简介：采用准静态模型近似描述地表异常电场传播到电离层的过程，建立了强震前带电气溶胶排放产生的附加电流，造成大气层一电离层传导电流扰动，最终造成电离层中电场扰动的计算方法；分析了电离层中电场发生明显扰动的区域大小与带电气溶胶排放参数的对应关系，并根据我国川滇地区和大华北地区强震等震线的特点，计算了不同等震线长短轴比值下，电离层中电场扰动面积随地震震级及带电气溶胶数密度的变化规律。结果表明：强震前气溶胶浓度远大于能引起电离层异常的最小气溶胶浓度值，会在地表处产生一个幅值小于100V·m-1的异常电场，并在电离层内产生幅值大于10mV·m-1的扰动电场；在相同气溶胶粒子数密度和相同震级条件下，等震线长短轴的比值k越小，电离层中电场异常区域越大。

简介：在调查、访谈的基础上总结归纳出初中学生在电学上存在4个典型的前概念，并有针对性地提出转变电学前概念的三个教学措施，即设置冲突情景、利用变式强化正确概念、教学中培养学生思维方法．从而使学生科学有效地掌握初中电学概念．

简介：针对DC/DC的质子位移效应,选取具有抗TID能力的DC/DC器件作为试验样品,在3MeV质子辐照条件下获取了器件的失效位移损伤剂量.结果表明,DC/DC功能失效是PWM控制器输出异常导致的.通过等效^60Coγ辐照及退火试验,排除了TID效应的影响,确定器件功能失效是由位移损伤引起的.高温退火后器件功能恢复,并立即对该器件进行了测试.结果表明,输出电压、电压调整度、负载调整度、交叉调整度、纹波及负载跃变时的输出电压均大幅衰退.利用这些敏感参数,获取了位移损伤导致的电源性能衰退模式.根据位移损伤缺陷类型及退火温度,分析了DC/DC的退火规律,可为DC/DC质子辐射损伤模拟试验方法的建立及其空间应用提供依据.

简介：利用拉曼光谱研究了He^2＋注入六方SiC晶体样品时的损伤缺陷随注量的变化关系，并采用直接碰撞/缺陷模拟模型与多级损伤累积模型，模拟了室温及723，873，1023K下晶体样品的无序度随注量的变化关系。测试结果表明：随着注量的增加，晶体样品无序度增大，样品的拉曼特征峰强度减小。

简介：根据双极晶体管电流增益倒数与中子注量的线性关系,基于最小二乘法,提出了先求平均值再线性拟合、先线性拟合再求平均值的两种方法来计算中子辐射损伤常数,并重点对其不确定度进行了评定,给出了自变量和因变量同时存在不确定度时的线性拟合方法。分析表明,两种方法的计算结果一致,但复杂程度不同,实际应用时采用先求平均值再线性拟合的方法更好。同时,还分析了不确定度评定过程中相关性产生的原因,给出了通过解析表达式判断相关性的方法。分析表明,应用协方差传播律,由相关性引入的估计协方差可以用独立参数的不确定度来表达。最后,给出了两种方法在实验数据处理中的应用。

简介：对一款国产CMOS图像传感器进行了不同射线粒子的辐照试验,研究了质子、中子和γ射线等粒子辐照对器件饱和输出电压的影响.试验结果表明,在γ射线和质子辐照下,器件的饱和输出电压显著退化,而在中子辐照下,饱和输出电压基本保持不变,表现出较好的抗中子能力.对γ射线和质子辐照下器件饱和输出电压的退化机理进行了分析,饱和输出电压的退化主要受电离总剂量效应影响：随着辐照累积剂量的增加,饱和输出电压逐渐减小且在退火中的变化趋势与CMOS图像传感器像素单元的饱和输出信号变化趋势一致.辐照导致饱和输出电压退化的主要原因是光敏二极管周围的LOCOS隔离氧化层内产生了大量的辐照感生电荷.

简介：阐述高等学校设置科研训练课程这一实践环节的必要性和重要意义。以应用物理专业为范例,为了适应创新驱动人才培养模式的新变革,详细分析了新形势下科研训练与创新能力的紧密关系,通过具体举措,达到真正提高教学水平,切实培养高校学生创新能力这一目标。

简介：采用多陷阱的理论方法,模拟了不同剂量率辐照下MOS电容的总剂量效应,分析了氧化层空间电荷场效应与辐照剂量率的关系.研究了氧化层中浅能级陷阱、深能级陷阱对界面俘获电荷和半带电压的影响.研究结果表明,相对于高剂量率辐照,低剂量率在Si/SiO2界面附近俘获更多的空穴,导致产生更大的半带电压漂移;空间电荷场效应是由高、低剂量率辐射损伤差异造成的;浅能级陷阱俘获的空穴主要支配着氧化层电荷的传输特征,被深能级陷阱俘获的空穴是永久性的,是引起器件半带电压漂移的主要原因.

简介：

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