H2SO4和浓HNO3)、浓HNO3、浓NaOH及浓H2SO4/H2O2对碳纳米管(CNTs)在室温下进行表面处理,通过FTIR、SEM、DSC和TGA研究了各改性方法对CNTs/环氧树脂(EP)复合材料热性能和电性能的影响。结果表明,混酸处理使CNTs在EP中的分散性、EP的玻璃化温度和热分解温度都显著提高,其它3种方法也有这种作用,相比较而言,H2SO4/H2O2和HNO3的改性作用稍差,而NaOH的最差。4种处理方法都使复合材料的导电性能、介电常数以及介电损耗显著下降,其中混酸处理使上述性能下降的程度最高,其次为H2SO4/H2O2处理,NaOH处理和HNO3处理对电性能影响较小。