简介：主要叙述纳米技术、纳米材料、量子器件及其应用。

简介：WEEE将于2005年8月13日实施，RoHS于2006年7月1日实施。所有欧盟国家必须于2004年8月13日前将以上指令转换为国家之法律。

简介：本文从器件和PCB安装结构发展的趋势出发，探讨了PCB组装工艺未来发展的趋势表面临的挑战，分析了应付这种挑战的对策。

简介：现代电子信息技术是传感技术（信息的检测、变换、显示）、计算机技术、通信技术以及微电子技术等的总称。电子信息技术及其产业的迅猛发展，不仅使生产实现自动化、生产效率成百上千倍地增长、成本大大降低、产品质量不断提高，而且开辟了机器代替人的体力甚至部分脑力劳动的新时代。电子信息技术已渗透到国民经济的各个领域，完全改变了传统的生产方式。据统计，现在全世界国民生产总值的65％同集成电路有关。

简介：本文叙述了表面组装技术（SMT）对PWB的要求，表面组装元器件（SMD）封装密度提高与引出端增多，使PWB导线宽度/间距/导通孔孔柱向微细化的积层多层（BUM）印制板发展。功率器件组装用的PWB，要求具有更高的热导率，直接键合铜箔（DBC）的陶瓷覆铜板与金属基覆铜板，将是高热导率PWB的主要基材。最后指出，生产无污染的“绿色型”PWB代替目前最常用的对环境有污染的阻燃型PWB，将是近期的发展方向。

简介：本文根据2004年国际功率半导体器件与功率集成电路会议(ISPSD’04)的论文内容对功率集成电路制造技术的近期发展进行了简单的概述。

简介：

简介：高速异步串行总线在现代通信设备中应用越来越广，文中介绍了一种基于FPGA的高速异步串行总线设计，详细描述了硬件设计和总线协议的实现方法。在现代通信系统的应用中有较高的实用价值。

简介：本文介绍了西门子新一代变频器G150的产品性能和技术特点，以及在杭州自来水总公司新德驻洋站变频改造的情况，技术改造方案和所用设备。

简介：卤素，指化学元素周期表中的卤族元素，包括氟（F）、氯（CL）、溴（Br）、碘（1）。目前，阻燃性基材，FR4、CEM-3等。阻燃剂多为溴化环氧树脂。溴化环氧树脂中，四溴双酚A、聚合多溴联苯，聚合多溴联苯乙醚，多溴二苯醚是覆铜板的主要阻燃料，其成本低，与环氧树脂兼容。

简介：本文将从数字化网络的造纸机传动，可控张力和转矩的复卷机传动，专用收卷的变频传动三个不同的方面来阐述纸机传动的控制方式和发展趋势。

简介：在JPCANews2006／2期杂志中发表了《日本电子电路发展指南》一文，该文是参照日本2005年版电子安装技术发展指南（RoadMap）中数据，对电子电路的技术发展作介绍，有关印制板的发展是采用达到先进批量生产的数据。所叙述的技术发展有：印制板用基板材料，包括刚性PCB、挠性PCB、IC封装载板用材料的需求：印制板高密度化发展要求，包括各种PCB线宽、线距与孔径变化：埋置元件PCB技术的发展等。

简介：本文主要介绍镍镉电池、镍氢电池和锂离子电池的充电方式，并且结合各类电池自身的特点给出了判断其是否充满的方法。然后，分析了镍类电池的特殊充电曲线、锂离子电池恒压阶段的电压补偿，使充电控制更准确、更实用。评把综合考虑时间控制、电压控制和温度控制的充电控制技术，成功应用于智能充电机设计中。

简介：

简介：由於面形阵列封装越来越重要，尤其是在汽车、电讯和计算机应用等领域，因此生产率成为讨论的焦点。管脚间距小於0．4mm、既是0．5mm．细间距QFP和TSOP封装的主要问题是生产率低.然而，由於面形阵列封装的脚距不是很小(例如，倒装晶片小於200μm)，回流焊之后，dmp速率至少比传统的细间距技术好10倍，进一步，与同样间距的QFP和TSOP封装相比，考虑回流焊时的自动对位,其贴装精度要求要低的多。

简介：（3）烙铁头使用寿命缩短烙铁头一般采用导热性好的铜或铜合金，为防止焊接中的高温氧化及被焊料的侵蚀，烙铁头部都施于镀Fe或Ni，但焊接中会因为侵蚀速度不同，烙铁头会同样受到损伤。

简介：介绍了14位ADC采样芯片MAX1032的特性及工作原理,结合CPLD,给出MAX1032使用外部时钟模式由CPLD控制采样和存储结果应用方案及CPLD的逻辑设计方法。本方案适用于工业控制,自动测试,数据采集等领域。文中同时给出了使用Verilog编写的CPLD代码及主要原理图。

简介：电磁兼容（EMC）在电子产品中是一项重要的技术指标。本文介绍影响固态继电器（SSR）EMC的主要因素、试验方法和判定标准。同时，提出了测试时注意事项和给出了一组具有实用价值的结果。

简介：析了差分放大器的两种负反馈形式及反馈网络的反向传输效应在高性能差分放大器设计中的作用。讨论了差分放大器的输入输出关系、输入输出阻抗、负载、以及信号源阻抗等对差分放大器性能的影响。

简介：文章介绍了石药集团维生药业（石家庄）有限公司在应用变频器同时深入挖掘变频器输出点具体运用方面的情况。