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  • 简介:对单晶硅太阳电池进行150℃、200℃的热处理,发现其输出特性有所提高。将单晶硅太阳电池在灯光下辐照12小时,在灯光辐照过程中,样品的转换效率随光照时间的增加而呈总体下降的态势,且下降一定程度后转换效率基本不变,对辐照过的样品分别进行150℃、200℃的热处理,热处理后的电池样品的转换效率得到了回复。

  • 标签: 太阳电池 热处理 灯光辐照
  • 简介:利用10MeV质子对130nm部分耗尽SOIMOS器件进行辐照,测试了在不同辐照吸收剂量下,器件的辐射诱导泄漏电流和栅氧经时击穿寿命等参数,分析了质子辐照对器件TDDB可靠性的影响.结果表明:质子辐照器件时,在Si-SiO2界面产生的界面陷阱电荷,增加了电子跃迁的势鱼高度,减少了电荷向栅极的注入,减小了器件的RILC,增加了器件的TDDB寿命.

  • 标签: 辐射诱导泄漏电流 栅氧经时击穿 可靠性 质子辐照 部分耗尽SOI
  • 简介:建立了燃耗耦合计算方法,并用基准题对其进行了验证。利用传统核数据库和高能数据库计算了热功率为1000MW的ADS堆芯在不同燃耗下的有效增殖因数keff、有外源的有效增殖因数keff,s、质子束流强度Ip、MA核素的嬗变率及嬗变支持比。结果表明:传统核数据库和高能核数据库下计算的keff间的最大偏差及keff,s间的最大偏差均约为1%;传统核数据库下,Ip每300d平均增加7mA,MA核素的嬗变率为29.9%,嬗变支持比为36.7,能核数据库下对应的Ip为8mA,MA核素的嬗变率为30.5%,嬗变支持比为37.3。这说明高能核数据库对MA核素嬗变物理参数的影响与传统核数据库的影响基本相当。

  • 标签: 次临界系统 外中子源 燃耗 嬗变 数据库
  • 简介:研究目的:探究城市居民小汽车交通行为变化的原因有多少来自人口统计特性的变化,有多少来自城市结构的改变。创新要点:考虑家庭成员的生活任务分工以及家庭资源的分配等对每个家庭成员出行方式的影响,构建基于家庭生命周期的小汽车出行行为模型,为控制小汽车出行对策的研究提供准确依据。研究方法:采用调查与统计理论,掌握居民的出行行为特征;基于经济计量学建模方法,构建居民小汽车出行行为联立方程模型。重要结论:城市结构关系的改变在抵消了人口统计特性的变化对小汽车交通产生的负面影响之后,小汽车交通总体呈上升趋势。

  • 标签: 城市小汽车交通 家庭生命周期 城市结构变化 联立方程模型
  • 简介:目的:探索燃料富氧燃烧过程中不同浓度CO2的稀释作用对NOx生成的影响,为探索Nx在O2/CO2气氛中生成机理研究提供理论基础。创新点:提出一种无分支链式反应解释说明CO2在还原性粒子环境中对反应的影响。方法:通过ChemkinPro中塞流式反应器模块对混入NH3的CH4燃料在O2/CO2气氛中反应进行数值模拟,同时改变CO2的稀释程度来探索CO2浓度对NOx生成的影响,并比较不同反应机理下的模拟结果,探索此环境中NOx的生成机理(表1)。结论:1.无支链反应机理可用于解释CO2在还原性粒子环境中对Nq生成与还原的影响;2.随着C02浓度的升高,无支链反应和支链反应相互竞争H,进而抑制NO的生成;3.在对NH,转化效率的影响方面,CO2浓度增加引发的无支链反应和支链反应对H的竞争,在富燃料条件下从促进转化变为抑制转化,在化学当量和贫燃料条件下从无影响变为抑制转化。

  • 标签: CO2 富氧燃烧 NO 燃料稀释
  • 简介:阳极杆箍缩二极管产生的X射线焦斑小,达亚mm量级,且焦斑位置稳定,是一种理想的闪光X射线照相加速器二极管.但是,由于其工作阻抗较高(约40~60Ω),导致无法与大电流低阻抗的脉冲功率源匹配.通过预先向二极管中注入等离子体,可以降低二极管最初工作阶段的阻抗,实现与低阻抗驱动源的匹配.预充等离子体的密度直接影响二极管的工作状态,特别是对等离子体鞘层和空间电荷限制流的形成具有较大影响.采用理论分析和数值模拟相结合的方法,对预充等离子体阳极杆箍缩二极管的工作过程和等离子体密度对二极管的电子束箍缩特性进行了分析,结合“剑光一号”加速器水线输出参数(峰值电压为1MV),给出了合适的预充等离子体的密度范围为1015~1016cm-3.

  • 标签: 等离子体密度 预充等离子体阳极杆箍缩二极管(PFRPD) 鞘层 空间电荷限制流
  • 简介:测量了ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Co2O3,ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Cr2O3,ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2和ZnOTiO2-Bi2O3-CuO-MnO2-Co2O3-Cr2O3压敏陶瓷的正电子寿命谱及其电性能参数。研究了MnO2、Co2O3和Cr2O3掺杂对ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO压敏陶瓷电子密度和电性能的影响。实验发现:ZnO-TiO2-Bi2O3-CuOCr2O3压敏陶瓷基体和晶界缺陷态的电子密度均最高,其压敏电压最低;ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2压敏陶瓷晶界缺陷态的电子密度最低,其压敏电压比前者高;ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Co2O3压敏陶瓷基体(晶粒内)的电子密度最低,其压敏电压较高;而ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2-Co2O3-Cr2O3压敏陶瓷基体和晶界缺陷态的电子密度均较低,其压敏电压VT和非线性系数ɑ最高,漏电流IL最小。

  • 标签: ZnO基压敏电阻 金属氧化物掺杂 缺陷 电子密度 电性能
  • 简介:在未采取预电离措施的情况下,研究了纯sf6气体及sf6/h29sf6/c2h6两种混合气体激光介质脉冲放电特性。实验结果表明,无预电离时SF68其混合气体介质可以实现自引发体放电,气体介质体放电维持电压主要由SF,;含量决定,C2H6具有抑制电弧的作用,可以有效延长体放电维持时间。分析认为,sf66体高折合场强E/P导致的放电通道电流密度受限和高电负度■引起的放电通道中负离子分解产生二次电子,是介质实现自引发体放电的重要机理。

  • 标签: HF激光 自引发 体放电 电弧放电