简介：本文在介绍Si功率半导体器件的发展历程及限制的基础上，结合具体器件介绍SiC功率半导体器件的优势，最后介绍SiC功率半导体器件的发展现状及前景。
简介：发展单片集成MOSFET和肖特基二级管器件来减小Qrr和在DC-DC同步降压转换中的死区时间损耗。这篇文章报道了一种新的器件。这种器件在没有妥协MOSFET优点的同时，它可以降低超过29％的反向恢复电荷，和降低24％的正向电压降。在1MHZ，集成单片FET做同步整流，其电路效率提高1.1％。随着开关频率和电流的增加性能也得到改善。
简介：AVX公司是全球著名的被动电子器件供应商，作为其子公司的天津安施国际贸易有限公司在上海PCIM2010中国电力电子展览会上精彩亮相。
SiC功率半导体器件的优势及发展前景
集成肖特基二极管的沟槽功率MOSFET和DC-DC转换器的性能优势
以技术优势作后盾AVX欲圆“中国淘金梦”——访天津安施国际贸易有限公司崔爱国先生
