简介:在LaAlO3(001)、MgO(001)、SrTiO3(001)衬底以及SrTiO3(001)/PZT(001)种膜上用液相外延方法生长了PZNT薄膜。生长结果表明:在LaAlO3(001)基片PZNT晶粒以三维岛状自发生长。薄膜中有大量的焦绿石异相;在MgO(001)和SrlriO3(001)衬底上,为三维岛状异质外延生长。薄膜中焦绿石异相几乎消失;引入[001]取向的PZT种膜后,岛状三维生长变为二维生长,显著改善了外延膜的质量,获得了完整的PZNT膜。分析了衬底取向对紧邻层纳米尺寸范围的晶粒形成、薄膜晶粒的发育、克服薄膜中异相形成等的影响,总结了获得完整PZNT薄膜的生长条件。
简介:采用金属有机化学气相沉积法在Si(111)衬底上生长了AlN外延层。高分辨透射电子显微镜显示在AlN/Si界面处存在非晶层,俄歇电子能谱测试表明Si有很强的扩散,拉曼光谱测试表明存在Si-N键,另外光电子能谱分析表明非晶层中存在Si3N4。研究认为MOCVD高温生长造成Si的大量扩散是非晶层存在的主要原因,同时非晶Si3N4层也将促使AlN层呈岛状生长。
简介:在液相环境中,利用纳秒(ns)脉冲激光器轰击消融铬掺杂ZnSe(Cr^2+:ZnSe)微米颗粒,制备出Cr^2+:ZnSe纳米粒子,扫描电镜以及X射线衍射检测,结果显示,制备所得的粒子为平均尺寸为50nm的ZnSe闪锌矿结构纳米粒子。基于Cr^2+:ZnSe纳米粒子,观察到中心波长为2180nm、阈值为0.4mJ/pulse的随机激光效应。相比于Cr^2+:ZnSe晶体激光器,纳米粒子随机激光的中心波长发生了约170nm的蓝移,Cr^2+:ZnSe纳米粒子的光致发光寿命也比Cr^2+:ZnSe晶体要短。