简介：硅是推动人类文明大步前进的现代计算机技术的核心，硅也可能在未来的计算机技术等方面起到关键作用，所以硅的研究历来是国际重大研究领域。半导体表／界面是未来关键器件中复合结构的基础，Si（111）-7×7重构表面相又是半导体重构表面的代表，因此Si（111）-7×7重构表面相及其相变动力学现象的研究，一直是一个国际重大课题。

简介：我国钻井岩芯的气体采集方法有了实质性创新。从中国地质调查局油气资源调查中心获悉，由该中心技术人员研制出的两种适用于陆域天然气水合物钻探现场岩芯气体的采集方法提高了野外工作的效率和采集气体样品的质量，并具有操作简便等优点。

简介：近年来，我国显示材料产业加速发展，从液晶材料（LCD）到有机发光二极管（OLED），我国正在逐渐缩小同美、日等国的差距。这其中，既离不开科研人员的辛勤努力，也离不开优秀企业和企业家的不懈耕耘。时至今日，在国内显示材料领域苦干几十年未曾离去的人，显然都经过了这个行业的“干锤百炼”，已然成为行业尖兵。

简介：云南钛业股份有限公司是我国钛材生产加工领域的一支新军，该公司以冷、热轧钛卷生产加工为主。2010年，云南钛业钛卷产销量达到1445t。通过自主研发，云钛掌握了利用轧钢设备成卷轧制钛卷的核心技术，2008年4月采用昆钢钢铁设备成功轧制出了我国第一卷冷轧退火钛卷，申报创造了7项专利技术，

简介：位于美国罗利的北卡罗来纳州立大学的材料研究员调整了一项可以在一天内精确控制量子点纳米棒上的硅涂层生长的技术，是现有技术速度的21倍。除了节约时间外，其优势还在于使量子点更不易于失效，保持其优异的光学性能。

简介：日前，中铝公司所属云铜集团“十一五”国家科技支撑计划“高速铁路专用铜合金导线产业化开发”项目通过国家科技部验收。“高速铁路专用铜合金导线产业化开发”项目于2007年获得国家科技支撑计划立项，国家支持经费1690万元，由云铜集团和北京有色金属研究总院共同承担课题研究。

简介：剑桥麻省理工学院的研究人员发现的一种磁现象可以获得更快、更高密度和更高能源效率的芯片，可以用于存储和计算。它可以减少储存的能源需求并且将检索一个数据位效率提高1万倍，材料科学与工程副教授GeoffreyBeach说。这个研究结果能克服磁性材料使用中的基本限制，形成一种全新的设计方法。

简介：奥地利因斯布鲁克大学的科学家借助微型半导体结构，用激光照射量子点首次获得了成对的光子。这一成果可进一步推动量子的应用研究，并可用于量子计算机的开发。量子点是准零维的纳米材料，由少量的原子构成。单个原子很难被“固定”，而量子点比较容易“被集成到半导体芯片中”。研究人员在实验中采用了砷化铟中的量子点。这种量子点每个有约一万个原子组成，由于其特殊的结构，它们的活动与单一原子十分相似。

简介：中国科学院等离子体物理研究所太阳能材料与工程研究室在有关项目的支持下，发展了量子点敏化太阳电池中量子点制备的新方法。该研究结果发表在英国化学会《化学通讯》上。该新方法采用金属硫族络合物（MCC）为前躯体，MCC吸附到二氧化钛（TiO2）纳米颗粒表面后，将TiO2纳米膜进行温和的热处理，

简介：美国国家标准工艺研究所（NIST）的科学家制成了由硅纳米线与传统数据存贮装置结合在一起的混合记忆元件。美国乔治马松大学和韩国Kwangwoon大学的研究人员一起参加了这项工作。这种混合结构可能比其他利用纳米线制成的记忆元件可靠性更高，而且更加易于转入商业应用。

简介：采用高温熔融－退火法在钠硼铝硅酸盐（SiO2-B2O3-Na2O-Al2O3-ZnO-AIF3-Na2O）玻璃中生长了PbSe量子点，通过X射线衍射（XRD）、透射电镜（TEM）、光致荧光（PL）谱等研究了玻璃配料中不同ZnO含量对PbSe量子点尺寸和浓度的影响，结果表明，ZnO含量占总玻璃配料质量比约9．4％时，生成的量子点尺寸比较均匀，直径约为6．5nm，且浓度较高，PL谱强度最强，辐射峰位于1790nm，FWHM为296nm。玻璃配料中加入适量的ZnO有助于PbSe量子点的形成，减少Se元素的挥发，使玻璃中的量子点尺寸分布趋于均-化。

简介：~~

简介：采用热注入法成功制备出三元AgInS2和四元Ag—Zn—In—S量子点，物性测试得到AgInS2量子点的发射峰为701nm，Ag—Zn—In—S量子点的发射峰593nm，即Ag-Zn-In—S量子点的发射峰相对于AgInS2量子点发生了蓝移，AgInS2和Ag—Zn—In—S量子点都表现出了较长的荧光寿命，分别为169ns和162ns，结合生物组织光学窗口范围限制，相对Ag—Z—In—S，AgInS2量子点更适用于生物标记。

简介：德国Ⅵ系统公司宣布研制出第一个通过多模光纤数据传输速率达40吉比特／s（40Gbit／s）的单VCSEL（垂直腔面发射激光器）。2009年1月份在美国加州SanJose召开的光子学会议上，该公司刚介绍了其20吉比特／s的器件，目前又使它的量子点激光器的调制速率提高了1倍。该公司利用其VCSEL和PIN光探测组件实现了通过多模光纤的40吉比特／s连续传输，这是850hm（波长）光发射的刨记录器件，是用与20吉比特／sVCSEL相同的光刻掩模研制的，但对外延结构作了改进。这种器件设计利用GaAs量子阱中的InAs量子点，并嵌入到AlGaAs基体中。

简介：据海外媒体报道，近日，美日科学家合作以镱为基础材料研制出一种奇特的新型超导体。该超导体不需要改变压力、磁场强度或经化学掺杂，在自然状态就能达到物理学家所说的“量子临界点”。这一发现突破了理论物理的限制，为人们理解量子临界状态打开了新视野。这种异常性质，也将改变人们对超导体制造、电子数据存储的理解方式。有关研究结果发表于近期《科学》上。

简介：通过磁控溅射技术和1100℃的高温后退火处理,在富硅碳化硅薄膜中形成高密度小尺寸的硅量子点,硅量子点的结构由X射线光电子能谱和高分辨透射电镜进行表征,结果表明,在高温退火过程中,碳化硅薄膜发生了相分离,硅和碳的化学结合态在热力学的驱动下形成稳定的Si-Si键和Si-C键,同时,氮原子钝化了分解过程中形成的Si悬挂键,在硅量子点的表面形成SixN/SiyC非晶壳层。这种非晶壳层包覆量子点的结构配置非常有利于形成稳定的超小硅量子点（1-3nm）,此结构的量子效应所产生的光吸收了从绿光到紫外光的光谱范围,大幅度提高光伏太阳能电池的光电转换效率。

简介：民营企业家是企业文化的最佳提炼者。民营企业文化的形成过程实质上就是企业家在挖掘深藏在员工心灵深处的观念体系,结合企业的战略目标和企业的利益共同点提炼出企业的经营哲学、价值观、特色和

简介：日本东芝公司的研究人员开发出一种三维记忆胞阵列。这种结构提高了单胞密度和数据存贮容量。在这种结构中，一些堆集的柱状记忆元件垂直穿越多层电极材料并利用共享外围电路。这一创新设计对未来高密度闪存记忆技术可能是一种可取技术。

简介：近日，德国马克斯-玻恩非线性光学与短脉冲光谱学研究所（MBI）的研究人员与国际伙伴一起研发了一个试验装置，首次可以准确确定电子从隧道效应障碍物中出来的时间点。该研究为原子和分子中的“多电子重排”在空间和时间上的直接分辨提供了一个普遍方法。相关研究发表在《自然》杂志上。

简介：报导了CdS／ZnS纳米晶体（NCs）的制备过程和其光学}生质。通过采用连续离子层吸附和反应技术（SILAR），我们用少量的表面活性剂合成了不同壳层的四个样品，包括CdS核纳米晶以及具有1～3层ZnS壳的CdS／ZnS核／壳结构纳米晶体样品。发现具有一层ZnS壳的CdS／ZnS样品的荧光量子产率大约比未包覆壳层的CdS纳米晶体样品的强11倍。另外，随着壳层的增加（增至两到三层），荧光量子产率呈现下降的趋势。对样品进行了温度相关的光谱测量，发现CdS／ZnS和CdS一样具有特殊的光学特性。