简介:本文介绍了意法半导体公司(STMicroelectronics)首次提出的1200V/20A的SiCMOSFET,并与1200V常闭型SiCJFET(结型场效应晶体管)和1200VSiCBJT(双极结型晶体管)作了对比。我们全面比较了三种开关器件工作在T=25℃、电流变化范围1A~7A的动态特性,并在T=125℃、I_D=7A条件下做了快速评估。尽管SiCMOSFET的比通态电阻(Ron*A)很高,但与另外两种器件相比仍被认为是最有前景的开关器件:SiCMOSFET的总动态损耗远远低于SiCBJT和常闭型SiCJFET,且驱动方案非常简单,因此在高频、高效功率转换领域中SiCMOSFET是最好的选择。
简介:本文提出了基于FPGA的数字PR控制器设计方法。研究了PR控制器的特点及离散化方法。完成了浮、定点PR控制器的硬件实现。分析并解决了位数扩展、历史值锁存、系统同步等关键问题。提出的数字控制器设计流程具有普遍适用性,可应用于其他控制器的硬件实现。搭建了基于DSP+FPGA控制系统的H桥级联型多电平逆变器实验样机。对硬件化PR控制器进行了实际验证。仿真和实验表明本文设计的数字PR控制器能够在较强电磁干扰环境中高速稳定运行。具有较高实用性。