简介：ElectronleakagestillneedstobesolvedforInGaN-basedblue-violetlaserdiodes(LDs),despitethepresenceoftheelectronblockinglayer(EBL).Toreducefurtherelectronleakage,anewstructureofInGaN-basedLDswithanInGaNinterlayerbetweentheEBLandp-typewaveguidelayerisdesigned.TheopticalandelectricalcharacteristicsoftheseLDsaresimulated,anditisfoundthattheadjustedenergybandprofileinthenewstructurecanimprovecarrierinjectionandenhancetheeffectiveenergybarrieragainstelectronleakagewhentheIncompositionoftheInGaNinterlayerisproperlychosen.Asaresult,thedeviceperformancesoftheLDsareimproved.

简介：Nitridatedβ-Ga_2O_3(100)substratewasinvestigatedasthesubstrateforGaNepitaxialgrowth.Theeffectsofnitridationtemperatureandsurfaceroughnessofβ-Ga_2O_3wafersontheformationofGaNwerestudied.Itwasfoundthatthemostoptimizednitridationtemperaturewas900°C,andhexagonalGaNwithpreferredorientationwasproducedonthewell-polishedwafer.Thenitridationmechanismwasalsodiscussed.

简介：WeexaminethesaturationofrelativecurrentgainofIn0.53Ga0.47As/InPsinglephotonavalanchediodes(SPADs)operatedinGeigermode.Thepunch-throughvoltageandbreakdownvoltageoftheSPADscanbemeasuredusingasimpleandaccuratemethod.Theanalysismethodistemperature-independentandcanbeappliedtomostSPADs.

简介：Wereportonthecontinuous-wave（CW）andpassiveQ-switchingperformanceofaminiatureYb:Y3Ga5O12crystallaserendpumpedbya935-nmdiodelaser.AmaximumCWoutputpowerof12.03Wisproducedwithanoptical-to-opticalefficiencyof54.4%,whiletheslopeefficiencyis63%.InthepassivelyQ-switchedoperationachievedwithaCr4+:YAGsaturableabsorber,anaverageoutputpowerof2.12Wat1025.2nmisgeneratedwithaslopeefficiencyof46%atapulserepetitionrateof5.0kHz.Thepulse’senergy,duration,andpeakpowerare424μJ,2.3ns,and184.3kW,respectively.

简介：日本光学计测研究室量子部，近年来利用以小型、大功率、稳定的光源著称的半导体激励YAG激光器，实现了干涉测量的新方法，该方法通过将半导体激励Nd：YAG激光(波长1064nm的红外光)

简介：Adiode-end-pumpedelectro-optic(EO)Q-switchedNd:YVO4laseroperatingatrepetitionrateof10kpps(pulsespersecond)wasreported.AblockofLa3Ga5SiO14(LGS)singlecrystalwasusedasaQ-switchandthedriverwasametaloxidesemiconductorfieldeffecttransistor(MOS-FET)pulserofhighrepetitionrateandhighvoltage.Atcontinuouswave(CW)operation,theslopeefficiencyofthelaserwas46%,andmaximumoptical-to-opticalefficiencywas38.5%.Usinganoutputcouplerwithtransmissionof70%,a10-kppsQ-switchedpulsetrainwith0.4-mJmonopulseenergyand8.2-nspulsewidthwasachieved,theopticalconversionefficiencywasaround15%,andthebeamqualityM2factorwaslessthan1.2.

简介：利用MOCVD技术，分别在图形化蓝宝石衬底（PSS）、沉积有AlN薄膜的图形化蓝宝石衬底（PSS-A）和经过选择性刻蚀掉部分AlN的AlN薄膜的图形化蓝宝石衬底（PSS-E）上外延生长GaN。在高倍金相显微镜下面观察了生长的表面形貌，利用AFM测量了外延片表面的粗糙度，对比分析了三种样品（002）面和（102）面XRD的FWHM，然后对三个样品切片，SEM观察了三种样品的剖面图，最终将三种样品衬底的外延片制备成相同产品，对比分析了样品的LED芯片的光电参数。

简介：用化学方法合成了四苯基卟啉（TPP）、四苯基卟啉乙酸合锰（TPPMn）、四对羟基苯基卟啉（THPP），并用太赫兹时域光谱技术研究了室温条件下这三种化合物的光谱特征，得到了各自的时域谱和透射谱。结果表明不同的卟啉化合物在太赫兹波段有不同的吸收，四苯基卟啉与四苯基卟啉乙酸合锰透射峰的位置相同，可能由于金属原予在大分子环内部配位，对分子的振动模式无影响，只是增强了物质对THz的吸收。通过比较样品的透射谱，讨论了卟啉分子结构与THz光谱吸收的关系。

简介：对于沸点相近并且分子自由程相差不大的物质，常规分离方法难以实现有效的分离，激光分离有效地弥补了常规分离方法的不足。用脉冲CO2激光器和连续CO2激光器对大豆卵磷脂混合物进行了激光分离实验，用高效液相色谱对激光辐照前后的样品进行了分析。经192．31w／cm。的脉冲CO2激光辐照，卵磷脂的质量分数相对提高了26．7％，经2．28W／cm^2的连续CO2激光辐照，卵磷脂的质量分数相对提高了25．74％。结果表明，利用不同物质吸收激光的选择性，可用激光分离液体混合物。脉冲CO2激光分离的效果比连续CO2激光分离的效果好。

简介：针对掺铒聚合物光波导放大器(EDWA),提出了一种基于Douglas离散格式改进的有限差光束传播法(FD-BPM)的数值计算方法.对每一传输步长结合多能级速率方程计算出EDWA中光场传输强度分布,及掺铒光波导放大器的增益传输特性.设计并研究了掺铒聚合物通道波导和Y形分束器的放大增益特性.在掺铒聚合物直波导中,Er3+浓度为9.0×1025ions·m-3,输入信号和泵浦光功率分别为1μW和2mW,其增益为1.6dB/cm;在掺铒聚合物Y形分束器中,输出信号光分束比相等,并能实现无损耗分束.

简介：激光三角法测量是现代测量技术中重要的测量方法，但其测量精度受自身系统、环境以及被测物表面特征等因素的影响。针对被测表面的特性是激光三角法产生测量中产生测量误差的主要因素，根据特定颜色所造成误差的重复特性提出了数据标定的改进方法；针对表面粗糙度，通过在光路适当位置安装偏振片有效消除了镜面反射，采用双光路设计有效改善了被测物倾斜带来的误差。最后通过实验验证了改进方法的有效性。

简介：采用人工溅射的方式分别在熔石英基片上镀制了光学厚度相近的铜膜和铁膜污染物。研究了熔石英基底在355nm波长的激光损伤阈值。分别采用透射式光热透镜技术、椭偏仪、原子力显微镜和光学显微镜研究了两类薄膜的热吸收、膜层厚度、表面微观形貌以及激光辐照后薄膜的损伤形貌。实验结果表明：熔石英表面的金属膜状污染物均导致基片损伤阈值下降，位于前表面的污染物引起的损伤阈值下降更为严重，约为23％。两种污染物薄膜引起基底的损伤形貌、基底损伤阈值的下降幅度与薄膜的热吸收系数与微观结构有关。从热力学响应角度，结合损伤形貌对污染物诱导熔石英表面形貌的损伤机理进行了讨论。

简介：制备了一种以碱性品红为光敏剂的新型全息存储材料，且使用波长为441nm的He—Cd激光器成功研究了材料的全息特性。研究表明，该材料在短波长处仍具有较高的衍射效率、曝光灵敏度和较大的折射率调制度，衍射效率近60％，灵敏度为2．93×101c群／mJ，折射率调制度为8．85×10．。。在存储介质膜中存储了全息图像，再现图像较为清晰，对比度与保真度较为理想，说明该材料具有较好的全息存储性能，适合作为高密度全息存储介质。