AlN纳米线CVD生长机理分析

(整期优先)网络出版时间:2013-06-16
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采用化学气相沉积(CVD)法,在常压无催化剂的条件下生长出了一维AlN纳米结构,通过调节生长温度控制生长形貌,利用气固原理和Ehrlich—Schwoebel势垒模型着重分析其生长机理,当温度较高时,原子扩散长度变大,并得到较高能量,使其能从上一层跃迁到下一层,且纳米棒底部直径变大,直径变粗。