简介:采用HSiCl3—NH3—N2(稀释气体)体系在石英陶瓷基板上通过低压化学气相沉积(LPCVD)法沉积出了Si3N4涂层,研究了工艺条件对涂层沉积速率的影响。结果表明,在没有稀释气体的情况下,随着沉积温度升高,Si3N4涂层的沉积速率逐渐增加,在850℃附近达到最大值,随着反应温度的进一步升高,涂层沉积速率下降。当存在稀释气体时,在所选温度范围内随着沉积温度的升高,Si3N4涂层的沉积速率一直增大,反应的表观活化能约为222kJ/mol。随着原料中NH3/HSiCl3流量比值的增大,Si3N4涂层的沉积速率逐渐增加,随后稳定,但稍有下降趋势。在所选稀释气体流量范围内,Si3N4涂层的沉积速率随着稀释气体流量的增加而增大。
简介:最近,中科院物理研究所白雪冬研究组的王文龙副研究员和博士生杨晓霞等人在单壁B—C—N纳米管研究方面又取得了新进展。三元B-C—N纳米管的合成有两个基本途径:直接生长法与碳纳米管取代反应法。直接生长法是指把B、C、N三种元素的前驱物同时引入生长环境,在纳米管生长的同时实现对其B、N掺杂,CVD方法便是直接生长法的一种。而所谓取代反应法则是以预先合成好的碳纳米管作为母体,在高温下使之与合适的含B和N的化合物之间发生化学取代反应,当碳纳米管晶格中的部分C原子被B、N原子所取代掺杂后,便得到三元B—c—N纳米管。纳米管取代反应法在原理上是一种能大量制备三元B—C—N纳米管的方法,曾经在B—C—N多壁纳米管的合成方面取得较好的结果,但是对单壁纳米管却一直难以奏效。
简介:
简介:(N-isopropylacrylamide)(PNIPAAm)Thermoresponsivepoly刷浓密地grafted到经由开始表面的原子转移激进分子聚合(SI-ATRP)的硅石表面上。grafting反应在2-propanol从2-bromoisobutyratefunctionalized硅石粒子的表面开始了在用CuCl/CuCl2/N的周围的温度的水的答案,N,N,N,N-pentamethyldiethylenetriamine(PMDETA)作为催化系统。把分析(TGA)基于thermogravimetric结果,grafting数量和硅石的表面上的PNIPAM链的grafting密度被计算分别地是1.29mg/m2和0.0215chains/nm2。胶化浸透层析(GPC)结果显示出相对狭窄的分子的重量分发(Mw/Mn=1.21)graftedPNIPAAm。修改硅石粒子作为包装材料成功地作为活动用水分开三芳香的混合物的高效的液体层析(HPLC)被使用由改变列温度的阶段。硅石粒子上的PNIPAAm刷子grafted的温度依赖者吸水/恐水病的性质改变与在静止阶段和analytes之间的色析法的相互作用被决定。保留时间被延长,分辨率与增加温度被改进。有在相对低的温度的高分辨率的基线分离被观察,证明稠密的PNIPAAm刷子是硅石表面上的grafted。
简介:
简介:Eu(TTA)4CsHsNC16H33(TTA:1-(2-Thenoy)-3,3,3-Trifluoracetate)isencapsulatedinSi-MCM41modifiedwithN-(3-Trimethoxysilethyl)ethylenediamine.Theemissionspectrumoftheassemblyshowsonlya5D0→7F2transition.Ascomparedwiththerareearthcomplexitself,thelifetimeoftheassemblybecomeslongeranditsstabilityundertheUVradiationismuchbetter.