简介：

简介：

简介：

简介：秦山第三核电厂的CANDU-6型重水堆已经进入商业运行阶段,上海监督站在对重水堆的监督过程中遇到了一些新的问题,如重水泄漏与损失、燃料棒束包壳破损以及在电厂大修期间由启动仪表导致第一停堆系统误动作等.本文就这些特殊问题的处理原则进行探讨,并提出了自己的见解.

简介：

简介：本文就极限概念作了进一步阐述。指出不应把探测极限和不同定义的探测仪器指标混用。“本底”一词也有不同的含义,应用时亦应慎重。文中还讨论了判“无”限的实际使用问题。本文认为应分清检测的客观可能性与主观愿望的区别。

简介：

简介：本文描述了用于测定中子、γ辐射墙中的中子、γ辐射的吸收剂量或比释动能的双剂量计的γ辐射校准,并测定了各项修正因子,给出了剂量计的校准因子其不确定度为1.4％,并校准了BIM提供的传递仪器,进行了比对,其结果相差小于1.0％。

简介：1设计和前期工程质量概况秦山核电厂建设中始终受到中央及有关省市各级领导的重视和关怀,从人力、物力和经费上给予保证,并要求核电厂安全要做到“万无一失”。实行设计师、主任设计师负责制,建立了一系列设计管理制度,包括设计准则,计算、分析、技术条件、图纸和图表的制备。对设计文件的编制、审核、批准、分发、修订和保存作出了具体规定,并广泛收集国际上核电国家的标准和规范。1984年制定出“核蒸汽供应系统及所属设备分级暂行规定”(728DS7a—84),1986年又对设备、系统的安全分级、抗震分类进行了补充和调整,使得各项设计质量得到保证。

简介：当散射体系中除散射体外还存在微电子密度起伏时，实测散射强度将形成对Porod定理的正偏离，从而使散射体的散射失真。提出了一种在长狭缝准直条件下应用模糊强度校正正偏离的方法：作出ln[q^3I^-(q)]-q^2曲线，用公式n[q^3I(q)]=InK'+σ^2q^2拟合大波矢区直线，求出斜率σ^2,作出ln[q^3I^-(q)]-σ^2q^2-q^2曲线即为无偏离的Porod曲线，由此曲线再还原出无偏离的散射强度，即I^-'(q)=exp{ln[q^3I^-(q)]-σ^2q^2}/q^3，再以醇热法合成的介孔氧化锆粉体为例进行了讨论。

简介：从中国核电厂设计安全法规回顾，到《新建核电厂设计中几个重要安全问题的技术政策》和对《核动力厂设计安全规定》的主要内容都作了介绍，全面地介绍了中国核电厂设计安全法规修订和发布的情况，并重点阐述了《新建核电厂设计中几个重要安全问题的技术政策》的特点，以及《核动力厂设计安全规定》新老法规的比较。

简介：

简介：

简介：给出了北京正负电子对撞机（BEPC）同步辐射新组装的3W1Wiggler束斑强度分布及光子束流的测量结果，并与理论计算作了比较，两者得出了一致的结果。

简介：从两个方面探讨金属拉伸试验试样的有效性，一是要避免试样所具有的被测性能指标的“真值”明显地高于其所代表的实际产品所具有的被测性能指标的“真值”，二是要避免试样所具有的被测性能指标的“真值”明显地低于其所代表的实际产品所具有的被测性能指标的“真值”。结合核安全审评和监督过程中遇到的实际问题，从不同的角度解读法规条文。以理论分析为基础，并考虑到现实的可操作性，对今后相关的核安全审评提出建议。

简介：利用同步辐射（BSRF）漫散射站四圆衍射仪，对SiC体单晶的结构进行了判定以及对利用常压化学气相沉积（APCVD）生长的3C－SiC/Si(001）中的孪晶及含量进行了分析。六方{10-15}极图证明了该SiC单晶为6H（H为Hexagonal的缩写）结构。对3C－SiC外延薄膜，Φ扫描证明了3C－SiC外延生长于Si衬底上，外延取向关系为：（001）3C－SiC//(001)Si,[111]3C-SiC//[111]Si。3C－SiC的{111}极图在x=15.8°出现了新的衍射，采用六方{10-10}极图以及基体倒格点111、孪晶倒格点002的Mapping分析了x=15.8°处产生的衍射为3C－SiC孪晶所致，并利用ω扫描估算了孪晶的含量约为1％。

简介：采用Czochralski法，我们成功地生长了大尺寸GdCa4O(BO3)3单晶。在对晶体的完整性进行检测的过程中发现：晶体中存在亚晶界，该晶界贯穿整个大单晶。由于亚晶界两边的单体存在取向差，在同步辐射形貌像中可观察到像漂移。根据高分辨X射线衍射所确定的取向差，我们计算了对应几个典型衍射的形貌像漂移，计算结果与从形貌像中测量的结果符合得很好。

简介：

简介：为了帮助理解GB14585《铀、钍矿冶放射性废物安全管理技术规定》及其支持性标准EJ/T683《铀、钍矿冶放射性废物的安全管理》,现将国际原子能机构第85号安全丛书的译文陆续登出,以供参考。

简介：同步辐射软X射线（白光）对InP表现进行了辐照。并对样品的表面电子结构作了UPS和XPS分析。结果显示，样品表面电子态变化明显，P3a峰化学位移大于In4d峰。与In非键合的P2p峰面积辐照后显著增加。说明软X射线对InP表现F原子的电离损伤要大于In原子。