简介:TH7032005031635MOCVD-Ga0.4In0.6As0.85P0.15/InP分布布喇格反射镜的反射率=ReflectivityofMOCVD-Ga0.4In0.6AS0.85P0.15/InPdistributedBraggreflectors[刊,中]/蒋红(中科院长春光机所激发态物理重点实验室.吉林,长春(130033)),金亿鑫…∥发光学报.-2004,25(6).-686-690采用MOCVD方法,获得高质量的InP和较高质量的GaxIn1-xAsyP1-y外延层,通过GaxIn1-xAsyP1-y/InP交替生长制备出在工作波长为1.55μm时具有较高反射率的分布布喇格反射镜。根据光在多层介质膜中传播的传递