简介：在实验中，首先利用精密数控车床加工铜芯轴，在铜芯轴表面电镀再覆盖金，硝酸腐蚀，最终得到φ400μm，长度700μm，壁厚20μm，两端开口的金柱腔。将洁净的金柱腔固定在靶杆上，然后将固定好的金柱腔浸没在掺杂丙烯酸酯单体溶液中，使溶液自动充满整个柱腔。溶液以掺杂丙烯酸酯单体（五氯苯酚丙烯酸酯（AE1）、五氯苯酚2-甲基丙烯酸酯（AE2）、五氯苯酚丁烯酸酯（AE3）），三羟甲基丙烷三丙烯酸酯（TMPTA）或者季戊四醇四丙烯酸酯（PETA）单体，聚氧乙烯十二烷基醚（Brij30）或者正癸醇（DEC）为溶剂，安息香甲基醚作为光引发剂（添加量为单体质量的1％），通过针管向石英管中通氮气5min达到除氧目的，距离石英管1cm远处，使用紫外光灯照射金柱腔中的单体溶液约3min，光强6．30W／cm^2，单体溶液经过紫外辐照后在金柱腔中生成聚合物凝胶。聚合物凝胶在甲醇中浸泡24h，然后使用二氧化碳超临界干燥（控制温度34℃，压力8．0-9．0MPa，保持4h）除去甲醇，最终在金柱腔中得到聚合物泡沫，各阶段照片如图1所示。

简介：以商洛某铅锌尾矿库的铅锌冶金炉窑渣制得的醋酸锌为锌源,尿素为沉淀剂,采用金属离子掺杂的方法制备掺杂金属离子的ZnO粉体.以水体中亚甲基蓝（MB）的光催化脱色降解为模型反应,对各掺杂样品掺杂配比进行优化,考察了光源条件对各掺杂ZnO光催化活性的影响,并对ZnO循环使用的光催化稳定性进行测试.研究表明：掺杂Sn、Ag、Al元素的纳米ZnO,在Sn、Ag、Al与Zn配比分别为1∶9、1∶40、1∶20时,各掺杂样品的催化活性较高.在模拟可见光照射下,各掺杂ZnO样品较纯ZnO对可见光的吸收有一定的增强,在可见光下降解180min后,相应MB溶液的降解率分别达70.8％、64.8％和53.0％.通过循环测试发现,掺Sn氧化锌样品循环使用3次后,其光降解率仍在95％以上,循环5次时,其光解率仍高于90％.

简介：以采用物理热蒸发法制备的纯ZnO纳米线和Ag掺杂ZnO纳米线为气敏基料，制备成旁热式气敏元件，用静态配气法对浓度均为100ppm的无水乙醇蒸汽、氨气、甲烷及一氧化碳四种气体进行气敏性能测试，结果表明，Ag掺杂后，ZnO纳米线对四种气体灵敏度的最高值分别提高了230％，92％，158％，49％，缩短了响应时间和恢复时间。

简介：摘要国家大力推进能源互联网战略，对智能电网的建设提出了更高的要求。而要建设更高效率的智能电网则要依赖二次电池体系。二次电池体系锂硫电池因其能量密度高和原材料丰富等优点而备受关注。应用第一性原理方法对Li2S及其掺杂化合物的晶体结构、电子性质进行了研究。结果表明Co引起费米能级处的间隙态通过调制电子以有利于Li的嵌入/脱出。通过改性使其拥有更好的容量保持率和循环稳定性，进一步提高电网的稳定性。

简介：采用声化学法研究Zn掺杂对氧化镉纳米结构生长过程的影响.纳米颗粒的X射线衍射（XRD）谱表明,所制备的CdO样品为立方结构.场发射扫描电子显微镜（FESEM）图像显示,样品用Zn原子掺杂时,其形貌发生变化,粒度变小.利用室温光致发光（PL）和紫外？可见光谱（UV-Vis）分析技术研究样品的光学性质,结果表明,不同的发射带由不同的跃迁引起,CdO能带隙由于掺杂而增大.对纳米结构电学性质的研究表明,Zn掺杂导致光生载流子密度提高,从而使得纳米结构的导电性提高,光照射纳米结构所产生的光电流亦增大.根据本研究的结果,Zn掺杂可以改变CdO纳米结构的物理性质.

简介：采用溶胶-凝胶（Sol-Gel）法生长了纯ZnO及Co单掺ZnO薄膜.利用金相显微镜观察了Zn1-xCoxO薄膜的表面形貌;同时利用X射线衍射仪（XRD）研究了掺杂浓度对其微结构的影响.结果指出,所制备的纯氧化锌及掺杂氧化锌薄膜样品均具有较好的c轴择优取向生长;实验中,我们在室温条件下进行了光致发光的测量.ZnO薄膜中掺入Co元素会改变薄膜的微结构,导致锌填隙缺陷和氧位错缺陷浓度发生变化,进而影响薄膜的禁带宽度和发光特性.现对最近几年Co掺杂ZnO薄膜的结构和光学性质进行阐述,并对今后的发展方向进行了展望.

简介：采用固相法，利用掺杂技术合成钻酸锂（LiCoO2），研究了稀土复合掺杂对材料的影响，用XRD、SEM、激光粒度分析（LPS）、BET和充放电测试，对材料进行了分析。相对未掺杂的材料，在同样工艺条件下合成的LiCoO2具有更完整的结晶度、更大的中粒径，较高的压实密度；在25℃循环（1C，3．0-4．2V）100次，容量衰减减少了2．51％，在85℃／4h高温存储测试中，容量保持率和容量恢复率分别提高了2．85％、5．34％。

简介：测量了ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Co2O3,ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Cr2O3,ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2和ZnOTiO2-Bi2O3-CuO-MnO2-Co2O3-Cr2O3压敏陶瓷的正电子寿命谱及其电性能参数。研究了MnO2、Co2O3和Cr2O3掺杂对ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO压敏陶瓷电子密度和电性能的影响。实验发现：ZnO-TiO2-Bi2O3-CuOCr2O3压敏陶瓷基体和晶界缺陷态的电子密度均最高,其压敏电压最低;ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2压敏陶瓷晶界缺陷态的电子密度最低,其压敏电压比前者高;ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Co2O3压敏陶瓷基体（晶粒内）的电子密度最低,其压敏电压较高;而ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2-Co2O3-Cr2O3压敏陶瓷基体和晶界缺陷态的电子密度均较低,其压敏电压VT和非线性系数ɑ最高,漏电流IL最小。

简介：采用扫描电镜、能谱仪以及X射线衍射仪对具有WC＋β（β为钴基粘结相）两相结构的WC-11Co-0.71Cr3C2-0.06RE（RE为含La、Ce、Pr、Nd的混合稀土）硬质合金烧结体表面进行观察与分析。结果表明，在烧结过程中合金中的La、Ce、Pr、Nd通过定向迁移与烧结炉内气氛中的S、O等杂质元素结合，在合金烧结体表面形成RE2S3（主）和RE2O2S（少量）弥散相。从合金中Cr3C2的热力学稳定性、Cr在Co中的溶解度特性以及稀土原子激发等3个方面，对稀土迁移活性的激发机制和稀土原子的定向迁移机制进行分析与讨论。

简介：1989年11月至1990年7月之间,巧家县茂租乡连续发生爆炸、煤气中毒、杀人等三起案件,五人死于非命。案子几经反复,后在省公安厅专家帮助指导下告破。主观臆断、缺乏实事求是的科学态度,现场勘查及尸体检验不规范、班子不配套、现场分析研究缺乏并案侦查意识,业务素质不高等是造成案子几经反复所得的教训和启示。

简介：将端羧基丁二烯丙烯腈橡胶（CTBN）与三乙醇胺反应，得到多端羟基橡胶，掺杂功能化多壁碳纳米管（MWNTs），与4，4’-二环己基甲烷二异胺氰酸酯（H12MDI）反应，得到预聚物，再加入系列聚乙二醇（PEG，Mn=2000）共聚合，得到一系列聚氨酯复合材料，采用扫描电镜（SEM）、热失重（TG）等表征手段研究复合材料的形貌和性能，结果表明，掺杂不同纳米管不仅能提高聚氨酯型材料的力学和热学性能，更重要的是可增强对溶剂饱和蒸汽气敏响应性能力。

简介：应用扩展X射线精细结构（EXAFS）技术研究了化学改性MnO2中锰及铋的结构形态。结果表明：掺杂元素铋进入MnO2的晶格，增大MnO2的不同壳层配位无定形。在MnO2-电子放电还原过程中，铋的氧化态保持稳定，MnO2没有发生结构重排。

简介：基于体锗的能带结构,从理论上计算分析了张应变和N型掺杂对锗能带结构的调节。张应变使价带和导带的能级分裂、偏移,N型掺杂使费米能级偏移,从而将锗调节为准直接带隙材料。当单独引入0.018的张应变时,锗变为准直接带隙,直接带隙为0.53eV。当单独掺杂N型杂质9.5×1019cm-3时,锗的费米能级到达Γ带底。引入适量的张应变和N型掺杂浓度,既有利于锗能带结构的调节,又有利于材料的实际制备。研究结果为锗发光器件的设计和制作提供借鉴。

简介：本文叙述了用含硼掺杂物石墨碳源材料合成金刚石的效果，讨论了石墨碳源中含硼掺杂物种类及其掺量对金刚石晶体生长性能及其质量的影响，在对含硼掺杂物石墨碳源多种性能进行测试与分析的基础上，指出了选择金刚石碳源的重要性，必要性及原则。

简介：<正>稀土离子和半导体纳米晶(或量子点)本身都是很好的发光材料,二者的有效结合能否生出新型高效发光或激光器件一直是国内外学者关注的科学问题。与绝缘体纳米晶相比,半导体纳米晶的激子玻尔半径要大得多,因此量子限域效应对掺杂半导体纳米晶发光性能的影响变得很显著,从而有可能通过尺寸调

简介：摘要:采用乙酸乙酯溶解松脂，用水溶解反萃取出掺杂在松脂中氯化钠，然后在邻苯二甲酸二丁酯作为AgCl沉淀保护剂情况下，用佛尔哈德法测定下层水相中氯化钠的含量。实验证明，该方法简单、快捷且重现性好和回收率高，适合于松脂掺杂物中氯化钠的快速测定。

简介：摘要目的探讨常见的掺杂和掺伪的中药饮片的鉴别方法。方法对常见的中药饮片掺伪、掺杂现象进行分析，总结常见的如形状掺伪鉴别、染色掺伪鉴别、重量掺伪鉴别、同源掺伪鉴别、浸提后的药品掺伪鉴别、非药用部位掺伪等中药饮片掺伪、掺杂的鉴别方法，并就山茱萸的快速检测案例进行了介绍，对快速检测方法鉴别中药饮片的应用进行分析。结果常见的鉴别方法速鉴别作用有效，应用便捷。结论加深对常见中药饮片掺伪、掺杂的鉴别与认识，可有效对中药饮片的质量进行控制。

简介：基于密度泛函理论的第一性原理，结合广义梯度近似，对Mg、Al不同浓度掺杂的ZnO进行能带结构、电子态密度以及光学性质的研究，结果表明，由于Mg原子电子分布和Zn原子的差异，Zn-4s向高能端偏移，而价带基本保持不变，使得禁带宽度增大。由于Al的价电子比Zn多一个，掺杂Al使ZnO成为n型掺杂半导体，导致Zn0的导电性增大。从对二者的光学性质的分析可以看出，掺杂Mg后并没使ZnO的吸收谱的吸收边发生明显的移动，而掺杂Al使ZnO的吸收边向短波方向移动，发生了蓝移现象。

简介：以氧化锡（SnO2）、五氧化二铌（Nb2O5）和三氧化二锑（Sb2O3）粉末为原料，通过无压固相烧结技术制备了SnO2基导电陶瓷，研究了Nb2O5单掺杂及Nb2O5—Sb2O3双掺杂SnO2基陶瓷的电导率和热膨胀性。采用X射线衍射仪对试样物相结构进行了袁征。研究发现，当Nb205掺杂量为14％（摩尔分数，下同）时，SnO2基陶瓷800℃的电导率达10．51S／cm;在此基础上，当Sb2O3添加量为2％时，500℃的电导率达1．61S／cm。SnO2-Nb2O5基陶瓷的热膨胀系数随Nb2U掺杂量的增加而降低，Sb2O3的添加使SnO2基陶瓷的热膨胀系数增大。X射线衍射仪分析结果表明，Nb2O5能均匀分布在SnO2粉末中，形成稳定的固溶体；Sb2O3的添加不利于Nb2O5形成稳定的固溶体。

简介：辐射输运研究是惯性约束聚变实验研究的重要内容。在这类实验中需要研究辐射输运沿柱腔内填充的聚合物泡沫材料的传输问题。多元丙烯酸酯聚合物泡沫适用于ICF柱腔靶填充泡沫，并且可以直接在柱腔或各种形状的靶中成型，无须后续的精密加工过程，消除了泡沫柱与柱腔之间的装配误差。